表面贴装多层陶瓷电容器的制作方法

背景技术：

1、多层耦合电容器通常被构造为具有以堆叠布置的多个介电层和多个内部电极层。在制造期间，将堆叠的各介电层和各内部电极层进行压制和烧结，以获得大致一体式的电容器本体。为了改进这些电容器的性能，已经对各介电层和各内部电极层采用了各种配置和设计。

2、然而，随着电子行业发生快速变化，需要新的性能标准，通常对这些配置进行操纵。具体而言，各种应用设计考虑使得需要重新定义高速环境下的电容器参数及其性能，尤其是在集成电路速度更快、密度更高的情况下。例如，更大的电流、密度更高的电路板和不断上升的成本都集中在对更好和更高效的电容器的需求上。另外，各种电子部件的设计已由朝向小型化以及增加功能性的总体行业趋势所驱动。

3、在这一点上，对提供具有改进的操作特性的陶瓷电容器存在需求。另外，一些应用还将受益于提供在电路板上可能具有较小占用空间的耦合电容器。

技术实现思路

1、根据本发明的一个实施例，公开了一种表面贴装耦合电容器。该耦合电容器包括主体，该主体包含第一组交替的介电层和内部电极层、以及第二组交替的介电层和内部电极层。每组交替的介电层和内部电极层包含第一内部电极层和第二内部电极层。每个内部电极层包括顶边缘、与顶边缘相对的底边缘、以及在顶边缘与底边缘之间延伸的两个侧边缘，该顶边缘、该底边缘和该两个侧边缘限定了该内部电极层的主体。该耦合电容器包括外部端子，这些外部端子电连接到内部电极层，其中，外部端子形成在耦合电容器的顶表面上、以及耦合电容器的与该耦合电容器的顶表面相对的底表面上。该电容器包括一个或多个介电区，该一个或多个介电区包括一个或多个气孔。

2、以下更详细地阐述了本发明的其它特征和方面。

技术特征：

1.一种多层耦合电容器，包括：

2.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述第一内部电极层或所述第二内部电极层中的至少一者电接触所述耦合电容器的所述顶表面上的外部端子，并且另一个内部电极层电接触所述耦合电容器的与所述耦合电容器的所述顶表面相对的所述底表面上的外部端子。

3.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述第一内部电极层的至少一个侧向边缘与所述第二内部电极层的至少一个侧向边缘大致对齐。

4.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述第一内部电极层的两个侧向边缘与所述第二内部电极层的两个侧向边缘大致对齐。

5.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述一个或多个介电区存在于包含第一内部电极层和第二内部电极层的每组交替的介电层和内部电极层之间。

6.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述一个或多个介电区存在于一组中的第一个内部电极层与相邻的侧表面之间，或存在于一组中的最后一个内部电极层与相邻的侧表面之间。

7.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述一个或多个介电区存在于内部电极层的侧向边缘与相邻的侧表面之间。

8.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述一个或多个气孔包括过孔。

9.根据权利要求8所述的多层耦合电容器，其中，所述过孔延伸穿过所述电容器的厚度。

10.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述介电区是存在于两个外部端子之间的区域。

11.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述一个或多个气孔构成所述电容器的1％体积至15％体积。

12.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述介电层包括陶瓷。

13.根据权利要求12所述的多层耦合电容器，其中，所述陶瓷包括钛酸盐。

14.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述内部电极层包括导电金属。

15.根据权利要求14所述的多层耦合电容器，其中，所述导电金属包括镍或镍的合金。

16.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述外部端子是电镀层。

17.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述外部端子是化学镀层。

18.根据权利要求1所述的多层耦合电容器，其中，所述外部端子包括导电金属。

19.根据权利要求18所述的多层耦合电容器，其中，所述导电金属包括银、金、钯、铂、锡、镍、铬、钛、钨、或以上的组合或合金。

20.根据权利要求18所述的多层耦合电容器，其中，所述导电金属包括铜或铜的合金。

21.一种电路板，所述电路板包含根据权利要求1所述的耦合电容器。

22.一种通信设备，所述通信设备包含根据权利要求1所述的耦合电容器。

23.根据权利要求16所述的通信设备，其中，所述设备包括以太网系统、无线网络路由器、光纤通信系统或存储设备。

技术总结本发明涉及一种表面贴装耦合电容器。该耦合电容器包括主体，该主体包含至少两组交替的介电层和内部电极层，其中，每组交替的介电层和内部电极层包含第一内部电极层和第二内部电极层。每个内部电极层包括顶边缘、与顶边缘相对的底边缘、以及在顶边缘与底边缘之间延伸的两个侧边缘，该顶边缘、该底边缘和该两个侧边缘限定了该内部电极层的主体。该耦合电容器包括外部端子，外部端子电连接到内部电极层，其中，外部端子形成在耦合电容器的顶表面上、以及耦合电容器的与该耦合电容器的顶表面相对的底表面上。该电容器包括一个或多个介电区，该一个或多个介电区包括一个或多个气孔。技术研发人员：玛丽安·贝罗里尼,克雷格·尼尔斯,杰弗里·霍恩,约瑟夫·M·霍克受保护的技术使用者：京瓷AVX元器件公司技术研发日：技术公布日：2024/8/20