电平输出控制方法、装置、设备、介质以及产品与流程

本发明涉及电机驱动控制领域，尤其涉及一种电平输出控制方法、装置、设备、介质以及产品。

背景技术：

1、在电机驱动项目开发过程中，需要使用mcu的在线仿真功能进行软件调试，目前同类电机驱动类mcu在仿真功能断点处将会暂停微控制器内核，片上外设也将保持当前状态。

2、驱动板的电机驱动桥电路使用mcu的定时器（tim）外设输出脉宽调制（pwm，pulsewidth modulation）信号来控制金属氧化物半导体场效应晶体管（mos，metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）导通与关闭。

3、但是，当电机处于运行状态时mcu进入暂停仿真状态或运行至代码断点处，pwm输出信号将保持在某一电平状态，则将导致驱动桥无法正常换相，驱动桥mos管长期处于打开状态将导致流过mos管的电流过高，从而烧毁驱动器件造成经济损失，影响项目的开发进程，且易引发火灾。

4、上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种电平输出控制方法、装置、终端设备以及存储介质，旨在解决电机驱动控制的项目调试中暂停微控制器内核后pwm无法正常地换相导致mos器件长时间导通，从而烧毁mos管器件的技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提供一种电平输出控制方法，所述电平输出控制方法包括：

3、接收仿真器发送的操作指令，通过mcu运行状态检测模块对微控制器mcu进行状态检测，得到所述mcu的运行状态；

4、根据所述mcu的运行状态，将脉宽调制信号pwm调整至对应的输出模式；

5、根据所述输出模式对金属氧化物半导体管mos管器件进行电平输出。

6、可选的，所述操作指令包括运行、暂停以及断点中的一种或多种，所述接收仿真器发送的操作指令的步骤之后还包括：

7、基于所述操作指令，通过所述mcu进行软件调试，并实时监测得到程序运行情况，所述程序运行情况包括运行状态、内存使用情况、变量以及寄存器值中的一种或多种；

8、当读取到所述操作指令为暂停和/或断点时，输出所述操作指令前的程序运行情况，并停止指令读取。

9、可选的，所述通过mcu运行状态检测模块对微控制器mcu进行状态检测，得到所述mcu的运行状态的步骤包括：

10、通过所述mcu运行状态检测模块对所述mcu进行轮询检测，获取所述mcu的指令读取状态；

11、当所述mcu的指令读取状态为停止时，根据预设的暂停状态时间阈值进行分析；

12、若所述mcu停止读取的时间超过所述暂停状态时间阈值，则输出所述mcu的运行状态为暂停状态。

13、可选的，所述输出所述mcu的运行状态为暂停状态的步骤之后还包括：

14、基于预设的计数寄存器进行读取，获取定时计数器在所述mcu的运行状态为暂停状态时的计数配置；

15、基于所述计数配置对所述定时计数器进行控制。

16、可选的，所述根据所述mcu的运行状态，将脉宽调制信号pwm调整至对应的输出模式的步骤包括：

17、可选的，所述根据所述输出模式对金属氧化物半导体管mos管器件进行电平输出的步骤包括：

18、基于所述输出模式对预设的输出寄存器进行读取，得到输出配置；

19、解析所述输出配置得到寄存器配置值；

20、基于所述寄存器配置值对脉宽调制信号进行调整，并通过预设的驱动桥电路对所述mos管器件进行电平输出。

21、可选的，所述根据所述输出模式对金属氧化物半导体管mos管器件进行电平输出的步骤之后还包括：

22、读取预设的监视器模块得到所述监视器模块中的定时配置；

23、基于所述定时配置，通过所述监视器模块对所述mcu进行指令读取状态检测；

24、若所述mcu的指令读取状态为停止，则对所述mcu执行重启操作。

25、本发明实施例还提出一种电平输出控制装置，所述电平输出控制装置包括：

26、检测模块，用于接收仿真器发送的操作指令，通过mcu运行状态检测模块对微控制器mcu进行状态检测，得到所述mcu的运行状态；

27、调整模块，用于根据所述mcu的运行状态，将脉宽调制信号pwm调整至对应的输出模式；

28、输出模块，用于根据所述输出模式对金属氧化物半导体管mos管器件进行电平输出。

29、本发明实施例还提出了一种终端设备，所述终端设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的电平输出控制程序，所述电平输出控制程序被所述处理器执行时实现如上所述的电平输出控制方法的步骤。

30、本发明实施例还提出了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有电平输出控制程序，所述电平输出控制程序被处理器执行时实现如上所述的电平输出控制方法的步骤。

31、此外，为实现上述目的，本申请还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上文所述的电平输出控制方法的步骤。

32、本发明实施例提出的一种电平输出控制方法、装置、终端设备以及存储介质，通过接收仿真器发送的操作指令，通过mcu运行状态检测模块对微控制器mcu进行状态检测，得到所述mcu的运行状态；根据所述mcu的运行状态，将脉宽调制信号pwm调整至对应的输出模式；根据所述输出模式对金属氧化物半导体管mos管器件进行电平输出。由此，通过mcu运行状态检测模块对mcu进行状态检测，得到mcu的运行状态，并基于得到的运行状态进行输出模式的调整，最后根据输出模式对mos管器件进行电平输出。实现了对电平输出的控制，解决了电机驱动控制的项目调试中暂停微控制器内核后pwm无法正常地换相导致mos器件长时间导通，从而烧毁mos管器件的问题，保护了电路的安全性。

技术特征：

1.一种电平输出控制方法，其特征在于，所述电平输出控制方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电平输出控制方法，其特征在于，所述操作指令包括运行指令、暂停指令以及断点指令中的一种或多种，所述接收仿真器发送的操作指令的步骤之后还包括：

3.根据权利要求1所述的电平输出控制方法，其特征在于，所述通过mcu运行状态检测模块对微控制器mcu进行状态检测，得到所述mcu的运行状态的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的电平输出控制方法，其特征在于，所述输出所述mcu的运行状态为暂停状态的步骤之后还包括：

5.根据权利要求1所述的电平输出控制方法，其特征在于，所述根据所述输出模式对金属氧化物半导体管mos管器件进行电平输出的步骤包括：

6.根据权利要求1所述的电平输出控制方法，其特征在于，所述根据所述输出模式对金属氧化物半导体管mos管器件进行电平输出的步骤之后还包括：

7.一种电平输出控制装置，其特征在于，所述电平输出控制装置包括：

8.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的电平输出控制方法程序，所述电平输出控制方法程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的电平输出控制方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有电平输出控制方法程序，所述电平输出控制方法程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的电平输出控制方法的步骤。

10.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述的电平输出控制方法的步骤。

技术总结本发明公开了一种电平输出控制方法、装置、设备、介质以及产品，其方法包括：接收仿真器发送的操作指令，通过MCU运行状态检测模块对微控制器MCU进行状态检测，得到所述MCU的运行状态；根据所述MCU的运行状态，将脉宽调制信号PWM调整至对应的输出模式；根据所述输出模式对金属氧化物半导体管MOS管器件进行电平输出。本发明通过对MCU的运行状态进行检测，在得知MCU进入暂停状态时，调整或关闭原先的电平输出模式，避免了MOS管器件被烧毁，解决了电机驱动控制的项目调试中暂停微控制器内核后PWM无法正常地换相导致MOS器件长时间导通，从而烧毁MOS管器件的问题，保护了电路的安全性。技术研发人员：王世德,高天豪,彭惠受保护的技术使用者：深圳瑞德创新科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/20