脱胶控制方法、介质、装置及线切割机与流程

本发明涉及线切割，具体涉及一种脱胶控制方法、介质、装置及线切割机。

背景技术：

1、线切割是一种通过切割线的高速往复运动，并与待切割件(比如光伏硅棒、半导体、碳化硅、蓝宝石或磁材等材料)相对移动，以实现切割线将待切割件切割的一种加工方法。

2、以金刚线切割为例，切割过程中，待切割件粘接在晶托上，晶托安装在进给装置上，进给装置带动待切割件沿靠近切割线的方向做进给运动，待切割线将待切割件完全切透后，进给装置带动待切割件退刀至初始位置，然后将晶托卸下并运送至脱胶装置进行脱胶操作，使切片与晶托分离，脱胶后再重新执行上述上下料操作，进行下一次切割。当前的这种切割方式由于多次的上下料和脱胶操作，严重影响切割效率。

3、相应地，本领域需要一种新的技术方案来解决上述问题。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中的上述至少一个问题，即为了解决现有的线切割机存在的切割效率低的问题，本技术第一方面，提供了一种脱胶控制方法，应用于线切割机，所述线切割机包括切割框架和安装在所述切割框架上的主辊组件、进给装置、脱胶装置和收集装置，切割线绕设于所述主辊组件上形成线网，所述进给装置上能够安装晶棒组件，所述晶棒组件包括多根沿进给方向粘接在一起的晶棒，所述进给装置用于带动所述晶棒组件向所述线网进给，

2、所述脱胶控制方法包括：

3、切割过程中，获取切割过程信息；

4、根据所述切割过程信息，判断头部晶棒是否切割完成；

5、当所述头部晶棒切割完成后，控制所述脱胶装置对所述头部晶棒进行脱胶操作，以使得切割完成的晶片收集于所述收集装置中；

6、其中，所述头部晶棒为所述晶棒组件中最先被切割的晶棒。

7、本技术的技术方案，相比于现有技术，提供了一种全新的技术思路，可以实现晶棒的连续切割，并且在切割过程中即可实现脱胶装置对切割完成的晶棒的不停机脱胶和收集，有利于大幅提升线切割机的切割效率，减少上下料和单独脱胶次数。该方案更加合理地利用线切割机现有切割空间，把晶棒切割功能和晶片处理功能相整合，将现在工厂晶片脱胶的工序优化整合到了前端的线切割机上，减少了工厂端的晶片脱胶工序，提高了硅片周转效率和自动化集成度。此外，本方案通过对脱胶工序和切割工序的整合，还可以减少人工数量和相关设备场地的搭建，降低生产成本和场地成本，提高生产过程安全性。

8、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述切割框架上设有检测装置，所述的获取切割过程信息的步骤进一步包括：

9、通过所述检测装置获取所述切割过程信息。

10、通过采用检测装置获取切割过程信息，可以判断准确性，进而提高控制精度。

11、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述检测装置为视觉识别装置，所述的通过所述检测装置获取所述切割过程信息的步骤进一步包括：

12、通过所述视觉识别装置获取切割过程图像；

13、所述的根据所述切割过程信息，判断头部晶棒是否切割完成的步骤进一步包括：

14、根据所述切割过程图像，判断所述头部晶棒是否切割完成。

15、检测装置通过采用视觉识别装置，有利于提高判断精度。

16、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述的根据所述切割过程图像，判断所述头部晶棒是否切割完成的步骤进一步包括：

17、根据所述切割过程图像，判断所述线网沿进给方向的最低点是否高于所述头部晶棒的最高点；

18、如果是，则判定所述头部晶棒切割完成；否则，判定所述头部晶棒未切割完成；或者

19、根据所述切割过程图像，判断所述头部晶棒沿进给方向的最高点的坐标值是否小于等于第一预设坐标值；

20、如果是，则判定所述头部晶棒切割完成；否则，判定所述头部晶棒未切割完成。

21、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述切割过程信息为切割持续时长，所述的根据所述切割过程信息，判断头部晶棒是否切割完成的步骤进一步包括：

22、根据所述切割持续时长，判断所述切割持续时长是否大于等于预设切割时长阈值；

23、如果是，则判定所述头部晶棒切割完成；否则，判定所述头部晶棒未切割完成。

24、通过采用切割持续时长来判断头部晶棒是否切割完成，实现简单、成本低。

25、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述切割过程信息为所述进给装置的驱动电机的转动角度，所述的根据所述切割过程信息，判断头部晶棒是否切割完成的步骤进一步包括：

