用于最小化至处理腔室泵的热辐射的热屏蔽组件的制作方法

本揭示案的实施方式大体相关于基板处理腔室。

背景技术：

1、半导体基板处理系统可执行第一和第二阶段抽空以产生足够的真空以用于在处理腔室中处理半导体晶片。通常，在第一阶段，腔室被排气并达到第一真空水平。在大部分气氛从腔室移除并建立真空之后，开始第二阶段。在第二阶段期间，使用低温泵(通常称为低温泵)在处理腔室内获得高真空水平。

2、通常，低温泵通过在第一阶段抽空之后移除残留在腔室气氛中的分子和其他气体而在腔室内产生高真空。低温泵在冷时吸收气体，然后随着低温泵温度增加逐渐失去吸收气体的能力，直到达到低温泵解吸气体的温度。因此，泵的温度直接影响低温泵达到和维持高真空的能力(亦即，低温泵必须保持冷却以有效达到高真空)。

3、通常，低温泵经由弯头导管连接到处理腔室中的泵端口。弯头导管用于保护低温泵免受腔室内由灯、基座加热器、等离子体、和其他热源在腔室中产生的热的影响。弯头导管通过将低温泵放置在与腔室相距一距离处来热“隔离”低温泵，在该距离处来自腔室的加热效应不太严重。泵端口可装配有屏蔽件以反射处理腔室内产生的辐射能。然而，单个屏蔽件可能不足以保护低温泵。

4、因此，发明人提供了改进的热屏蔽组件以用于屏蔽低温泵而使其免受处理腔室内产生的热能的影响。

技术实现思路

1、本文提供用于处理腔室的热屏蔽组件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的热屏蔽组件包括：第一屏蔽件，该第一屏蔽件包括圆形板；第二屏蔽件，该第二屏蔽件耦接至该第一屏蔽件且与该第一屏蔽件呈平行配置，其中该第二屏蔽件具有大于该第一屏蔽件的外径的外径，且该第二屏蔽件包括中心开口，该中心开口具有小于该第一屏蔽件的外径的直径；及第三屏蔽件，该第三屏蔽件耦接至该第二屏蔽件且与该第二屏蔽件呈平行配置，其中该第三屏蔽件的外径大于该第二屏蔽件的该中心开口的该直径。

2、在一些实施方式中，一种用于处理腔室的热屏蔽组件包括：多个屏蔽件，该多个屏蔽件排列成平行配置，其中该多个屏蔽件的第一屏蔽件包括圆形板，其中该多个屏蔽件的第二屏蔽件具有大于该第一屏蔽件的外径的外径，且该第二屏蔽件包括中心开口，该中心开口具有小于该第一屏蔽件的外径的直径。

3、在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体，该腔室主体界定该腔室主体中的内部容积，其中该腔室主体包括泵端口，该泵端口被配置以用于将该腔室主体耦接至低温泵；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部容积中且被配置以支撑基板；及热屏蔽组件，该热屏蔽组件设置于该内部容积中接近该泵端口且实质覆盖该泵端口，该热屏蔽组件包括：多个屏蔽件，该多个屏蔽件排列成平行配置，其中该多个屏蔽件的第一屏蔽件包括圆形板，其中该多个屏蔽件的第二屏蔽件具有大于该第一屏蔽件的外径的外径，且该第二屏蔽件包括中心开口，该中心开口具有小于该第一屏蔽件的外径的直径。

4、下方描述本揭示案的其他及进一步的实施方式。

技术特征：

1.一种用于处理腔室的热屏蔽组件，包括：

2.如权利要求1所述的热屏蔽组件，其中所述第一屏蔽件具有凹形。

3.如权利要求1所述的热屏蔽组件，进一步包括环形装设凸缘，所述环形装设凸缘被设置为与所述第一屏蔽件呈平行配置，且经由支撑构件耦接至所述第一屏蔽件，所述支撑构件从所述环形装设凸缘的中心轴线延伸。

4.如权利要求3所述的热屏蔽组件，其中所述环形装设凸缘包括流体通路。

5.如权利要求1所述的热屏蔽组件，其中所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间的第一距离小于所述第二屏蔽件与所述第三屏蔽件之间的第二距离。

6.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，其中第一屏蔽件的所述外径、所述第二屏蔽件的所述外径、及第三屏蔽件的所述外径不同。

7.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，其中所述第一屏蔽件、所述第二屏蔽件、及所述第三屏蔽件皆耦接至装设支架，所述装设支架设置于所述第一屏蔽件与所述第三屏蔽件之间。

8.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，进一步包括：

9.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，其中所述第一屏蔽件、所述第二屏蔽件、及所述第三屏蔽件由具有约0.2或更低的发射率的材料制成。

10.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，进一步包括多个第一间隔器，所述多个第一间隔器设置于所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间。

11.如权利要求10所述的热屏蔽组件，进一步包括多个第二间隔器，所述多个第二间隔器设置于所述第二屏蔽件与所述第三屏蔽件之间。

12.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，其中所述第三屏蔽件由两个零件制成，在所述两个零件耦接在一起时形成所述第三屏蔽件的中心开口。

13.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，其中所述第一屏蔽件的外边缘延伸远离所述第二屏蔽件。

14.如权利要求1至5中任一项所述的热屏蔽组件，其中所述第一屏蔽件沿着所述第一屏蔽件的外周边区域经由多个紧固器直接耦接至所述第二屏蔽件。

15.一种处理腔室，包括：

16.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述热屏蔽组件界定流动路径，所述流动路径绕着所述第一屏蔽件的外边缘且穿过所述第二屏蔽件的所述中心开口且至所述泵端口。

17.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包括低温泵，所述低温泵耦接至所述泵端口。

18.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述第一屏蔽件设置于所述泵端口外部。

19.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述泵端口包括突片，且其中所述热屏蔽组件经由所述突片耦接至所述泵端口。

20.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包括多个第一间隔器及多个第二间隔器，所述多个第一间隔器设置于所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间，所述多个第二间隔器设置于所述第二屏蔽件与所述第三屏蔽件之间。

技术总结本文提供用于处理腔室的热屏蔽组件的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室的热屏蔽组件包括：第一屏蔽件，该第一屏蔽件包括圆形板；第二屏蔽件，该第二屏蔽件耦接至该第一屏蔽件且与该第一屏蔽件呈平行配置，其中该第二屏蔽件具有大于该第一屏蔽件的外径的外径，且该第二屏蔽件包括中心开口，该中心开口具有小于该第一屏蔽件的外径的直径；及第三屏蔽件，该第三屏蔽件耦接至该第二屏蔽件且与该第二屏蔽件呈平行配置，其中该第三屏蔽件的外径大于该第二屏蔽件的该中心开口的该直径。技术研发人员：丁克什·胡德利·索曼纳,阿拉·莫拉迪亚,科林·约翰·迪金森,曼朱纳特·苏班纳受保护的技术使用者：应用材料公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4