一种高耐磨焦炉炉底硅砖的制作方法

本技术涉及焦炉维护，尤其涉及一种高耐磨焦炉炉底硅砖。

背景技术：

1、焦炉为焦炭生产的大型设备，一般使用年限在20～30年左右。由于焦炉炭化室和燃烧室墙体长期处于高温状态以及施工作业磨损，炭化室炉底砖会逐渐出现开裂、破损，掉落等现象。传统的维修方式为采用硅砖或高铝砖等冷修或干排趟浆修复，冷修即是将待修炭化室相关蓄热室温度降低到350℃以下,对炉底砖进行修砌。该维修方式不仅影响焦炉的正常生产运行，还会使待修炭化室硅砖墙体因温度升降造成严重损害，并且修砌维修耗时长、效率低。干排趟浆维修方式即是将炉底砖在炉温基本不降低的情况下，通过工具将炉底砖从炉外推送到待修部位，等新砌炉底砖升温到900℃以上后，将泥浆从机焦侧向炉中赶趟进行灌缝，达到维修炉底砖的目的。该维修方式具有简便快速，影响生产小的优点，但炉底砖掉落严重，特别是炉底砖台损坏时，维修质量难以保证，且维修效果不佳，还会因为浆料含水量过大，造成旧砌体二次损害。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中焦炉炉底硅砖容易磨损的问题，而提出的一种高耐磨焦炉炉底硅砖。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、一种高耐磨焦炉炉底硅砖，包括硅砖本体，所述硅砖本体为长方体结构，所述硅砖本体的厚度为40mm，所述硅砖本体的顶部粘接有耐磨块，所述耐磨块的截面呈拱形，所述耐磨块的宽度与硅砖本体的厚度相等。

4、进一步地，所述耐磨块的底部设置有连接块，所述硅砖本体的顶部设置有与连接块对应的连接槽，所述连接块、连接槽为三棱柱或者四棱柱结构。

5、进一步地，所述压块为高温陶瓷。

6、进一步地，所述硅砖本体的前端底部开设有压块槽，所述硅砖本体的后端底部设置有与压块槽卡接的压块。

7、进一步地，所述压块槽的顶部为向上倾斜的斜面结构，所述压块、压块槽均为前端大后端小的楔形块结构。

8、进一步地，所述硅砖本体的前端设置有凸块，所述硅砖本体的后端设置有与凸块卡接的凹槽。

9、进一步地，所述凸块为前端小后端大的圆台型，所述凸块的轴线沿前后方向设置。

10、与现有技术相比，本实用新型提供了一种高耐磨焦炉炉底硅砖，具备以下有益效果：

11、本实用新型一种高耐磨焦炉炉底硅砖，使用时，把硅砖本体的前端朝向拦焦门，硅砖本体的后端朝向推焦门，铺设在炭化炉底部，使耐磨块的轴线的两端朝向推焦门和拦焦门，用推焦杆推动焦炭时，由于大部分焦炭的粒度大于40mm，因此大部分焦炭不会卡在相邻的耐磨块之间的沟槽内，焦炭主要与耐磨块的顶部滑动连接，相比于现有技术中普通的硅砖，增加硅砖本体耐磨性的同时，还减少焦炭与耐磨块之间的接触面积，从而减小滑动摩擦力，进一步减少焦炭与耐磨块之间产生的磨损。

12、本实用新型的其他优点、目标和特征，在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述；并且在某种程度上，基于对下文的考察研究，对本领域技术人员而言将是显而易见的；或者，可以从本实用新型的实践中得到教导。

技术特征：

1.一种高耐磨焦炉炉底硅砖，包括硅砖本体（1），其特征在于，所述硅砖本体（1）为长方体结构，所述硅砖本体（1）的厚度为40mm，所述硅砖本体（1）的顶部粘接有耐磨块（2），所述耐磨块（2）的截面呈拱形，所述耐磨块（2）的宽度与硅砖本体（1）的厚度相等。

2.根据权利要求1所述的一种高耐磨焦炉炉底硅砖，其特征在于，所述耐磨块（2）的底部设置有连接块（7），所述硅砖本体（1）的顶部设置有与连接块（7）对应的连接槽（8），所述连接块（7）、连接槽（8）为三棱柱或者四棱柱结构。

3.根据权利要求1所述的一种高耐磨焦炉炉底硅砖，其特征在于，所述硅砖本体（1）的前端底部开设有压块槽（5），所述硅砖本体（1）的后端底部设置有与压块槽（5）卡接的压块（4）。

4.根据权利要求3所述的一种高耐磨焦炉炉底硅砖，其特征在于，所述压块槽（5）的顶部为向上倾斜的斜面结构，所述压块（4）、压块槽（5）均为前端大后端小的楔形块结构。

5.根据权利要求3所述的一种高耐磨焦炉炉底硅砖，其特征在于，所述压块（4）为高温陶瓷。

6.根据权利要求1所述的一种高耐磨焦炉炉底硅砖，其特征在于，所述硅砖本体（1）的前端设置有凸块（6），所述硅砖本体（1）的后端设置有与凸块（6）卡接的凹槽（3）。

7.根据权利要求6所述的一种高耐磨焦炉炉底硅砖，其特征在于，所述凸块（6）为前端小后端大的圆台型，所述凸块（6）的轴线沿前后方向设置。

技术总结本技术公开了一种高耐磨焦炉炉底硅砖，属于焦炉维护技术领域；一种高耐磨焦炉炉底硅砖，包括硅砖本体，所述硅砖本体为长方体结构，所述硅砖本体的厚度为40mm，所述硅砖本体的顶部粘接有耐磨块，所述耐磨块的截面呈拱形，所述耐磨块的宽度与硅砖本体的厚度相等；本技术具有耐磨性能高、减少炉底砖维修时间的优点。技术研发人员：李怀生,陈学军,孙跃雷,孙跃博,冯浩杰,张少峰受保护的技术使用者：河南春胜集团有限公司技术研发日：20231225技术公布日：2024/8/16