陶瓷复合基板及陶瓷复合基板的制造方法与流程

本发明涉及陶瓷复合基板及陶瓷复合基板的制造方法。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种陶瓷金属电路基板，其具备陶瓷基板、和分别借助接合层接合到该陶瓷基板的第1面及第2面的第1金属板及第2金属板。在该电路基板中，在第1金属板的、与陶瓷基板的接合面的相反侧的面设置有金属被膜，在第2金属板的、与陶瓷基板的接合面的相反侧的面的一部分存在为了安装半导体元件或金属端子而未设置金属被膜的部位。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利第6797797号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本发明提供一种能够提高电路部间的绝缘性的陶瓷复合基板及陶瓷复合基板的制造方法。

3、用于解决课题的手段

4、本发明的一个方面的陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的银接合层。金属被膜包含以覆盖银接合层中的与第2电路部相对的侧面的方式形成的侧方部分。上述侧方部分的靠近第2电路部的端部与银接合层的靠近第2电路部的端部之间的规定方向上的距离l大于金属被膜的厚度h。

5、距离l可以大于2μm。厚度h可以为2μm以上。

6、陶瓷板可以含有氮化硅或氮化铝。金属被膜可以含有镍或金。

7、本发明的一个方面的陶瓷复合基板的制造方法包括：在陶瓷板的主面上借助接合体而接合了金属体的状态的中间体中，以形成沿着规定方向相互隔开间隔的状态的第1电路部及第2电路部的方式，对金属体的一部分及接合体的一部分进行蚀刻的工序，其中，接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的银接合层；在进行蚀刻的工序之后，以形成侧方部分的方式形成金属被膜的工序，其中，该侧方部分覆盖构成第1电路部的金属体的一部分的表面、并且覆盖构成第1电路部的银接合层的一部分中的与第2电路部相对的侧面。金属被膜中包含的侧方部分的靠近第2电路部的端部与构成第1电路部的银接合层的一部分的靠近第2电路部的端部之间的规定方向上的距离l大于金属被膜的厚度h。

8、发明效果

9、根据本发明，提供能够提高电路部间的绝缘性的陶瓷复合基板及陶瓷复合基板的制造方法。

技术特征：

1.陶瓷复合基板，其具备：

2.根据权利要求1所述的陶瓷复合基板，其中，所述距离l大于2μm，

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷复合基板，其中，所述陶瓷板含有氮化硅或氮化铝，

4.陶瓷复合基板的制造方法，其包括：

技术总结陶瓷复合基板具备：陶瓷板；第1电路部，其设置于陶瓷板的主面；和第2电路部，其以沿着规定方向在与第1电路部之间隔开间隔的状态下设置于主面。第1电路部具有设置于主面的接合体、借助接合体接合到主面的金属体、和以覆盖金属体的表面及接合体中的从金属体伸出的部分的方式形成的金属被膜。接合体包含与金属体接合且银的含量为50质量％以上的银接合层。金属被膜包含以覆盖银接合层中的与第2电路部相对的侧面的方式形成的侧方部分。上述侧方部分的靠近第2电路部的端部与银接合层的靠近第2电路部的端部之间的规定方向上的距离L大于金属被膜的厚度H。技术研发人员：津川优太,矢野清治,田中淳一受保护的技术使用者：电化株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/4