曲面荧光陶瓷光源及其封装方法与流程

本申请涉及光源封装领域，具体而言，涉及一种曲面荧光陶瓷光源及其封装方法。

背景技术：

1、传统的cob(chip-on-board)光源封装工艺，需要对cob芯片采用树脂类封装材料进行封装后，再额外增加光源外罩。这种传统的cob(chip-on-board)光源存在易老化，封装成本高，使用寿命短的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供一种曲面荧光陶瓷光源及其封装方法。

2、第一方面，本申请提供一种曲面荧光陶瓷光源，包括：

3、基板；

4、蓝光芯片，蓝光芯片固定在基板上；以及

5、荧光陶瓷；荧光陶瓷设置在蓝光芯片上方，荧光陶瓷连接于基板；蓝光芯片用于激发荧光陶瓷发出白光；

6、荧光陶瓷包括曲面结构；荧光陶瓷用于对白光进行汇聚。

7、上述技术方案中，使用荧光陶瓷来制备光源的发光体，该设计不仅将发光体与聚光体设计于一体，避免了额外增加光源外罩，使得光源的结构简单化，同时这种光源还具有光源表面耐磨损、抗划伤、便于清洁的优点，对于恶劣的工业场景具有大的应用前景。

8、本申请得到的曲面荧光陶瓷光源，耐磨损、折射率高，该设计工艺不仅满足荧光体发光的功能性，同时兼具保护光源芯片和聚焦光束作用，尤其是曲面荧光陶瓷，具有高的折射率可以更好的聚光且散射低。相对于传统的芯片封装技术，具有光源耐老化、表面抗划伤、荧光体和聚光一体化的特点，提高了光源的使用寿命，并且可以降低封装成本，便于工业化生产。

9、在本申请的其他实施例中，上述的荧光陶瓷包括透镜部和连接部；

10、连接部设置在透镜部的周向，透镜部罩设于蓝光芯片的上方，连接部贴合连接于基板。

11、在本申请的其他实施例中，透镜部包括：一个凸透镜或者多个凸透镜形成的透镜组。

12、在本申请的其他实施例中，曲面荧光陶瓷光源包括：密封垫片，密封垫片设置于荧光陶瓷的透镜部与基板之间，用于密封透镜部和基板。

13、在本申请的其他实施例中，连接部包括连接耳，连接耳设置在透镜部相对的两侧；基板上设置有第一安装孔；连接耳设置有第二安装孔，通过连接件连接于第一安装孔和第二安装孔，使连接部连接于基板。

14、在本申请的其他实施例中，蓝光芯片的光波长为420nm-470nm。

15、在本申请的其他实施例中，蓝光芯片包括多个，多个蓝光芯片串联；或者

16、蓝光芯片包括至少两组；任意两组蓝光芯片并联；每组蓝光芯片内，多个蓝光芯片串联。

17、在本申请的其他实施例中，基板包括：金属铝基板、氧化铝陶瓷基板或者氮化铝陶瓷基板中的任意一种。

18、在本申请的其他实施例中，荧光陶瓷包括：透明yag荧光陶瓷、透明氧化钇荧光陶瓷或者透明尖晶石荧光陶瓷中的任意一种。

19、第二方面，本申请提供一种曲面荧光陶瓷光源的封装方法，包括：

20、在基板的表面粘贴蓝光芯片；

21、将蓝光芯片的引脚与基板连接；

22、将引脚与外部电路进行连接；

23、将荧光陶瓷固定在蓝光芯片的上方，并将荧光陶瓷与基板连接；

24、其中，蓝光芯片用于激发荧光陶瓷发出白光；

25、荧光陶瓷包括曲面结构；荧光陶瓷用于对白光进行汇聚。

26、上述技术方案中，该封装方法，可以有效地将实现光源封装，避免了使用树脂类封装材料，具有光源耐老化、表面抗划伤、荧光体和聚光一体化的特点，可以提高光源的使用寿命且可以降低封装成本，便于工业化生产。

技术特征：

1.一种曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

6.根据权利要求1-5任一项所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

8.根据权利要求1-5任一项所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

9.根据权利要求1-5任一项所述的曲面荧光陶瓷光源，其特征在于，

10.权利要求1-9任一项所述的曲面荧光陶瓷光源的封装方法，其特征在于，包括：

技术总结本申请涉及光源封装领域，涉及一种曲面荧光陶瓷光源及其封装方法。光源包括基板、蓝光芯片、荧光陶瓷。蓝光芯片固定在基板上；荧光陶瓷设置在蓝光芯片上方，荧光陶瓷连接于基板；蓝光芯片用于激发荧光陶瓷发出白光；荧光陶瓷包括曲面结构；荧光陶瓷用于对白光进行汇聚。使用荧光陶瓷来制备光源的发光体，该设计不仅将发光体与聚光体设计于一体，避免了额外增加光源外罩，使得光源的结构简单化，同时这种光源还具有光源表面耐磨损、抗划伤、折射率高、便于清洁的优点，对于恶劣的工业场景具有大的应用前景。封装方法不仅满足荧光体发光的功能性，同时兼具保护光源芯片和聚焦光束作用，尤其是曲面荧光陶瓷，具有高的折射率可以更好的聚光且散射低。技术研发人员：左传东,黄国河,左传歌,刘亮,秦成兵,曹智泉受保护的技术使用者：中科皓烨（东莞）材料科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2