一种显示面板以及显示装置的制作方法

本发明实施例涉及半导体，尤其涉及一种显示面板以及显示装置。

背景技术：

1、有机发光二极管显示面板具有轻薄、自发光、高色域和柔性等优势，得到了广泛的关注和研究。

2、但是现有的有机发光二极管显示面板中，发光层的发光寿命较低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板以及显示装置，以延长发光层的发光寿命。

2、本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

3、第一电极层；

4、发光层，所述发光层位于所述第一电极层的一侧，所述发光层包含主体材料、磷光敏化剂和荧光染料；

5、第二电极层，所述第二电极层位于所述发光层远离所述第一电极层的一侧；

6、在所述第一电极层指向所述第二电极层的方向，所述磷光敏化剂的体积和所述发光层的体积的比值呈减少趋势，所述荧光染料的体积和所述发光层的体积的比值呈增加趋势。

7、该技术方案中，发光层位于第一电极层和第二电极层之间，发光层包含主体材料、磷光敏化剂和荧光染料；在第一电极层指向第二电极层的方向，磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和发光层的体积的比值呈增加趋势，即发光层越靠近第一电极层的部分磷光敏化剂的体积占比越高，发光层越靠近第二电极层的部分，荧光染料的体积占比越高。上述技术方案，通过控制在第一电极层指向第二电极层的方向，发光层中磷光敏化剂和荧光染料的体积占比分布，无论是发光层是一层还是包括多层子层，都可以将磷光敏化剂和荧光染料进行物理隔离，那么载流子复合产生激子的复合中心主要位于发光层靠近第一电极层的磷光敏化剂，因为发光层靠近第一电极层的部分，其磷光敏化剂的体积占比高。通过“forster”能量转移过程，磷光材料的三线态激子可以较快速地转化成荧光染料的单线态激子，然后发光层靠近第二电极层的荧光染料凭借其能量快速地辐射跃迁发光，因为发光层靠近第二电极层的部分，其荧光染料的体积占比高。且在发光层越靠近第一电极层的部分，其荧光染料的占比低可起到位阻的作用，抑制磷光敏化剂的三线态聚集淬灭，即可以抑制磷光敏化剂三线态到荧光染料三线态的能量转移。综上，本发明实施例提供的技术方案提高了激子的利用率，抑制了磷光敏化剂的三线态激子淬灭，延长了发光层的发光寿命。

8、可选地，所述发光层中，所述磷光敏化剂的体积和所述发光层的体积的比值大于所述荧光染料的体积和所述发光层的体积的比值。

9、该技术方案中，在第一电极层指向第二电极层的方向，磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和发光层的体积的比值呈增加趋势，且发光层中，磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值大于荧光染料的体积和发光层的体积的比值，即磷光敏化剂主要集中在发光层靠近第一电极层的部分，而载流子复合产生激子的复合中心主要位于发光层靠近第一电极层的磷光敏化剂，即上述技术方案增加了磷光材料的三线态激子的浓度，从而有助于延长发光层的发光寿命。

10、可选地，所述发光层靠近所述第一电极层一侧的材料中所述磷光敏化剂的体积和所述发光层的体积的比值大于或等于5％，且小于或等于50％；所述发光层靠近所述第二电极层一侧的材料中所述磷光敏化剂的体积和所述发光层的体积的比值大于或等于1％，且小于或等于5％；

11、可选地，所述发光层靠近所述第一电极层一侧的材料中所述荧光染料的体积和所述发光层的体积的比值大于或等于0.3％，且小于或等于3％；所述发光层靠近所述第二电极层一侧的材料中所述荧光染料的体积和所述发光层的体积的比值大于或等于3％，且小于或等于30％。

12、该技术方案使得在第一电极层指向第二电极层的方向，磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和发光层的体积的比值呈增加趋势，通过控制在第一电极层指向第二电极层的方向，磷光敏化剂和荧光染料的体积占比分布，无论是发光层是一层还是多层，都可以将磷光敏化剂和荧光染料进行物理隔离，从而提高了激子的利用率，抑制了磷光敏化剂的三线态激子淬灭，延长了发光层的发光寿命。

