射频功率放大器的过压调节电路及通信装置的制作方法

本技术涉及射频/通讯，特别涉及一种射频功率放大器的过压调节电路。

背景技术：

1、射频功率放大器(rf pa，radio frequency power amplifier)是射频/通讯系统和电路(包括射频集成电路与系统)的关键的有源器件之一。rf pa又称为射频功放。rf pa的主要功能是将小功率的射频输入信号放大后输出更高功率的信号以增加通讯设备的传输距离和传输质量。

2、射频功放的能量来源一般为直流(dc)源，它通常由功率管理系统或器件将其它的dc源(例如锂电池)或ac源转化处理后得到一个稳定的dc电源提供给射频功放vcc。然而,在浪涌或其它特殊条件下,射频功放的dc源可能会出现电压过冲，电压波动等不稳定因素，造成射频功放性能随之波动，甚至器件永久烧毁等可靠性问题。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中电源电压波动或过冲导致rf pa性能不稳定甚至导致rf pa损毁的缺陷，提供一种射频功率放大器浪涌保护与过压调节电路。

2、本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

3、本实用新型提供一种射频功率放大器的过压调节电路，所述过压调节电路耦合到所述射频功率放大器的偏置电路；所述过压调节电路包括电平参考网络、泄露抑制网络和第一开关；

4、所述电平参考网络的一端与所述射频功率放大器的电源耦合，另一端与所述第一开关的控制端耦合，用于当检测到所述电源过压时，控制所述第一开关打开；

5、所述泄露抑制网络的一端与所述第一开关耦合，另一端与所述射频功率放大器的偏置电路耦合，用于当所述第一开关打开时产生补偿信号来调节所述偏置电路，以调节所述射频功率放大器的工作状态。

6、较佳地，所述过压调节电路还包括控制调节网络和第二开关；

7、所述控制调节电路的一端与控制电平耦合，另一端与所述第二开关的控制端耦合；所述第一开关与所述第二开关串联；

8、所述控制调节电路用于通过控制第二开关调节所述过压调节电路的工作状态。

9、较佳地，所述控制调节网络包括第一偏置电阻；所述第一偏置电阻的一端与控制电平耦合，另一端与所述第二开关的控制端耦合。

10、较佳地，所述控制调节网络还包括至少一个二极管；所述至少一个二极管与所述第一偏置电阻串联，用于调节所述第二开关的导通量；和/或，

11、所述控制调节网络还包括至少一个三极管；所述至少一个三极管以二极管的形式与所述第一偏置电阻串联，用于调节所述第二开关的导通量；和/或，

12、所述控制调节网络还包括至少一个mos管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，场效应管)；所述至少一个mos管以二极管的形式与所述第一偏置电阻串联，用于调节所述第二开关的导通量。

13、较佳地，所述第二开关包括第二三极管；所述第二三极管的基极与所述控制调节网络的输出端耦合，所述第二三极管的集电极与所述第一开关连接，所述第二三极管的发射极接地；和/或，

14、所述第二开关包括第二场效应管；所述第二场效应管的栅极与所述控制调节网络的输出端耦合，所述第二场效应管的漏极与所述第一开关连接，所述第二场效应管的源极接地；和/或，

15、所述控制调节网络还包括信号调节器，所述信号调节器的一端与所述第二开关的控制端耦合，另一端接地；

16、所述信号调节器用于调节所述补偿信号的范围。

17、较佳地，所述电平参考网络包括第二偏置电阻和至少一个二极管；所述第二偏置电阻和所述至少一个二极管串联，所述至少一个二极管用于根据所述电源电压提供电平参考；和/或，

18、所述电平参考网络包括第二偏置电阻和至少一个三极管；所述至少一个三极管以二极管的形式和所述第二偏置电阻串联，所述至少一个三极管用于根据所述电源电压提供电平参考；和/或，

19、所述电平参考网络包括第二偏置电阻和至少一个mos管；所述至少一个mos管以二极管的形式和所述第二偏置电阻串联，所述至少一个mos管用于根据所述电源电压提供电平参考。

20、较佳地，所述泄露抑制网络使所述第一开关耦合和所述偏置电路短路连接；和/或，

21、所述泄露抑制网络包括一个串联的二极管或一个以二极管的形式串联的三极管，以防止电流逆流至所述偏置电路；和/或，

22、所述电平参考网络还包括去耦合容性器件，以降低电源潜在噪音的干扰；和/或，

23、所述泄露抑制网络还具体用于当所述第一开关打开时产生电压补偿信号来调节所述偏置电路，以调节所述射频功率放大器的工作状态。

24、较佳地，所述第一开关包括第一三极管；所述第一三极管的基极与所述电平参考网络的输出端耦合，所述第一三极管的集电极与所述泄露抑制网络耦合，所述第一三极管的发射极通过所述第二开关接地；和/或，

