半导体封装方法及半导体封装结构与流程

本发明涉及半导体制造，特别涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

背景技术：

1、微电子技术的迅猛发展，集成电路复杂度的增加，以及一个电子系统的大部分功能都可能集成在一个单芯片内（即片上系统），这就相应地要求微电子封装具有更高的性能、更多的引线、更密的内连线、更高的可靠性等。由此，更加先进的晶圆级芯片封装技术（wafer level chip scale packaging，wlcsp）和扇出封装技术（fan out）也应运而生。先进的封装技术能够得到小型化、高性能的产品结构。

2、但是，在封装功率器件，特别是高功率器件时，在焊盘位置容易发生开裂问题（crack），导致产品可靠性、良率较低。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体封装方法及半导体封装结构，以解决现有技术中封装结构在焊盘位置容易发生开裂的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：

3、提供基底结构；

4、在所述基底结构上形成焊盘，所述焊盘包括中间区域以及包围所述中间区域的边缘区域；

5、形成封装层，所述封装层覆盖所述焊盘；以及，

6、在所述封装层中形成开口，所述开口暴露出所述焊盘的中间区域，所述焊盘的边缘区域被所述封装层覆盖，覆盖在所述焊盘的边缘区域的所述封装层的表面与覆盖在所述焊盘外围区域的所述封装层的表面位于同一个平面内。

7、可选的，在所述的半导体封装方法中，在形成所述封装层之后，并且在所述封装层中形成所述开口之前，所述半导体封装方法还包括：对所述封装层执行平坦化工艺。

8、可选的，在所述的半导体封装方法中，对所述封装层执行所述平坦化工艺之前，所述封装层的厚度是所述焊盘的厚度的两倍以上。

9、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述封装层包括层叠的缓冲层和保护层。

10、可选的，在所述的半导体封装方法中，覆盖在所述焊盘的边缘区域的所述缓冲层的表面与覆盖在所述焊盘外围区域的所述缓冲层的表面位于同一个平面内，覆盖在所述缓冲层上的所述保护层的表面在一个平面内。

11、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述缓冲层的厚度是所述保护层的厚度的两倍以上。

12、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述缓冲层的材质为氧化物，所述保护层的材质为氮化物。

13、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述焊盘的厚度大于或等于4000 å。

14、可选的，在所述的半导体封装方法中，在平行于所述基底结构表面的截面上，所述焊盘的截面呈圆形或者椭圆形。

15、本发明还提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：

16、基底结构；

17、焊盘，所述焊盘位于所述基底结构上，所述焊盘包括中间区域以及包围所述中间区域的边缘区域；以及，

18、封装层，所述封装层位于所述再分布层上，所述封装层中具有开口，所述开口暴露出所述焊盘的中间区域，所述焊盘的边缘区域被所述封装层覆盖，覆盖在所述焊盘的边缘区域的所述封装层的表面与覆盖在所述焊盘外围区域的所述封装层的表面位于同一个平面内。

19、发明人研究发现，导致现有技术中封装结构在焊盘位置容易发生开裂的原因在于，再分布层在形成过程中由于工艺的升温和降温而容易产生形变，并造成整个器件结构的应力不均匀，发生了宏观弯折，从而导致了焊盘位置的应力要求苛刻，容易发生开裂问题。

20、基于上述研究发现，在本发明提供的半导体封装方法及半导体封装结构中，焊盘的边缘区域被封装层覆盖，并且覆盖在所述焊盘的边缘区域的所述封装层的表面与覆盖在所述焊盘外围区域的所述封装层的表面位于同一个平面内，从而能有效缓解焊盘边缘位置的应力问题，解决焊盘边缘位置容易发生开裂的问题，提高产品的可靠性和良率。

技术特征：

1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述封装层之后，并且在所述封装层中形成所述开口之前，所述半导体封装方法还包括：对所述封装层执行平坦化工艺。

3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，对所述封装层执行所述平坦化工艺之前，所述封装层的厚度是所述焊盘的厚度的两倍以上。

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述封装层包括层叠的缓冲层和保护层。

5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，覆盖在所述焊盘的边缘区域的所述缓冲层的表面与覆盖在所述焊盘外围区域的所述缓冲层的表面位于同一个平面内，覆盖在所述缓冲层上的所述保护层的表面在一个平面内。

6.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度是所述保护层的厚度的两倍以上。

7.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化物，所述保护层的材质为氮化物。

8.如权利要求1~7中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述焊盘的厚度大于或等于4000 å。

9.如权利要求1~7中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，在平行于所述基底结构表面的截面上，所述焊盘的截面呈圆形或者椭圆形。

10.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

技术总结本发明提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构，焊盘的边缘区域被封装层覆盖，并且覆盖在所述焊盘的边缘区域的所述封装层的表面与覆盖在所述焊盘外围区域的所述封装层的表面位于同一个平面内，从而能有效缓解焊盘边缘位置的应力问题，解决焊盘边缘位置容易发生开裂的问题，提高产品的可靠性和良率。技术研发人员：李佩,陆路,张鹏,叶国梁受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/9