封装装置及其形成方法与流程

本公开实施例涉及一种半导体封装装置及其形成方法。

背景技术：

1、由于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体产业经历了快速成长。在大多数情况下，集成密度的提高源自于最小特征尺寸的叠代减小，这允许将更多元件整合到给定区域中。随着对缩小的电子装置的需求的增长，出现了对更小和更有创意的半导体晶粒封装技术的需求。

技术实现思路

1、本公开一些实施例提供一种形成封装装置的方法，包括：附接装置晶粒到基板；形成第一介电层在装置晶粒的外边缘与基板的外边缘之间的基板上；形成第二介电层在装置晶粒与第一介电层之间的基板上；平坦化第二介电层，以使第二介电层的上表面与装置晶粒的上表面齐平；以及沉积介电结合层在第二介电层的上表面和装置晶粒的上表面上。

2、本公开一些实施例提供一种形成封装装置的方法，包括：沉积第一介电材料在第一集成电路装置之上，第一集成电路装置附接到第一晶圆的上表面，第一介电材料延伸到第一晶圆的边缘；在不使用单独的光阻剂材料的情况下直接图案化第一介电材料，以去除在第一集成电路装置之上和横向围绕第一集成电路装置的第一介电材料的部分，第一介电材料的第二部分保留在第一晶圆的边缘区域中；沉积第二介电材料在第一集成电路装置和第一介电材料之上；以及平坦化第二介电材料，以使第一集成电路装置的上表面与第二介电材料的上表面齐平。

3、本公开一些实施例提供一种封装装置，包括：第一封装基板；第二封装基板；以及装置层，介于第一封装基板与该第二封装基板之间，装置层包括：装置晶粒；第一介电结构，设置在装置层的第一边缘；第二介电结构，横向围绕装置晶粒，并具有与第一介电结构的第一界面；以及第一介电结合层，在第二介电结构之上延伸。封装装置还包括第二介电结合层，在一表面处附接到第二封装基板且在一相对表面处附接到第一介电结合层。

技术特征：

1.一种形成封装装置的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中该基板是一第一基板，且该方法还包括：

3.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一介电层包括：

4.如权利要求3所述的方法，其中在固化该光敏介电材料之后，该第一介电层的一上表面低于该装置晶粒的一上表面，其中形成该第二介电层还包括形成该第二介电层在该第一介电层上。

5.如权利要求1所述的方法，其中沉积该介电结合层还包括直接沉积该介电结合层在该第一介电层的该上表面上。

6.一种形成封装装置的方法，该方法包括：

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

8.如权利要求6所述的方法，还包括：

9.如权利要求6所述的方法，其中在平坦化该第二介电材料之后，一部分的该第二介电材料保持设置在该第一介电材料之上。

10.一种封装装置，包括：

技术总结本申请涉及封装装置及其形成方法。一种工艺包括在第一工件和设置在其上的装置之上沉积边缘填充电介质。边缘填充电介质被图案化，使得仅边缘部分保留下来。在第一工件、装置和边缘填充电介质之上形成第二介电材料。平坦化工艺使第二介电材料与装置齐平。在其上形成结合层，并通过电介质与电介质键结将第二工件结合到其上。技术研发人员：杨素纯,蔡睿轩,张巧君,黄楚荃,涂纪诚,刘重希受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/9