13、可选地，所述发光层包括第一发光层和第二发光层；

14、所述第一发光层位于所述第一电极层的一侧，所述第一发光层包含主体材料和磷光敏化剂；

15、所述第二发光层位于所述第一发光层远离所述第一电极层的一侧，所述第二发光层至少包含主体材料和荧光染料。

16、该技术方案中，发光层分为两层，第一发光层包含主体材料和磷光敏化剂，第二发光层至少包含主体材料和荧光染料，第二发光层可以只包括主体材料和荧光染料，或者第二发光层在包括主体材料和荧光染料的基础上，还可以包括其他材料例如磷光敏化剂。由于在第一电极层指向第二电极层的方向，磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和发光层的体积的比值呈增加趋势，即使第二发光层在包括其他材料例如磷光敏化剂时，在第一电极层指向第二电极层的方向，第二发光层中磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值也是呈减少趋势。因此，上述技术方案进一步隔离了磷光敏化剂和荧光染料，载流子复合产生激子的复合中心主要位于第一发光层的磷光敏化剂，因为第一发光层，其磷光敏化剂的体积占比高。通过“forster”能量转移过程，磷光材料的三线态激子可以较快速地转化成第二发光层的荧光染料的单线态激子，然后第二发光层靠近第二电极层的荧光染料凭借其能量快速地辐射跃迁发光，因为第二发光层靠近第二电极层的部分，其荧光染料的体积占比高。且第一发光层不包括荧光染料，可以抑制磷光敏化剂的三线态聚集淬灭，即可以抑制磷光敏化剂三线态到荧光染料三线态的能量转移。综上，本发明实施例提供的技术方案提高了激子的利用率，抑制了磷光敏化剂的三线态激子淬灭，延长了发光层的发光寿命。

17、可选地，所述第一发光层的厚度大于或等于5nm，且小于或等于30nm。

18、该技术方案中第一发光层，其磷光敏化剂的体积占比高。通过“forster”能量转移过程，磷光材料的三线态激子可以较快速地转化成荧光染料的单线态激子，然后第二发光层靠近第二电极层的部分的荧光染料凭借其能量快速地辐射跃迁发光，因为第二发光层靠近第二电极层的部分，其荧光染料的体积占比高。dexter”能量传递的距离一般小于2nm，将第一发光层的厚度设定在大于或等于5nm，且小于或等于30nm的范围，可以抑制第一发光层内磷光材料的三线态激子到第二发光层内三线态激子的转化过程，即“dexter”能量传递过程，以保证完成第一发光层内磷光材料的三线态激子到第二发光层内单线态激子的转化过程，即“forster”能量传递过程。该技术方案将第一发光层的厚度设定在大于或等于5nm，且小于或等于30nm的范围内，即可以保证第一发光层内完成磷光材料的三线态激子可以较快速地转化成荧光染料的单线态激子的过程，又可以避免第一发光层的厚度太厚，导致发光面板厚度过厚的问题。

19、优选地，所述第一发光层中所述磷光敏化剂的体积和所述第一发光层的体积的比值大于或等于5％，且小于或等于50％。

20、该技术方案中，发光层分为两层，第一发光层包含主体材料和磷光敏化剂，第一发光层中磷光敏化剂的体积和第一发光层的体积的比值大于或等于5％，且小于或等于50％，第二发光层至少包含主体材料和荧光染料。上述技术方案中，第一发光层包含磷光敏化剂但是不包含荧光染料，第一发光层中磷光敏化剂的体积和第一发光层的体积的比值大于或等于5％，且小于或等于50％，进一步隔离了磷光敏化剂和荧光染料，使得磷光敏化剂在第一发光层

21、1041中的占比很高，载流子复合产生激子的复合中心主要位于第一发光层1041的磷光敏化剂，提高了第一发光层中激子的浓度。通过“forster”能量转移过程，磷光材料的三线态激子可以较快速地转化成荧光染料的单线态激子，然后第二发光层靠近第二电极层的荧光染料凭借其能量快速地辐射跃迁发光，因为第二发光层靠近第二电极层的部分，其荧光染料的体积占比高。且第一发光层不包括荧光染料，可以抑制磷光敏化剂的三线态聚集淬灭，即可以抑制磷光敏化剂三线态到荧光染料三线态的能量转移。综上，本发明实施例提供的技术方案提高了第一发光层中激子的浓度，且提高了激子的利用率，抑制了磷光敏化剂的三线态激子淬灭，延长了发光层的发光寿命。

22、可选地，所述第二发光层包含主体材料、磷光敏化剂和荧光染料；

23、在所述第一电极层指向所述第二电极层的方向，所述第二发光层中所述磷光敏化剂的体积和所述第二发光层的体积的比值呈减少趋势，所述荧光染料的体积和所述第二发光层的体积的比值呈增加趋势。

