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具有改进式驱动器操作的存储器装置及操作所述存储器装置的方法与流程

  • 国知局
  • 2024-09-11 14:24:05

本公开大体上涉及存储器装置且更明确来说,涉及包括包含p型及n型晶体管的双晶体管驱动器的存储器装置及其方法。

背景技术:

1、存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中,例如计算机、智能电话、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。举例来说,二进制装置具有两个状态,其通常通过逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中,可存储多于两个状态。为存取所存储的信息,电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为存储信息,电子装置的组件可将状态写入或编程于存储器装置中。

2、存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等等。存储器装置可为易失性或非易失性。非易失性存储器(例如,feram)可甚至在不存在外部电源的情况下维持其存储逻辑状态达延长时段。易失性存储器单元可随时间丢失其存储状态,除非其通过外部电源周期性刷新。

3、在最先进存储器装置中,成本降低、功率消耗降低以及装置性能越来越重要。然而,按比例缩放技术(例如,采用具有较小特征大小的制造技术)增加相当大的处理成本。一些技术(例如三维(3d)技术)利用芯片的垂直尺寸以形成存储器单元以便改进存储器容量与空间之间的比率。发现尤其具有降低功率消耗的更具成本效率及更高性能解决方案是非常需要的,尤其对于阵列相关电路(例如存取线驱动器)。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面,提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括:存储器单元,其在存储器阵列的存取线的交叉点处;及双晶体管驱动器,其包括p型晶体管及连接到所述p型晶体管的n型晶体管,所述双晶体管驱动器经配置以:在脉冲阶段期间,当所述存取线中的第一存取线是寻址存取线时,通过所述双晶体管驱动器将所述存取线中的所述第一存取线驱动到读取/编程电压;及在所述脉冲阶段期间,当所述存取线中的所述第一存取线是无寻址存取线且与所述存取线中的所述第一存取线物理相邻的所述存取线中的第二存取线是寻址存取线时,通过所述双晶体管驱动器将所述存取线中的所述第一存取线驱动到屏蔽电压。

2、根据本公开的另一方面,提供了一种操作存储器装置的方法。所述方法包括:在脉冲阶段期间,通过双晶体管驱动器将与存储单元耦合的存取线驱动到第一读取/编程电压或第二读取/编程电压,所述双晶体管驱动器包括p型晶体管和连接到所述p型晶体管的n型晶体管。

3、根据本公开的又一方面,提供了一种系统。所述系统包括存储器阵列及控制器,所述控制器经配置以:在脉冲阶段,通过第一双晶体管驱动器将第一存取线驱动到读取/编程电压,且通过第二双晶体管驱动器将与第一存取线物理相邻的第二存取线驱动到屏蔽电压。

技术特征:

1.一种存储器装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其包括第二双晶体管驱动器,所述第二双晶体管驱动器包括p型晶体管及连接到所述p型晶体管的n型晶体管,所述双晶体管驱动器经配置以:

3.根据权利要求1所述的存储器装置,所述双晶体管驱动器经配置以:

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述双晶体管驱动器经配置以使得:

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中:

7.根据权利要求5所述的存储器装置,其中:

8.根据权利要求5所述的存储器装置,其包括:

9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中:

10.根据权利要求8所述的存储器装置,其包括控制器,所述控制器经配置以通过选择多个群组中的特定群组而从所述作用阶段切换到所述脉冲阶段,其中选择所述特定群组包括将所述特定群组的栅极驱动到放电电压,剩余群组处于所述作用阶段。

11.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述放电电压及所述屏蔽电压是接地电压,且其中所述第一读取/编程电压是正电压且所述第二读取/编程电压是具有与所述第一读取/编程电压相同的量值的负电压。

12.一种操作存储器装置的方法,所述方法包括:

13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:

14.根据权利要求13所述的方法,其包括:

15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括在所述偶数存取线的所述脉冲阶段期间,通过耦合到另一条存取线的相应双晶体管驱动器将与所述偶数存取线相邻的另一条存取线驱动到所述屏蔽电压。

16.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:

17.根据权利要求16所述的方法,其中基于所述执行而将所述存储器部分返回到所述作用阶段包括在将所述偶数存取线驱动到所述读取/编程电压之后将所述偶数存取线驱动到所述放电电压。

18.根据权利要求16所述的方法,其中将所述存储器部分从所述闲置阶段转变到所述作用阶段进一步包括复位所述读取/编程计数器和/或所述时间计数器。

19.一种系统,其包括存储器阵列及控制器,所述控制器经配置以:

20.根据权利要求19所述的系统,其中所述第一存取线包括偶数存取线且第二存取线包括奇数存取线。

技术总结本公开涉及具有改进式驱动器操作的存储器装置及操作所述存储器装置的方法,其描述一种存储器装置,其包括:存储器单元,其在存储器阵列的存取线的交叉点处;及双晶体管驱动器,其包括P型晶体管及连接到所述P型晶体管的N型晶体管,所述双晶体管驱动器经配置以在闲置阶段期间将所述存储器阵列的存取线驱动到放电电压,在作用阶段期间将所述存取线驱动到浮动电压,且在脉冲阶段期间将所述存取线至少驱动到第一或第二读取/编程电压。技术研发人员:F·贝代斯基受保护的技术使用者:美光科技公司技术研发日:技术公布日:2024/9/9

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