高集成高线性度低噪声放大电路的制作方法

本发明涉及放大电路，具体涉及一种高集成高线性度低噪声放大电路。

背景技术：

1、低噪声放大电路在相控阵雷达、无线通信等电子系统中都有广泛的应用，其线性度、噪声、集成度等影响着收发电路的核心指标与系统成本。

2、传统差分结构高线性度低噪声放大电路分别采用输入匹配变压器、输出匹配变压器和源简并电感三个不同结构分别实现输入匹配、输出匹配和高线性度功能。

3、然而，传统放大电路的输入匹配、输出匹配和源简并电感由三个不同的结构组成，面积无法复用，导致电路尺寸大，限制电路集成度的提升，也无法实现进一步的低成本设计。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本发明提供了一种高集成高线性度低噪声放大电路，解决了放大电路的集成度低，无法实现进一步的低成本设计的问题。

2、为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

3、一种高集成高线性度低噪声放大电路，所述放大电路包括：第一初级线圈l1、第一次级线圈l2、第一晶体管m1、第二晶体管m2、第二初级线圈l3、第二次级线圈l4、第一源简并电感l5和第二源简并电感l6；

4、所述第一初级线圈l1和第一次级线圈l2组成输入匹配变压器；第二初级线圈l3和第二次级线圈l4组成输出匹配变压器；

5、所述第一初级线圈l1的两端为放大电路输入端，第一次级线圈l2的两端分别连接第一晶体管m1的栅极和第二晶体管m2的栅极；

6、所述第二初级线圈l3的两端分别连接第一晶体管m1的漏极和第二晶体管m2的漏极，第二次级线圈l4的两端为放大电路输出端；

7、所述第二初级线圈l3的中心接电源为第一晶体管m1和第二晶体管m2供电；

8、所述第一晶体管m1的源极通过第一源简并电感l5接地；

9、所述第二晶体管m2的源极通过第二源简并电感l6接地。

10、优选的，所述输入匹配变压器的线圈、输出匹配变压器的线圈、第一源简并电感l5和第二源简并电感l6层叠布置；

11、所述输入匹配变压器的线圈按“8”字形布线；

12、所述输出匹配变压器的线圈、第一源简并电感l5和第二源简并电感l6布置在输入匹配变压器的线圈外圈。

13、优选的，所述放大电路还包括：第一中和电容c1和第二中和电容c2；

14、所述第一晶体管m1的漏极与第二晶体管m2的栅极通过第一中和电容c1连接；

15、所述第一晶体管m1的栅极与第二晶体管m2的漏极通过第二中和电容c2连接。

16、本发明提供了一种高集成高线性度低噪声放大电路。与现有技术相比，具备以下有益效果：

17、本发明中，所述放大电路通过差分架构一体化匹配，将输入匹配变压器、输出匹配变压器和源简并电感高度集成，具备输入匹配、输出匹配和高线性度低噪声放大功能的同时大幅度提升了放大电路的集成度，实现了进一步的低成本设计。

技术特征：

1.一种高集成高线性度低噪声放大电路，其特征在于，所述放大电路包括：第一初级线圈l1、第一次级线圈l2、第一晶体管m1、第二晶体管m2、第二初级线圈l3、第二次级线圈l4、第一源简并电感l5和第二源简并电感l6；

2.如权利要求1所述的高集成高线性度低噪声放大电路，其特征在于，所述输入匹配变压器的线圈、输出匹配变压器的线圈、第一源简并电感l5和第二源简并电感l6层叠布置；

3.如权利要求1所述的高集成高线性度低噪声放大电路，其特征在于，所述放大电路还包括：第一中和电容c1和第二中和电容c2；

技术总结本发明提供了一种高集成高线性度低噪声放大电路，涉及放大电路技术领域。所述放大电路通过差分架构一体化匹配，将输入匹配变压器、输出匹配变压器和源简并电感高度集成，具备输入匹配、输出匹配和高线性度低噪声放大功能的同时大幅度提升了放大电路的集成度，实现了进一步的低成本设计。技术研发人员：吴士伟,金来福,赵洪亮,庞东伟,徐新航,丁娜,丁德志,桂勇锋受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第三十八研究所技术研发日：技术公布日：2024/8/1