一种二极管晶圆切割工艺优化方法及系统与流程

本申请涉及半导体器件，具体为一种二极管晶圆切割工艺优化方法及系统。

背景技术：

1、二极管作为一种能够将电能转化为可见光的固态半导体器件，在半导体发光二极管领域具有重要地位。随着led技术的不断发展，尤其是白光led作为新的照明光源材料，因其反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点，已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。晶圆切割是半导体制造过程中的关键步骤，可以将晶圆分割成单个的芯片，用于后续的芯片接合、引线接合和测试工序。切割工艺直接影响芯片的产量、性能和成本，因此优化切割工艺对提高半导体制造的整体效率和质量至关重要。传统的刀片切割工艺采用从正面沿切割槽一次切透的方式完成，当晶圆正面或背面结构较复杂时，因各种材料机械性能差异，可能导致晶圆正面或背面的材料黏附在刀片上，增加刀片磨损率，降低切割效率和稳定性。

2、综上所述，现有技术中，在传统机械切割过程中，由于机械力的作用，晶圆受到不均匀的应力分布，导致晶圆产生损伤，影响晶圆的性能的技术问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种二极管晶圆切割工艺优化方法及系统，能够解决传统机械切割过程中，由于机械力的作用，晶圆受到不均匀的应力分布，导致晶圆产生损伤，影响晶圆的性能的技术问题，通过更平滑的切割过程减少晶圆受到的应力，从而降低切割过程中晶圆损伤的技术效果。

2、第一方面，提供了一种二极管晶圆切割工艺优化方法，所述方法包括：设置二极管晶圆载盘，所述二极管晶圆载盘内设有固定夹具，所述固定夹具嵌入待切割晶圆本体；设置转动驱动机构，所述转动驱动机构设置在所述二极管晶圆载盘的下端，所述转动驱动机构驱动所述二极管晶圆载盘进行旋转后，控制平滑切割装置进行平滑切割；对所述转动驱动机构进行驱动监测，获取转动监测数据集；对所述平滑切割装置进行切割作业的参数进行监测，输出切割监测数据集；建立应力损伤识别模型，其中，所述应力损伤识别模型与所述转动驱动机构和所述平滑切割装置连接；将所述转动监测数据集和所述切割监测数据集输入所述应力损伤识别模型中，获取应力损伤指标；按照所述应力损伤指标对所述转动驱动机构和所述平滑切割装置进行优化控制。

3、第二方面，提供了一种二极管晶圆切割工艺优化系统，所述系统包括：二极管晶圆载盘设置模块，所述二极管晶圆载盘设置模块用于设置二极管晶圆载盘，所述二极管晶圆载盘内设有固定夹具，所述固定夹具嵌入待切割晶圆本体；转动驱动机构设置模块，所述转动驱动机构设置模块用于设置转动驱动机构，所述转动驱动机构设置在所述二极管晶圆载盘的下端，所述转动驱动机构驱动所述二极管晶圆载盘进行旋转后，控制平滑切割装置进行平滑切割；驱动监测模块，所述驱动监测模块用于对所述转动驱动机构进行驱动监测，获取转动监测数据集；切割监测数据集输出模块，所述切割监测数据集输出模块用于对所述平滑切割装置进行切割作业的参数进行监测，输出切割监测数据集；应力损伤识别模型建立模块，所述应力损伤识别模型建立模块用于建立应力损伤识别模型，其中，所述应力损伤识别模型与所述转动驱动机构和所述平滑切割装置连接；应力损伤指标获取模块，所述应力损伤指标获取模块用于将所述转动监测数据集和所述切割监测数据集输入所述应力损伤识别模型中，获取应力损伤指标；优化控制模块，所述优化控制模块用于按照所述应力损伤指标对所述转动驱动机构和所述平滑切割装置进行优化控制。

4、上述一种二极管晶圆切割工艺优化方法及系统，解决了传统机械切割过程中，由于机械力的作用，晶圆受到不均匀的应力分布，导致晶圆产生损伤，影响晶圆的性能的技术问题，通过更平滑的切割过程减少晶圆受到的应力，从而降低切割过程中晶圆损伤的技术效果。

5、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

技术特征：

1.一种二极管晶圆切割工艺优化方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制备所述待切割晶圆本体的凹槽模具；

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述转动监测数据集和所述切割监测数据集输入所述应力损伤识别模型中，获取应力损伤指标，方法还包括：

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述待切割晶圆本体进行应力损伤预测，包括：

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，若所述操作时长大于所述预设操作时长，所述应力损伤识别模型对所述协同作业监测数据集进行叠加应力分析损伤识别，获取叠加-晶圆应力损伤指标；

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，按照所述应力损伤指标对所述转动驱动机构和所述平滑切割装置进行优化控制，方法包括：

8.一种二极管晶圆切割工艺优化系统，其特征在于，所述系统用于实施权利要求1-7任一项所述方法，所述系统包括：

技术总结本发明公开了一种二极管晶圆切割工艺优化方法及系统，涉及半导体器件领域。所述方法包括：设置二极管晶圆载盘；设置转动驱动机构，控制平滑切割装置进行平滑切割；获取转动监测数据集和输出切割监测数据集；建立应力损伤识别模型；将所述转动监测数据集和所述切割监测数据集输入所述应力损伤识别模型中，获取应力损伤指标；按照所述应力损伤指标对所述转动驱动机构和所述平滑切割装置进行优化控制。解决了传统机械切割过程中，由于机械力的作用，晶圆受到不均匀的应力分布，导致晶圆产生损伤，影响晶圆的性能的技术问题，通过更平滑的切割过程减少晶圆受到的应力，从而降低切割过程中晶圆损伤的技术效果。技术研发人员：许多受保护的技术使用者：南通莱欧电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1