集成电路装置的制作方法

本发明涉及集成电路装置等。

背景技术：

1、以往，已知有进行交流电压的整流而输出整流电压的整流电路。另外，专利文献1公开了设置有生成基准电压的带隙基准电路的半导体装置。

2、专利文献1：日本特开2016-197468号公报

3、已经明确在设置有整流电路的集成电路装置中产生由整流电路的整流动作引起的噪声对基准电压的生成造成不良影响的问题。专利文献1没有提出通过布局的设计来解决这样的问题的方法。

技术实现思路

1、本公开的一个方式涉及一种集成电路装置，其包括：半导体衬底，其被设定为衬底电位；整流电路，其通过设置于所述半导体衬底的整流元件对交流电压进行整流而输出整流电压；带隙基准电路，其设置于所述半导体衬底，根据所述整流电压而生成基准电压；以及调节器，其根据所述带隙基准电路所输出的所述基准电压而对所述整流电压进行调节，并输出调节电压，在俯视所述半导体衬底时，所述调节器配置在所述整流电路与所述带隙基准电路之间。

技术特征：

1.一种集成电路装置，其特征在于，其包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的集成电路装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的集成电路装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的集成电路装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至5中的任意一项所述的集成电路装置，其特征在于，

11.根据权利要求1至5中的任意一项所述的集成电路装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的集成电路装置，其特征在于，

技术总结集成电路装置。集成电路装置包括：半导体衬底，其被设定为衬底电位；整流电路，其通过设置于半导体衬底的整流元件对交流电压进行整流而输出整流电压；BGR电路，其设置于半导体衬底，基于整流电压而生成基准电压；以及调节器，其基于BGR电路输出的基准电压对整流电压进行调节，输出调节电压。在俯视半导体衬底时，调节器配置在整流电路与BGR电路之间。技术研发人员：上仓治树,松田欣也受保护的技术使用者：精工爱普生株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/10