基于存储器系统的温度调整编程操作的参数的制作方法
- 国知局
- 2024-09-11 14:19:14
本公开的实施例大体上涉及存储器系统,且更具体来说,涉及基于存储器系统的温度调整编程操作的参数。
背景技术:
1、存储器系统可为存储系统,例如固态驱动器(ssd),并且可包含存储数据的一或多个存储器组件。举例来说,存储器系统可包含例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置的存储器装置。存储器系统可另外包含可管理存储器装置中的每一个并且分配将存储于存储器装置处的数据的控制器。主机系统可利用存储器系统并且向存储器系统请求数据。控制器可用以从对应存储器装置检索数据并且将检索到的数据返回到主机系统。
技术实现思路
1、一方面,本申请提供一种方法,其包括:通过处理装置识别与多个存储器装置中的存储器装置相关的温度;确定与所述存储器装置相关的所述温度是否满足阈值温度条件;响应于检测到与所述存储器装置相关的所述温度满足所述阈值温度条件,从数据结构中的多个条目中识别与所述存储器装置相关联的条目,其中所述多个条目中的每个条目对应于所述多个存储器装置中的一者;从所述数据结构中的所识别条目确定与所述存储器装置相关联的参数值,其中所述参数值用于将调整施加到编程操作以将数据存储在所述存储器装置处;使用所述参数值将所述编程操作的编程步长从第一值更新为第二值,其中所述编程步长指示施加于所述存储器装置处以将数据存储于所述存储器装置处的电压的增加;以及在使用所述编程操作的所述编程步长的所述第二值的后续编程操作期间将数据存储在所述存储器装置处。
2、另一方面,本申请提供一种系统,其包括:多个存储器装置;和处理装置,其以操作方式与所述多个存储器装置耦合以执行操作,所述操作包括:识别与所述多个存储器装置中的存储器装置相关的温度;确定与所述存储器装置相关的所述温度是否满足阈值温度条件;响应于检测到与所述存储器装置相关的所述温度满足所述阈值温度条件,从数据结构中的多个条目中识别与所述存储器装置相关联的条目,其中所述多个条目中的每个条目对应于所述多个存储器装置中的一者;从所述数据结构中的所识别条目确定与所述存储器装置相关联的参数值,其中所述参数值用于将调整施加到编程操作以将数据存储在所述存储器装置处;使用所述参数值将所述编程操作的编程步长从第一值更新为第二值,其中所述编程步长指示施加于所述存储器装置处以将数据存储于所述存储器装置处的电压的增加;以及在使用所述编程操作的所述编程步长的所述第二值的后续编程操作期间将数据存储在所述存储器装置处。
3、又一方面,本申请提供一种存储指令的非暂时性计算机可读存储媒体,所述指令当由处理装置执行时,致使所述处理装置执行操作,所述操作包括:识别与多个存储器装置中的存储器装置相关的温度;确定与所述存储器装置相关的所述温度是否满足阈值温度条件;响应于检测到与所述存储器装置相关的所述温度满足所述阈值温度条件,从数据结构中的多个条目中识别与所述存储器装置相关联的条目,其中所述多个条目中的每个条目对应于所述多个存储器装置中的一者;从所述数据结构中的所识别条目确定与所述存储器装置相关联的参数值,其中所述参数值用于将调整施加到编程操作以将数据存储在所述存储器装置处;使用所述参数值将所述编程操作的编程步长从第一值更新为第二值,其中所述编程步长指示施加于所述存储器装置处以将数据存储于所述存储器装置处的电压的增加;以及在使用所述编程操作的所述编程步长的所述第二值的后续编程操作期间将数据存储在所述存储器装置处。
技术特征:1.一种方法,其包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其中更新所述编程步长进一步包括将所述编程操作的第一编程脉冲的第一电压调整为第二编程脉冲的第二电压。
3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述数据结构包括用于存储与所述多个存储器装置相关的数据的表。
7.一种系统,其包括:
8.根据权利要求7所述的系统,其中更新所述编程步长进一步包括将所述编程操作的第一编程脉冲的第一电压调整为第二编程脉冲的第二电压。
9.根据权利要求7所述的系统,其中所述处理装置执行进一步操作,其包括:
10.根据权利要求7所述的系统,其中所述处理装置执行进一步操作,其包括:
11.根据权利要求7所述的系统,其中所述数据结构包括用于存储与所述多个存储器装置相关的数据的表。
12.一种存储指令的非暂时性计算机可读存储媒体,所述指令当由处理装置执行时,致使所述处理装置执行操作,所述操作包括:
13.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读存储媒体,其中所述处理装置执行进一步操作,其包括:
14.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读存储媒体,其中所述处理装置执行进一步操作,其包括:
15.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读存储媒体,其中所述处理装置执行进一步操作,其包括:
16.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读存储媒体,其中调整与所述存储器装置相关联的所述参数值进一步包括:
17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储媒体,其中更新所述编程步长进一步包括将所述编程操作的第一编程脉冲的第一电压调整为第二编程脉冲的第二电压。
18.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读存储媒体,其中所述存储器装置包括多个多层级单元mlc。
技术总结本申请涉及基于存储器系统的温度调整编程操作的参数。识别与存储器装置相关的温度。确定与所述存储器装置相关的所述温度是否满足阈值温度条件。响应于检测到与所述存储器装置相关的所述温度满足所述阈值温度条件,将用以将数据存储于所述存储器装置处的编程操作的参数从第一值调整到第二值。技术研发人员:M·N·凯纳克,S·K·瑞特南,Z·罗,N·P·G·拉奥,L·J·考德莱,V·P·拉亚普鲁,P·R·哈亚特,S·诺埃尔受保护的技术使用者:美光科技公司技术研发日:技术公布日:2024/9/9本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240911/290150.html
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。
下一篇
返回列表