半导体器件封装管壳结构的制作方法

本技术属于半导体器件封装，更具体地说，是涉及一种半导体器件封装管壳结构。

背景技术：

1、目前，半导体器件的封装形式主要包括金属封装、陶瓷封装、塑料封装等，金属封装和陶瓷封装虽然密封性好，但成本较高；塑封器件价格虽然低廉，但该封装形式仅能用于低频段。而耐高温高分子聚合物材料的空腔封装结构可以在高频段应用，具有较为广泛的应用前景。

2、目前，以有机耐高温聚合物材质制作的封装结构是代替金属陶瓷封装的主要方式，它不仅封装成本低，还可应用于高频半导体器件封装领域。在进行上述材质封装管壳的封装时，由于有机耐高温聚合物的表面能较高，因此粘结剂对其润湿性较差，容易造成粘结效果差的问题，不仅容易导致盖板与热沉之间的错位，还容易产生封帽胶外溢至管芯贴装区的现象，极大地影响了半导体器件的封装质量。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种半导体器件封装管壳结构，能够有效地避免发生结构错位，提高粘接的可靠性，保证封装结构的封装质量。

2、为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种半导体器件封装管壳结构，包括自上而下层叠设置的盖板、引线框架以及金属热沉，引线框架的顶面上设有至少两个周向延伸的第一定位环槽，盖板的底壁上设有与第一定位环槽一一对应插接配合的第一定位环条；金属热沉的顶面上设有至少两个周向延伸的第二定位环槽，引线框架的底面上设有与第二定位环槽一一对应插接配合的第二定位环条，盖板与引线框架之间以及引线框架与金属热沉之间分别设有胶粘层。

3、在一种可能的实现方式中，第一定位环槽、第一定位环条、第二定位环槽以及第二定位环条分别设有两个；

4、两个第一定位环槽包括第一内环槽以及位于第一内环槽外周的第一外环槽；两个第一定位环条包括与第一内环槽插接配合的第一内环条以及与第一外环槽插接配合的第一外环条；

5、两个第二定位环槽包括第二内环槽以及位于第二内环槽外周的第二外环槽；两个第二定位环条包括与第二内环槽插接配合的第二内环条以及与第二外环槽插接配合的第二外环条。

6、在一种可能的实现方式中，第一内环槽的截面形成为第一矩形，第一内环条的截面形成为第二矩形，第一矩形的截面积大于第二矩形的截面积。

7、在一种可能的实现方式中，第一矩形和第二矩形的长边分别沿上下方向延伸。

8、在一种可能的实现方式中，第一外环槽的截面形成为第一梯形，第一外环条的截面形成为第二梯形，第一梯形的上底长度大于第二梯形的下底长度。

9、一些实施例中，第一梯形的下底长度大于第一梯形的上底长度，第二梯形的下底长度大于第二梯形的上底长度。

10、一些实施例中，第二梯形的上底长度大于第二矩形的宽度。

11、在一种可能的实现方式中，第一梯形和第二梯形均为直角梯形，第二梯形具有靠近第二矩形设置的直角边以及远离第二矩形设置的斜边。

12、一些实施例中，斜边与直角边之间形成夹角α，α＜10°。

13、在一种可能的实现方式中，第一内环槽与第二内环槽上下对应设置，第一外环槽与第二外环槽上下对应设置；第一外环槽与第一内环槽之间的间距大于第一外环槽与引线框架对应侧端面之间的间距；第二外环槽与第二内环槽之间的间距大于第二外环槽与金属热沉对应侧端面之间的间距。

14、本申请实施例所示的方案，与现有技术相比，本申请实施例所示的方案，利用第一定位环条与第一定位环槽形成插接配合，保证盖板与引线框架之间的定位精度，同时借助第一定位环槽增大胶粘层的布设面积，提高盖板与引线框架之间的粘接效果，引线框架与金属热沉之间通过第二定位环条和第二定位环槽实现上述定位以及粘接作用，提高了定位精度，保证了粘接的可靠性，避免了粘接胶对管芯贴装区造成影响，保证了封装结构的封装质量。

技术特征：

1.半导体器件封装管壳结构，其特征在于，包括自上而下层叠设置的盖板(1)、引线框架(2)以及金属热沉(3)，所述引线框架(2)的顶面上设有至少两个周向延伸的第一定位环槽，所述盖板(1)的底壁上设有与所述第一定位环槽一一对应插接配合的第一定位环条；所述金属热沉(3)的顶面上设有至少两个周向延伸的第二定位环槽，所述引线框架(2)的底面上设有与所述第二定位环槽一一对应插接配合的第二定位环条，所述盖板(1)与所述引线框架(2)之间以及所述引线框架(2)与所述金属热沉(3)之间分别设有胶粘层(4)。

2.如权利要求1所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第一定位环槽、所述第一定位环条、所述第二定位环槽以及所述第二定位环条分别设有两个；

3.如权利要求2所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第一内环槽(51)的截面形成为第一矩形，所述第一内环条(61)的截面形成为第二矩形，所述第一矩形的截面积大于所述第二矩形的截面积。

4.如权利要求3所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第一矩形和所述第二矩形的长边分别沿上下方向延伸。

5.如权利要求3所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第一外环槽(52)的截面形成为第一梯形，所述第一外环条(62)的截面形成为第二梯形，所述第一梯形的上底长度大于所述第二梯形的下底长度。

6.如权利要求5所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第一梯形的下底长度大于所述第一梯形的上底长度，所述第二梯形的下底长度大于所述第二梯形的上底长度。

7.如权利要求6所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第二梯形的上底长度大于所述第二矩形的宽度。

8.如权利要求6所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第一梯形和所述第二梯形均为直角梯形，所述第二梯形具有靠近所述第二矩形设置的直角边(71)以及远离所述第二矩形设置的斜边(72)。

9.如权利要求8所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述斜边(72)与所述直角边(71)之间形成夹角α，α＜10°。

10.如权利要求2-8中任一项所述的半导体器件封装管壳结构，其特征在于，所述第一内环槽(51)与所述第二内环槽(53)上下对应设置，所述第一外环槽(52)与所述第二外环槽(54)上下对应设置；所述第一外环槽(52)与所述第一内环槽(51)之间的间距大于所述第一外环槽(52)与所述引线框架(2)对应侧端面之间的间距；所述第二外环槽(54)与所述第二内环槽(53)之间的间距大于所述第二外环槽(54)与所述金属热沉(3)对应侧端面之间的间距。

技术总结本技术提供了一种半导体器件封装管壳结构，包括自上而下层叠设置的盖板、引线框架以及金属热沉，引线框架的顶面上设有至少两个周向延伸的第一定位环槽，盖板的底壁上设有与第一定位环槽一一对应插接配合的第一定位环条；金属热沉的顶面上设有至少两个周向延伸的第二定位环槽，引线框架的底面上设有与第二定位环槽一一对应插接配合的第二定位环条。本技术提供的半导体器件封装管壳结构，利用第一定位环条与第一定位环槽形成插接配合，保证盖板与引线框架之间的定位精度，同时借助第一定位环槽增大胶粘层的布设面积，提高盖板与引线框架之间的粘接效果，引线框架与金属热沉之间采用同样的结构，提高了定位精度，保证了封装结构的封装质量。技术研发人员：王鹏,郭跃伟,刘子浩,段磊,于长江,孔令旭,张家祺,白雪,赵光远受保护的技术使用者：河北博威集成电路有限公司技术研发日：20231123技术公布日：2024/8/16