25、所述第一开关包括第一场效应管；所述第一场效应管的栅极与所述电平参考网络的输出端耦合，所述第一场效应管的漏极与所述泄露抑制网络耦合，所述第一场效应管的源极通过所述第二开关接地。

26、本实用新型还提供一种通信装置，所述通信装置包括射频功率放大器和至少一个如上所述的射频功率放大器的过压调节电路。

27、较佳地，所述通信装置包括第一射频功率放大器、第一过压调节电路和第二过压调节电路；

28、所述第一过压调节电路和所述第二过压调节电路相互独立地根据所述第一射频功率放大器的电源电压产生补偿信号来调节所述第一射频功率放大器的偏置电路，以调节所述第一射频功率放大器的工作状态。

29、较佳地，所述通信装置包括第二射频功率放大器、第三射频功率放大器、第三过压调节电路和第四过压调节电路；

30、所述第三过压调节电路根据所述第二射频功率放大器的电源电压产生补偿信号来调节所述第二射频功率放大器的偏置电路，以调节所述第二射频功率放大器的工作状态；

31、所述第四过压调节电路根据所述第三射频功率放大器的电源电压产生补偿信号来调节所述第三射频功率放大器的偏置电路，以调节所述第三射频功率放大器的工作状态。

32、本实用新型的积极进步效果在于：

33、本实用新型提供的射频功率放大器的过压调节电路，确保射频功率放大器在电源出现电压过冲、电压波动等不稳定情况时不会永久烧毁，同时也确保射频功放在电源电压变动的情况下能够自适应满足系统的性能需求。

技术特征：

1.一种射频功率放大器的过压调节电路，其特征在于，所述过压调节电路耦合到所述射频功率放大器的偏置电路；所述过压调节电路包括电平参考网络、泄露抑制网络和第一开关；

2.如权利要求1所述的过压调节电路，其特征在于，所述过压调节电路还包括控制调节网络和第二开关；

3.如权利要求2所述的过压调节电路，其特征在于，所述控制调节网络包括第一偏置电阻；所述第一偏置电阻的一端与控制电平耦合，另一端与所述第二开关的控制端耦合。

4.如权利要求3所述的过压调节电路，其特征在于，所述控制调节网络还包括至少一个二极管；所述至少一个二极管与所述第一偏置电阻串联，用于调节所述第二开关的导通量；和/或，

5.如权利要求2所述的过压调节电路，其特征在于，所述第二开关包括第二三极管；所述第二三极管的基极与所述控制调节网络的输出端耦合，所述第二三极管的集电极与所述第一开关连接，所述第二三极管的发射极接地；和/或，

6.如权利要求1所述的过压调节电路，其特征在于，所述电平参考网络包括第二偏置电阻和至少一个二极管；所述第二偏置电阻和所述至少一个二极管串联，所述至少一个二极管用于根据所述电源的电压提供电平参考；和/或，

7.如权利要求1所述的过压调节电路，其特征在于，所述泄露抑制网络使所述第一开关耦合和所述偏置电路短路连接；和/或，

8.如权利要求5所述的过压调节电路，其特征在于，所述第一开关包括第一三极管；所述第一三极管的基极与所述电平参考网络的输出端耦合，所述第一三极管的集电极与所述泄露抑制网络耦合，所述第一三极管的发射极通过所述第二开关接地；和/或，

9.一种通信装置，其特征在于，所述通信装置包括至少一个射频功率放大器和至少一个如权利要求1-8任一项所述的射频功率放大器的过压调节电路。

10.如权利要求9所述的通信装置，其特征在于，所述通信装置包括第一射频功率放大器、第一过压调节电路和第二过压调节电路；

11.如权利要求9所述的通信装置，其特征在于，所述通信装置包括第二射频功率放大器、第三射频功率放大器、第三过压调节电路和第四过压调节电路；

技术总结本技术公开了一种射频功率放大器的过压调节电路及通信装置，所述过压调节电路耦合到所述射频功率放大器的偏置电路；所述过压调节电路包括电平参考网络、泄露抑制网络和第一开关；所述电平参考网络的一端与所述射频功率放大器的电源耦合，另一端与所述第一开关的控制端耦合，用于当检测到所述电源过压时，控制所述第一开关打开；所述泄露抑制网络的一端与所述第一开关耦合，另一端与所述射频功率放大器的偏置电路耦合，用于当所述第一开关打开时产生补偿信号来调节所述偏置电路，以调节所述射频功率放大器的工作状态。该电路能够确保射频功率放大器在电源出现电压过冲、电压波动等不稳定情况时不会永久烧毁，且能够自适应满足系统的性能需求。技术研发人员：丁苗富受保护的技术使用者：上海麓慧科技有限公司技术研发日：20231218技术公布日：2024/9/17