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一种玻璃镀膜工艺方法与流程

  • 国知局
  • 2024-08-30 14:48:46

本发明涉及一种玻璃镀膜工艺方法,属于玻璃镀膜。

背景技术:

1、玻璃镀膜方法是一种通过在玻璃表面形成一层均匀、致密的薄膜来改变玻璃性能的方法,能够提高玻璃的光学性能。一般使用浮法玻璃在线镀膜技术,将一种或几种气体化合物喷到热的玻璃表面,在玻璃表面形成一层薄膜的玻璃镀膜方法,但是控制工艺等要求具有很大的难度,某些工艺参数波动,可能导致膜层的质量不稳定,影响膜层的均匀性和色差等,提高了生产成本。

技术实现思路

1、至少针对上述现有技术存在的一个问题,本发明提供一种玻璃镀膜工艺方法,从镀膜原料的体积配比、基体玻璃的拉引速度等方面研究,解决膜层厚度的均匀性和色差等问题,提高经济效益。

2、为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:一种玻璃镀膜工艺方法,包括以下步骤:

3、(1)在浮法玻璃生产锡槽内,将所需的料液拉薄成型制得所需厚度的玻璃基体,成型的玻璃基体在锡槽内以625~640℃进入锡槽中的膜层镀制工序;

4、(2)在膜层镀制工序:以硅烷、乙烯、氮气原料,按照硅烷、乙烯、氮气体积比为(6.5~9):1:(9.5~13)通入混合器内均匀混合形成反应气体,玻璃基体以210~350m/h的拉引速度进行移动,反应气体经喷头向玻璃基体上喷射并在镀膜反应器内进行膜层镀制;

5、(3)膜层镀制完成后,经退火工序形成所需玻璃。

6、优选地,硅烷、乙烯、氮气按照体积比(7.5~8.5):1:(11.2~13)混合。

7、优选地,反应气体的流量为2~3l/h,优选2.2~2.8l/h。

8、优选地,玻璃基体的拉引速度随着玻璃基体的厚度增加而减小。

9、优选地,玻璃基体的厚度为4~10mm。

10、优选地,多个喷头沿垂直于拉引速度的方向依次排列布置,且相邻两个喷头喷射在玻璃基体上的反应气体相互交叉。

11、优选地,每个喷头与玻璃基体之间的距离为0.5~5mm。

12、优选地,对同一玻璃基体膜层镀制时,所有喷头与玻璃基体之间的距离相等。

13、优选地,膜层的厚度随着喷头与玻璃基体之间的距离的减小而增大。

14、优选地,玻璃基体的温度不大于镀膜反应器的温度。

15、优选地,镀膜反应器的温度控制在640~665℃。

16、本发明的有益效果:本发明玻璃镀膜工艺方法以调控镀膜原料的体积配比和基体玻璃的拉引速度为主,并以调控以混合的反应气体流量、反应气体与玻璃基板喷射距离、玻璃基体温度为辅,提高膜层镀制的均匀性,避免色差,质量优异;本发明玻璃镀膜工艺方法的工艺参数调控难低并且可控,能够降低工艺等调控的难度和精度,解决因工艺参数波动而造成膜层的质量不稳定的问题;另外,本发明玻璃镀膜工艺方法,使镀膜玻璃的厚度均匀、膜层无泡点、无皱点等,提高产品的合格率,降低了生产成本,增加经济效益。

技术特征:

1.一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,所述硅烷、乙烯、氮气按照体积比(7.5~8.5):1:(11.2~13)混合。

3.根据权利要求1所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,所述反应气体的流量为2~3l/h。

4.根据权利要求1或3所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,述反应气体的流量为2.2~2.8l/h。

5.根据权利要求1所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,所述玻璃基体的厚度为4~10mm。

6.根据权利要求1所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,所述玻璃基体的拉引速度随着玻璃基体的厚度增加而减小。

7.根据权利要求1所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,所述喷头与玻璃基体之间的距离为0.5~5mm。

8.根据权利要求1或7所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,多个喷头沿垂直于拉引速度的方向依次排列布置,且相邻两个喷头喷射在玻璃基体上的反应气体相互交叉;对同一玻璃基体膜层镀制时,所有喷头与玻璃基体之间的距离相等。

9.根据权利要求1所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,所述玻璃基体的温度不大于镀膜反应器的温度。

10.根据权利要求1或9所述的一种玻璃镀膜工艺方法,其特征在于,所述镀膜反应器的温度控制在640~665℃。

技术总结本发明公开了一种玻璃镀膜工艺方法,属于玻璃镀膜技术领域,包括以下步骤在浮法玻璃生产锡槽内,将所需的料液拉薄成型制得所需厚度的玻璃基体,后进入锡槽中的膜层镀制工序;在膜层镀制工序:按照硅烷、乙烯、氮气体积比为(6.5~9):1:(9.5~13)通入混合器内均匀混合形成反应气体,拉引玻璃基体移动,反应气体经喷头向玻璃基体上喷射并在镀膜反应器内进行膜层镀制。本发明解决膜层厚度的均匀性和色差等问题,提高经济效益。技术研发人员:刘志刚,孙希亭,吕思稳,王涛,朱志兵,尹静婷受保护的技术使用者:蚌埠凯盛玻璃有限公司技术研发日:技术公布日:2024/8/27

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