有机发光二极管显示器的制作方法

本公开涉及一种有机发光二极管显示器，更具体地，涉及一种包括设置在半导体层与基底之间的叠置层的有机发光二极管显示器。

背景技术：

1、与液晶显示（lcd）装置不同，有机发光二极管（oled）显示器具有自发射特性，消除了光源的必要性，因此能够更薄更轻。此外，oled显示器具有高质量特性，诸如低功耗、高亮度、高响应速度等。

2、通常，oled显示器包括基底、位于基底上的多个薄膜晶体管、设置在构成薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层以及连接到薄膜晶体管的发光元件。oled显示器包括多个像素，每个像素包括多个晶体管。

技术实现思路

1、示例性实施例提供一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底；叠置层，位于基底上；半导体层，位于叠置层上；第一栅极导体，位于半导体层上；第二栅极导体，位于第一栅极导体上；数据导体，位于第二栅极导体上；驱动晶体管，位于叠置层上；以及有机发光二极管，与驱动晶体管连接。驱动晶体管包括形成在半导体层中的第一电极、形成在半导体层中的第二电极、形成在第一电极与第二电极之间的沟道以及由第一栅极导体形成以与沟道叠置的栅电极。叠置层与驱动晶体管的沟道叠置，并延伸到第一电极以与第一电极的至少一部分叠置，第二栅极导体包括存储线，驱动电压通过由数据导体形成的驱动电压线被施加到存储线，并且叠置层接收恒定电压。

2、栅极绝缘层可位于栅电极与存储线之间，并且栅电极和存储线可构成存储电容器，存储电容器保持施加到栅电极的电压。

3、缓冲层可位于叠置层与半导体层之间，并且叠置层和驱动晶体管的半导体层可构成附加存储电容器。

4、叠置层可包括与驱动晶体管的沟道叠置的基体部，并且基体部和驱动晶体管的沟道可构成第一附加存储电容器。

5、叠置层可包括与驱动晶体管的第一电极叠置的第一延伸部，并且第一延伸部和半导体层的第一电极可构成第二附加存储电容器。

6、叠置层延伸使得在平面图中叠置层的左侧可与包括驱动晶体管的第一电极的半导体层的左侧一致。

7、当栅电极的左侧与叠置层的左侧之间的距离被称为第一距离，并且栅电极的右侧与叠置层的右侧之间的距离被称为第二距离时，第一距离在1.0μm至4.0μm的范围内。

8、当叠置层形成为与驱动晶体管的第一电极叠置时，瞬时余像的减少范围可以是当叠置层不与驱动晶体管的第一电极叠置时的瞬时余像的减少范围的5倍。

9、与当叠置层不与驱动晶体管的第一电极叠置时相比，当叠置层形成为与驱动晶体管的第一电极叠置时，瞬时余像可减少3秒或更多。

10、叠置层和设置在与叠置层相邻的像素处的叠置层之间的距离在2.0μm至2.5μm的范围内。

11、有机发光二极管显示器还可包括第二晶体管和第三晶体管，第二晶体管可连接到扫描线和数据线，以将通过数据线传输的数据电压传输到驱动晶体管的第一电极，第三晶体管可连接到驱动晶体管的栅电极和第二电极，以将数据电压传输到存储电容器，并且叠置层还可包括与第三晶体管的半导体层叠置的第二延伸部。

12、叠置层的第二延伸部和第三晶体管的半导体层可构成第三附加存储电容器。

13、叠置层可与驱动晶体管的第二电极的至少一部分叠置，并且叠置层和半导体层的第二电极的至少一部分可构成第四附加存储电容器。

14、示例性实施例提供一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底；叠置层，位于基底上；半导体层，位于叠置层上；栅电极，位于半导体层上；存储线，位于栅电极上；驱动电压线，位于存储线上；驱动晶体管，位于叠置层上；第三晶体管，位于叠置层上；以及有机发光二极管，与驱动晶体管连接。驱动晶体管包括形成在半导体层中的第一电极、形成在半导体层中的第二电极、设置在第一电极与第二电极之间的沟道以及栅电极。第三晶体管连接到驱动晶体管的栅电极和第二电极。叠置层与驱动晶体管的沟道叠置并延伸到第一电极的区域以与第一电极的至少一部分叠置，驱动电压通过驱动电压线被施加到存储线。恒定电压被施加到叠置层。

15、叠置层可包括基体部和第一延伸部，基体部与驱动晶体管的沟道叠置，第一延伸部与驱动晶体管的第一电极叠置，基体部和驱动晶体管的沟道可构成第一附加存储电容器，而第一延伸部和半导体层的第一电极可构成第二附加存储电容器。

16、缓冲层可位于叠置层与半导体层之间，并且叠置层的第二延伸部和第三晶体管的半导体层可构成第三附加存储电容器。

17、有机发光二极管显示器还可包括第二晶体管，第二晶体管可连接到驱动晶体管的第一电极，并且叠置层可延伸使得叠置层的左侧与包括第二晶体管和驱动晶体管的第一电极的半导体层的左侧一致。

18、当栅电极的左侧与叠置层的左侧之间的距离被称为第一距离，并且栅电极的右侧与叠置层的右侧之间的距离被称为第二距离时，第一距离在1.0μm至4.0μm的范围内。

19、叠置层和设置在与叠置层相邻的像素处的叠置层之间的距离在2.0μm至2.5μm的范围内。

20、当叠置层形成为与驱动晶体管的第一电极叠置时，瞬时余像的减少范围可以是当叠置层不与驱动晶体管的第一电极叠置时的瞬时余像的减少范围的5倍。

技术特征：

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，

13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层与另一像素的叠置层之间的距离在2.0μm至2.5μm的范围内，所述另一像素的所述叠置层设置为与所述叠置层相邻。

14.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，

15.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，

16.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述驱动晶体管包括由设置在所述第一栅极导体与所述数据导体之间的第二栅极导体形成的第二栅电极。

17.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述叠置层不与整个所述半导体层叠置。

18.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述数据导体的至少一部分直接位于所述第一栅电极上。

19.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述数据导体的至少一部分与所述第一栅电极叠置。

技术总结公开了一种有机发光二极管显示器。所述有机发光二极管显示器包括：基底；叠置层，位于基底上；半导体层，位于叠置层上；第一栅极导体，位于半导体层上；第二栅极导体，位于第一栅极导体上；数据导体，位于第二栅极导体上；驱动晶体管，位于叠置层上；以及有机发光二极管，与驱动晶体管连接。驱动晶体管在半导体层中包括第一电极、第二电极并且沟道位于第一电极与第二电极之间。第一栅极导体的栅电极与沟道叠置。叠置层与驱动晶体管的沟道和第一电极的至少一部分叠置。第二栅极导体的存储线通过数据导体中的驱动电压线接收驱动电压。叠置层接收恒定电压。技术研发人员：裵俊佑,姜美在,阮成进,李京垣,李镕守,李在燮,曹奎哲,车明根受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/20