半导体存储器件及其制造方法、以及电子系统与流程

本公开涉及半导体存储器件、用于制造该半导体存储器件的方法、和/或包括该半导体存储器件的电子系统。更具体地，本公开涉及包括三维地布置的存储单元的半导体存储器件、用于制造该半导体存储器件的方法、和/或包括该半导体存储器件的电子系统。

背景技术：

1、由于电子系统中需要能够存储高容量数据的半导体存储器件，因此正在研究能够增加半导体存储器件的数据存储容量的措施。作为能够增加半导体存储器件的数据存储容量的措施之一，提出了一种包括三维地布置的存储单元而不是二维地布置的存储单元的半导体存储器件。

技术实现思路

1、本公开的一些示例实施例提供了具有改善的特性的半导体存储器件。

2、本公开的一些示例实施例还提供了用于制造具有改善的特性的半导体存储器件的方法。

3、本公开的一些示例实施例还提供了包括具有改善的集成度和存储容量的半导体存储器件的电子系统。

4、然而，本公开的示例实施例不限于本文所阐述的示例实施例。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他示例性实施例对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见。

5、根据本公开的示例实施例，一种半导体存储器件可以包括：单元衬底；多个栅电极，顺序地堆叠在单元衬底上；半导体层，在竖直方向上延伸，与单元衬底的上侧相交，并且与多个栅电极相交；以及包括铁电体的栅极介电层，在每个栅电极和半导体层之间，其中，半导体层包括均在竖直方向上延伸的n型沟道层和p型沟道层，并且n型沟道层包括在竖直方向上延伸的氧化物二维电子气(2-deg)层。

6、根据本公开的示例实施例，一种半导体存储器件可以包括：单元衬底；模制结构，包括顺序地堆叠在单元衬底上的多个栅电极；沟道结构，在竖直方向上延伸，与单元衬底的上侧相交，并且穿透模制结构；以及位线，在模制结构上，其中，沟道结构包括顺序地堆叠在每个栅电极的侧表面上的铁电层、n型沟道层、p型沟道层和芯绝缘层，n型沟道层和p型沟道层中的每一个将单元衬底和位线电连接，并且n型沟道层包括第一氧化物层、第二氧化物层和界面层，第一氧化物层和第二氧化物层顺序地堆叠在铁电层上，界面层包括氧空位并且在第一氧化物层和第二氧化物层之间。

7、根据本公开的示例实施例，一种电子系统可以包括：主板；半导体存储器件，在主板上；控制器，在主板上并且电连接到半导体存储器件；其中，半导体存储器件包括：单元衬底；多个栅电极，顺序地堆叠在单元衬底上；半导体层，在竖直方向上延伸，与单元衬底的上侧相交，并且与多个栅电极相交；以及包括铁电体的栅极介电层，在每个栅电极和半导体层之间，其中，半导体层包括均在竖直方向上延伸的n型沟道层和p型沟道层，并且n型沟道层包括在竖直方向上延伸的氧化物二维电子气(氧化物2-deg)层。

技术特征：

1.一种半导体存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

11.一种半导体存储器件，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

13.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

14.根据权利要求13所述的半导体存储器件，

15.根据权利要求11所述的半导体存储器件，还包括：

16.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

17.根据权利要求11所述的半导体存储器件，还包括：

18.一种电子系统，包括：

19.根据权利要求18所述的电子系统，

20.根据权利要求19所述的电子系统，

技术总结可以提供一种具有改善的特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：单元衬底；多个栅电极，顺序地堆叠在单元衬底上；半导体层，在竖直方向上延伸，与单元衬底的上侧相交，并且与多个栅电极相交；以及包括铁电体的栅极介电层，在每个栅电极和半导体层之间；其中，半导体层包括均在竖直方向上延伸的n型沟道层和p型沟道层，并且n型沟道层包括在竖直方向上延伸的氧化物二维电子气(2‑DEG)层。技术研发人员：金基俊受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12