24、该技术方案中，首先发光层分为两层，第一发光层包含磷光敏化剂，不包含荧光染料，在第一电极层指向第二电极层的方向，发光层中磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和发光层的体积的比值呈增加趋势，实现了将大部分磷光敏化剂分布在第一发光层内，实现了磷光敏化剂和荧光染料的隔离。然后，第二发光层包含主体材料、磷光敏化剂和荧光染料；在第一电极层指向第二电极层的方向，第二发光层中磷光敏化剂的体积和第二发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和第二发光层的体积的比值呈增加趋势，进一步实现了在第二发光层中，磷光敏化剂和荧光染料的隔离。使得载流子复合产生激子的复合中心主要位于第一发光层的磷光敏化剂以及少部分第二发光层靠近第一电极层的磷光敏化剂。通过“forster”能量转移过程，磷光材料的三线态激子可以较快速地转化成第二发光层的荧光染料的单线态激子，然后第二发光层靠近第二电极层的荧光染料凭借其能量快速地辐射跃迁发光，因为第二发光层靠近第二电极层的部分，其荧光染料的体积占比高。且第一发光层不包括荧光染料，第二发光层靠近第一电极层的部分的荧光染料的体积占比低，可以抑制磷光敏化剂的三线态聚集淬灭，即可以抑制磷光敏化剂三线态到荧光染料三线态的能量转移。综上，本发明实施例提供的技术方案进一步提高了激子的利用率，抑制了磷光敏化剂的三线态激子淬灭，延长了发光层的发光寿命。

25、可选地，所述第二发光层中，所述磷光敏化剂的体积和所述第二发光层的体积的比值大于所述荧光染料的体积和所述第二发光层的体积的比值。

26、该技术方案中，第二发光层中磷光敏化剂的体积和第二发光层的体积的比值大于荧光染料的体积和第二发光层的体积的比值，由于在第一电极层指向第二电极层的方向，第二发光层中磷光敏化剂的体积和第二发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和第二发光层的体积的比值呈增加趋势，即在第二发光层中，磷光敏化剂主要集中在第二发光层靠近第一电极层的部分，而第二发光层中载流子复合产生激子的复合中心主要位于第二发光层靠近第一电极层的磷光敏化剂，即上述技术方案增加了磷光材料的三线态激子的浓度，从而有助于延长发光层的发光寿命。

27、优选地，所述第二发光层中所述磷光敏化剂的体积和所述第二发光层的体积的比值大于或等于1％，且小于或等于5％；

28、和/或，所述第二发光层中所述荧光染料的体积和所述第二发光层的体积的比值大于或等于3％，且小于或等于30％。

29、该技术方案第二发光层中磷光敏化剂的体积和第二发光层的体积的比值大于荧光染料的体积和第二发光层的体积的比值，又由于在第一电极层指向第二电极层的方向，第二发光层中磷光敏化剂的体积和第二发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和第二发光层的体积的比值呈增加趋势，上述技术方案中，进一步隔离了第二发光层中磷光敏化剂和荧光染料，从而进一步提高了激子的利用率，抑制了磷光敏化剂的三线态激子淬灭，延长了第二发光层的发光寿命。

30、可选地，所述显示面板的发光方向和所述第一电极层指向所述第二电极层的方向平行。

31、该技术方案中，显示面板的发光方向和第一电极层指向第二电极层的方向平行，即发光层发的光从第二电极层出射，发光层靠近第一电极层的部分的磷光敏化剂的辐射光一部分会直接激发荧光染料辐射发光，另一部分辐射光会经过第一电极层的反射后再激发荧光染料辐射发光，从而提高激子的利用率，延长了发光层的发光寿命。

32、本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例任意所述的显示面板。

33、该技术方案中，显示装置包括上述实施例中所述的显示面板，因此，本发明实施例提供的显示装置也具备上述实施例中所描述的有益效果。

34、本发明实施例提供的技术方案，发光层位于第一电极层和第二电极层之间，发光层包含主体材料、磷光敏化剂和荧光染料；在第一电极层指向第二电极层的方向，磷光敏化剂的体积和发光层的体积的比值呈减少趋势，荧光染料的体积和发光层的体积的比值呈增加趋势，即发光层越靠近第一电极层的部分磷光敏化剂的体积占比越高，发光层越靠近第二电极层的部分，荧光染料的体积占比越高。上述技术方案，通过控制在第一电极层指向第二电极层的方向，发光层中磷光敏化剂和荧光染料的体积占比分布，无论是发光层是一层还是包括多层子层，都可以将磷光敏化剂和荧光染料进行物理隔离，那么载流子复合产生激子的复合中心主要位于发光层靠近第一电极层的磷光敏化剂，因为发光层靠近第一电极层的部分，其磷光敏化剂的体积占比高。通过“forster”能量转移过程，磷光材料的三线态激子可以较快速地转化成荧光染料的单线态激子，然后发光层靠近第二电极层的荧光染料凭借其能量快速地辐射跃迁发光，因为发光层靠近第二电极层的部分，其荧光染料的体积占比高。且在发光层越靠近第一电极层的部分，其荧光染料的占比低可起到位阻的作用，抑制磷光敏化剂的三线态聚集淬灭，即可以抑制磷光敏化剂三线态到荧光染料三线态的能量转移。综上，本发明实施例提供的技术方案提高了激子的利用率，抑制了磷光敏化剂的三线态激子淬灭，延长了发光层的发光寿命。