射频功率放大器及电子设备的制作方法

本发明涉及通信，尤其是涉及一种射频功率放大器及电子设备。

背景技术：

1、随着无线移动通信、物联网及卫星通信技术的发展，对通信系统中发射机的性能提出了越来越高的要求。射频功率放大器作为发射机的末端输出模块，其性能好坏决定了发射机整体的优劣。

2、通常，射频功率放大器的前级多为变频混频器，射频功率放大器通常直接与变频混频器级联，射频功率放大器的寄生效应将严重影响变频混频器的频响特性，进而影响射频功率放大器的使用性能，降低了射频功率放大器的使用效率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的在于提供一种射频功率放大器及电子设备，以缓解上述技术问题。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种射频功率放大器，所述射频功率放大器包括：依次连接的输入端口、第一级放大器、滤波单元、第二级放大器和输出端口；其中，所述第一级放大器和所述第二级放大器为基于mos管构成的放大器结构；所述滤波单元用于对所述第一级放大器产生的谐波分量进行滤波处理，以提高所述射频功率放大器的线性度。

3、结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，上述输入端口为差分信号输入端口，包括第一输入端和第二输入端；所述第一级放大器包括与所述第一输入端对应的第一放大mos管，以及，与所述第二输入端对应的第二放大mos管；所述第二级放大器包括与所述第一输入端对应的第三放大mos管，以及，与所述第二输入端对应的第四放大mos管；所述滤波单元为差分低通滤波器，且，所述差分低通滤波器包括分别与所述第一输入端和所述第二输入端对应的滤波支路。

4、结合第一方面的第一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，上述滤波支路包括滤波电感和滤波电容；其中，所述滤波电感串联连接在所述第一级放大器的输出和所述第二级放大器的输入之间；所述滤波电容的一端连接在所述滤波电感与所述第二级放大器的输入之间，另一端接地。

5、结合第一方面的第二种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，上述滤波电容为固定电容器，或者，所述滤波电容为可变电容器。

6、结合第一方面的第一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，上述第一级放大器还包括分别与所述第一放大mos管和所述第二放大mos管级联的第一级联mos管和第二级联mos管；所述第一放大mos管的栅极与所述第一输入端对应，所述第一放大mos管的源极接地，所述第一放大mos管的漏极与所述第一级联mos管的源极连接，所述第一级联mos管的漏极与所述第一级放大器的输出对应；所述第一级放大器还包括第一偏置电路和第二偏置电路；所述第一放大mos管的栅极还与所述第一偏置电路连接；所述第一级联mos管的栅极连接至所述第二偏置电路；所述第二放大mos管的栅极与所述第二输入端对应，所述第二放大mos管的源极接地，所述第二放大mos管的漏极与所述第二级联mos管的源极连接，所述第二级联mos管的漏极与所述第一级放大器的输出对应；所述第二放大mos管的栅极还与所述第一偏置电路连接；所述第二级联mos管的栅极连接至所述第二偏置电路。

7、结合第一方面的第四种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，上述射频功率放大器还包括隔直电容；所述隔直电容设置在所述第一放大mos管、所述第二放大mos管、所述第三放大mos管和所述第四放大mos管的栅极。

8、结合第一方面的第五种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，上述第二级放大器还包括分别与所述第三放大mos管和所述第四放大mos管级联的第三级联mos管和第四级联mos管；所述第三放大mos管和所述第四放大mos管的栅极分别与所述隔直电容连接；所述第三放大mos管和所述第四放大mos管的源极分别接地；所述第三放大mos管的漏极与所述第三级联mos管的源极连接；所述第四放大mos管的漏极与所述第四级联mos管的源极连接；所述第三级联mos管和所述第四级联mos管的漏极与所述输出端口对应；所述第二级放大器还包括第三偏置电路和第四偏置电路；所述第三放大mos管和所述第四放大mos管的栅极还与所述第三偏置电路连接；所述第三级联mos管和所述第四级联mos管的栅极还与所述第四偏置电路连接。

9、结合第一方面的第一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，上述射频功率放大器还包括设置在所述第一级放大器的输出与所述滤波单元之间的第一负载电路，以及，设置在所述第二级放大器的输出与所述输出端口之间的第二负载电路。

10、结合第一方面的第七种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第八种可能的实施方式，其中，上述第一负载电路和所述第二负载电路至少包括并联设置的负载电阻、负载电容和负载电感。

11、第二方面，本发明实施例还提供一种电子设备，所述电子设备配置有第一方面所述的射频功率放大器。

12、本发明实施例带来了以下有益效果：

13、本发明实施例提供的射频功率放大器及电子设备，在射频功率放大器中包括依次连接的输入端口、第一级放大器、滤波单元、第二级放大器和输出端口；其中，第一级放大器和第二级放大器为基于mos管构成的放大器结构；滤波单元用于对第一级放大器产生的谐波分量进行滤波处理，以提高射频功率放大器的线性度，并且，由于采用了第一级放大器和第二级放大器的两级机构，可以使第一级放大器作为缓冲，以减轻前级变频混频器等设备的负载，进而降低前级变频混频器等设备的频响特性，同时，可以使第二级放大器输出较大功率，保证射频功率放大器的增益。并且，采用滤波单元可以对第一级放大器产生的谐波分量进行滤波，可以有效改善射频功率放大器的线性度，进而提升射频功率放大器的使用性能和使用效率。

14、本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

15、为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括：依次连接的输入端口、第一级放大器、滤波单元、第二级放大器和输出端口；

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述输入端口为差分信号输入端口，包括第一输入端和第二输入端；

3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述滤波支路包括滤波电感和滤波电容；

4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述滤波电容为固定电容器，或者，所述滤波电容为可变电容器。

5.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一级放大器还包括分别与所述第一放大mos管和所述第二放大mos管级联的第一级联mos管和第二级联mos管；

6.根据权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器还包括隔直电容；

7.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二级放大器还包括分别与所述第三放大mos管和所述第四放大mos管级联的第三级联mos管和第四级联mos管；

8.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器还包括设置在所述第一级放大器的输出与所述滤波单元之间的第一负载电路，以及，设置在所述第二级放大器的输出与所述输出端口之间的第二负载电路。

9.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一负载电路和所述第二负载电路至少包括并联设置的负载电阻、负载电容和负载电感。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备配置有权利要求1～9任一项所述的射频功率放大器。

技术总结本发明提供了一种射频功率放大器及电子设备，涉及通信技术领域，射频功率放大器包括：依次连接的输入端口、第一级放大器、滤波单元、第二级放大器和输出端口；其中，第一级放大器和第二级放大器为基于MOS管构成的放大器结构；滤波单元用于对第一级放大器产生的谐波分量进行滤波处理，以提高射频功率放大器的线性度。本发明提供的射频功率放大器及电子设备，采用了第一级放大器和第二级放大器的两级机构，使第一级放大器作为缓冲，同时使第二级放大器输出较大功率，保证射频功率放大器的增益，且采用滤波单元对第一级放大器产生的谐波分量进行滤波，可以有效改善射频功率放大器的线性度，进而提升射频功率放大器的使用性能和使用效率。技术研发人员：王晨,张福泉,赵烁砾受保护的技术使用者：上海芯璨电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/17