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一种适用于半导体腔室设备的MFC快速检验方法与流程

  • 国知局
  • 2024-08-22 14:49:23

本发明涉及一种检验方法,具体涉及一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法。

背景技术:

1、在ald(原子层沉积)设备中,mfc(质量流量控制器)被广泛应用于控制和监测各种气体的流量。

2、mfc对于ald设备的运行至关重要,它能够精确地测量和调节进入反应室的流量,以确保反应气体的准确供应,这对于控制薄膜厚度以及避免因流量变化引起的薄膜不均匀性至关重要。mfc可以实时监测流体的流量变化,从而确保ald过程的稳定性和一致性,这种监控有助于及时发现并解决设备故障和维护设备性能。

3、mfc可以通过预设程序来控制流体的流量变化,从而实现ald过程的自动化和程序化,有助于提高生产效率并减少人为操作错误。mfc还可以通过监测流体的流量和压力变化来检测设备故障或管道堵塞等问题,有助于及时发现并解决设备故障,避免生产中断和保证生产质量。

4、综上所述,mfc在ald设备中发挥着重要作用,通过精确测量和控制气体或液体的流量,有助于实现高精度、高均匀性、高分辨率和高保真度的薄膜沉积过程。然后,现有技术中为了保证mfc的准确性,需要将其拆下并寄回原厂或相关检测单位进行检测,过程较为繁琐,花费时间也较长。

技术实现思路

1、为克服上述诸多问题,本发明的目的在于提供了一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法,已达到快速检测mfc准去性的目的。

2、为了达到以上目的,本发明采用的技术方案是:一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法,具体步骤如下:

3、s1.在ald设备的腔室上抽真空至预设值;

4、s2.预设mfc流量为q1,mfc标定气体为n2,打开mfc阀门对设备的腔室进行充气;

5、s3.待腔室充满气后结束充气,记录充气时间为t,腔室内的压力为p1、温度为t1;

6、s4.通过三维模型,得到设备的腔室体积为v1;

7、s5.计算标况下气体体积为v2;

8、s6.计算标况下气体流量为q2;

9、s7.对比q1和q2,检验mfc的准确性。

10、优选的,所述s1中的ald设备包括腔室、进气管道和抽气管道,所述进气管道上设置有mfc和控制mfc的阀门。

11、优选的,所述s2中若使用其他气体进行检验,则需要乘以气体转换系数cf。

12、优选的,所述s5中气体的标准状态为气体温度273.15k(0℃),气压101325pa(1atm),计算标况下的气体体积,需要用到一定质量的理想气体的两平衡态参量之间的关系式:

13、

14、其中p1和p2为气体压力,v1和v2为气体体积,t1和t2为气体温度。

15、优选的,所述s6中若p1为实际气体压力,v1为实际气体体积,t1为实际气体温度,p2为标况气体压力,v2为标况气体体积,t2为标况气体温度,则标况气体体积为:

16、

17、气体流量为:

18、

19、其中v为气体体积,t为充气时间。

20、本发明的有益效果是:利用固定的真空腔室对不同气体mfc进行快速检验,验证mfc的准确性,避免了拆下寄回原厂或相关检测单位进行检测,省时省力。

技术特征:

1.一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法,其特征在于,具体步骤如下:

2.根据权利要求1所述的一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法,其特征在于,所述s1中的ald设备包括腔室、进气管道和抽气管道,所述进气管道上设置有mfc和控制mfc的阀门。

3.根据权利要求1所述的一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法,其特征在于,所述s2中若使用其他气体进行检验,则需要乘以气体转换系数cf。

4.根据权利要求1所述的一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法,其特征在于,所述s5中气体的标准状态为气体温度273.15k(0℃),气压101325pa(1atm),计算标况下的气体体积,需要用到一定质量的理想气体的两平衡态参量之间的关系式:

5.根据权利要求4所述的一种适用于半导体腔室设备的mfc快速检验方法,其特征在于,所述s6中若p1为实际气体压力,v1为实际气体体积,t1为实际气体温度,p2为标况气体压力,v2为标况气体体积,t2为标况气体温度,则标况气体体积为:

技术总结本发明公开了一种适用于半导体腔室设备的MFC快速检验方法,具体步骤如下:S1.在ALD设备的腔室上抽真空至预设值;S2.预设MFC流量为Q<subgt;1</subgt;,MFC标定气体为N<subgt;2</subgt;,打开MFC阀门对设备的腔室进行充气;S3.待腔室充满气后结束充气,记录充气时间为t,腔室内的压力为p<subgt;1</subgt;、温度为T<subgt;1</subgt;;S4.通过三维模型,得到设备的腔室体积为V<subgt;1</subgt;;S5.计算标况下气体体积为V<subgt;2</subgt;;S6.计算标况下气体流量为Q<subgt;2</subgt;;S7.对比Q<subgt;1</subgt;和Q<subgt;2</subgt;,检验MFC的准确性。本发明利用固定的真空腔室对不同气体MFC进行快速检验,验证MFC的准确性。技术研发人员:张洪国,徐冉,唐继远,汤晨宇,崔恒飞受保护的技术使用者:江苏鹏举半导体设备技术有限公司技术研发日:技术公布日:2024/8/20

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