半导体加工用粘合带的制作方法

本公开涉及一种半导体加工用粘合带。

背景技术：

1、于半导体的制造工序中，为了部件的固定、保护，例如使用切割带、背面研磨带等半导体加工用粘合带。

2、对于半导体加工用粘合带，要求可于加工工序中以充分的粘合力将部件固定，且可于加工工序后在不破损的情况下将部件容易地剥离。

3、作为此种半导体加工用粘合带，例如正在积极进行能量射线固化型粘合带的开发(例如专利文献1～3)。能量射线固化型粘合带可通过利用能量射线的照射使粘合层固化而使粘合力降低，因此能够兼具能量射线照射前的强粘合性、及能量射线照射后的易剥离性。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：国际公开第2015/133420号

7、专利文献2：日本特开2005-23188号公报

8、专利文献3：日本特开2014-154796号公报

技术实现思路

1、发明所欲解决的问题

2、由于半导体加工用粘合带于加工工序中贴合于被粘物，故半导体加工用粘合带与被粘物长时间接触。因此，有时由于半导体加工用粘合带中所含的成分转移至被粘物的表面等，而导致污染被粘物。若被粘物的表面被污染，则存在如下问题：于半导体的制造工序中的后续工序、例如布线工序、密封工序等中，会成为密接不良、剥离的要因，从而导致半导体的性能、可靠性降低。

3、本公开鉴于上述实情而完成，其主要目的在于提供一种低污染性的半导体加工用粘合带。

4、解决问题的手段

5、本公开的发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果获得下述见解。由半导体加工用粘合带所致的被粘物的污染导致被粘物的表面状态变化。本公开的发明人等对被粘物的表面状态的评价方法反复进行了深入研究，着眼于被粘物表面的颜色。进而，于半导体中，随着微细化及高速化，广泛使用铜布线，因此作为被粘物而着眼于铜箔。并且发现通过半导体加工用粘合带贴合前及剥离后的铜箔的被粘合面的色差δe*ab，可以评价作为被粘物的铜箔的表面状态的变化，进而上述色差δe*ab适宜于评价由半导体加工用粘合带所致的被粘物的污染。本公开即基于此种见解。

6、本公开的一个实施方式提供一种半导体加工用粘合带，其具有基材、及配置于上述基材的一个面的能量射线固化性的粘合层，且通过下述试验所求出的于l*a*b*表色系中的色差δe*ab为2.0以下。试验：依序具有下述工序(1)～(5)。(1)将上述半导体加工用粘合带的上述粘合层的面贴合于铜箔，而制作层叠体。(2)将上述层叠体于温度25℃±5℃、湿度40％rh以上且60％rh以下、遮蔽能量射线的环境下存放6天。(3)对上述层叠体的上述半导体加工用粘合带照射能量射线，而使上述粘合层固化。(4)自上述层叠体将上述半导体加工用粘合带剥离。(5)求出上述半导体加工用粘合带贴合前的上述铜箔的被粘合面、与上述半导体加工用粘合带剥离后的上述铜箔的被粘合面于l*a*b*表色系中的色差δe*ab。

7、发明效果

8、本公开中的半导体加工用粘合带发挥能够抑制被粘物的污染的效果。

技术特征：

1.一种半导体加工用粘合带，其具有基材、及配置于所述基材的一个面的能量射线固化性的粘合层，

2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合带，其能量射线照射前的对于sus板的粘合力为1n/25mm以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合带，其能量射线照射后的对于sus板的粘合力为2n/25mm以下。

技术总结于本公开中，提供一种半导体加工用粘合带，其具有基材、及配置于上述基材的一个面的能量射线固化性的粘合层，且通过下述试验所求出的于L*a*b*表色系中的色差ΔE*<subgt;ab</subgt;为2.0以下。试验：依序具有下述工序(1)～(5)。(1)将上述半导体加工用粘合带的上述粘合层的面贴合于铜箔，而制作层叠体。(2)将上述层叠体于温度25℃±5℃、湿度40％RH以上且60％RH以下、遮蔽能量射线的环境下存放6天。(3)对上述层叠体的上述半导体加工用粘合带照射能量射线，而使上述粘合层固化。(4)自上述层叠体将上述半导体加工用粘合带剥离。(5)求出上述半导体加工用粘合带贴合前的上述铜箔的被粘合面、与上述半导体加工用粘合带剥离后的上述铜箔的被粘合面于L*a*b*表色系中的色差ΔE*<subgt;ab</subgt;。技术研发人员：村上由夏,内田宽明,降旗涉受保护的技术使用者：大日本印刷株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/9