26、根据所述转动角度，判断所述转动角度是否大于等于预设角度阈值；

27、如果是，则判定所述头部晶棒切割完成；否则，判定所述头部晶棒未切割完成。

28、通过采用转动角度来判断头部晶棒是否切割完成，有利于平衡控制精度和成本。

29、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述脱胶装置为激光发生器，所述的控制所述脱胶装置对所述头部晶棒进行脱胶操作的步骤进一步包括：

30、控制所述激光发生器向与所述头部晶棒粘接的胶层发射激光。

31、采用激光发生器进行脱胶，可以利用激光的空化空蚀效应破坏胶层的化学键，使得胶层内部空化，产生微小孔洞，实现胶层与晶片之间的快速脱落。

32、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述激光发生器沿所述晶棒的长度方向可移动地设置于所述切割框架，所述脱胶控制方法还包括：

33、在控制所述激光发生器向与所述头部晶棒粘接的胶层发射激光的同时，控制所述激光发生器沿所述晶棒的长度方向移动。

34、通过在脱胶操作同时控制激光发生器沿晶棒长度方向移动，有利于提升脱胶效率，提高脱胶效果。

35、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述激光发生器发出的激光的波长为150～1064nm中的任意值；并且/或者

36、所述激光发生器发出的激光的脉宽小于等于50ns；并且/或者

37、所述激光发生器发的输出功率为1～10mw中的任意值；并且/或者

38、所述激光发生器发出的激光为连续输出且脉冲重复频率为1～500khz中的任意值。

39、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述切割框架上还设置有校验装置，所述脱胶控制方法还包括：

40、控制所述脱胶装置对所述头部晶棒进行脱胶操作之后，通过所述校验装置获取脱胶结果信息；

41、根据所述脱胶结果信息，判断是否脱胶完成；

42、如果是，则输出脱胶完成信息或停止所述脱胶操作；

43、否则，输出报警信息或继续对所述头部晶棒进行脱胶操作。

44、通过设置校验装置，可以实现对脱胶效果的校验，确定是否所有晶片均脱胶完成，并在未完成时继续脱胶，有利于提高脱胶效果，确保所有晶片顺利脱胶。

45、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述校验装置为视觉识别装置，所述的通过所述校验装置获取脱胶结果信息的步骤进一步包括：

46、通过所述视觉识别装置获取脱胶结果图像；

47、所述的根据所述脱胶结果信息，判断是否脱胶完成的步骤进一步包括：

48、根据所述脱胶结果图像，判断是否脱胶完成。

49、校验装置采用视觉识别装置，可以提高脱胶校验的准确性。

50、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述的根据所述脱胶结果图像，判断是否脱胶完成的步骤进一步包括：

51、根据所述脱胶结果图像，判断胶层与所述头部晶棒之间的距离是否大于等于预设距离阈值；

52、如果是，则判定脱胶完成；否则，判定脱胶未完成；或者

53、根据所述脱胶结果图像，判断所有晶片沿进给方向的最高点的坐标值是否小于等于第二预设坐标值；

54、如果是，则判定脱胶完成；否则，判定脱胶未完成。

55、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述校验装置为激光传感器，所述的通过所述校验装置获取脱胶结果信息的步骤进一步包括：

56、通过所述激光传感器获取测距长度；

57、所述的根据所述脱胶结果信息，判断是否脱胶完成的步骤进一步包括：

58、判断所述测距长度是否大于等于预设长度阈值；

59、如果是，则判定脱胶完成；否则，判定脱胶未完成。

60、校验装置采用激光传感器，可以提高判断速度，进而提高脱胶效率。

61、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述脱胶控制方法还包括：

62、在脱胶未完成时，通过所述校验装置确定未脱胶位置；

63、对所述未脱胶位置进行脱胶操作。

64、通过对未脱胶位置进行脱胶操作，可以有针对性地进行脱胶，提高脱胶效率，降低能耗。

65、在上述脱胶控制方法的优选技术方案中，所述切割框架上还设置有出入口，所述脱胶控制方法还包括：

66、在脱胶操作完成后，将所述收集装置由所述出入口移出。

67、本技术第二方面，提供一种计算机可读存储介质，其存储有多条程序代码，所述程序代码适于由处理器加载并运行以执行第一方面中任一项所述的脱胶控制方法。

68、本技术第三方面，提供了一种控制装置，包括：

69、处理器；

70、存储器，所述存储器适于存储多条程序代码，所述程序代码适于由所述处理器加载并运行以执行第一方面中任一项所述的脱胶控制方法。

71、本技术第四方面，提供了一种线切割机，所述线切割机包括第三方面所述的控制装置。