半导体封装的制作方法

本发明涉及半导体封装。

背景技术：

1、最近，需要高性能的半导体封装。高性能半导体封装可以包括诸如彼此集成的衬底、多个半导体芯片和重分布层的结构。例如，在半导体封装中，下部结构和上部结构可以使用延伸穿过模制层的过孔彼此电连接。在这种情况下，设置有过孔的区域被模制层填充。因此，设置有过孔的区域容易翘曲，从而在制造半导体封装的工艺中使过孔劣化。为了解决这个问题，正在进行研究以在结构上加强设置有过孔的区域。

技术实现思路

1、本公开涉及半导体封装。在示例半导体封装中，包括硅的虚设半导体芯片设置在模制层中，并且通孔设置在虚设半导体芯片中，从而防止通孔发生翘曲，并且从而防止通孔劣化。在另一示例半导体封装中，包括硅的虚设半导体芯片设置在模制层中，并且电容器设置在虚设半导体芯片中，从而提高电容器的电可靠性。

2、在一些实施方式中，半导体器件包括：结构；第一半导体芯片，设置在结构的上表面上，并且第一半导体芯片直接电连接到结构；虚设半导体芯片，设置在结构的上表面上，虚设半导体芯片与结构的上表面接触，虚设半导体芯片在水平方向上与第一半导体芯片间隔开，虚设半导体芯片包括硅；模制层，在结构的上表面上围绕第一半导体芯片的侧壁和虚设半导体芯片的侧壁中的每个侧壁；重分布层，设置在第一半导体芯片的上表面、虚设半导体芯片的上表面、以及模制层的上表面上；第一通孔，沿竖直方向延伸穿过模制层，第一通孔将结构和重分布层彼此电连接；第二通孔，沿竖直方向延伸穿过虚设半导体芯片，第二通孔将结构和重分布层彼此电连接；以及电容器，设置在虚设半导体芯片内部，电容器电连接到重分布层。

3、在一些实施方式中，半导体器件包括：结构；半导体芯片，设置在结构的上表面上，半导体芯片直接电连接到结构；虚设半导体芯片，设置在结构的上表面上，虚设半导体芯片与结构的上表面接触，虚设半导体芯片在水平方向上与半导体芯片间隔开，虚设半导体芯片包括设置在结构的上表面上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并且包括硅的基底材料层、以及设置在基底材料层上的第二绝缘层；模制层，在结构的上表面上围绕半导体芯片的侧壁和虚设半导体芯片的侧壁中的每个侧壁；第一通孔，沿竖直方向延伸穿过模制层，第一通孔电连接到结构；第二通孔，沿竖直方向延伸穿过第一绝缘层、基底材料层和第二绝缘层中的每一个，第二通孔电连接到结构；以及电容器，设置在基底材料层内部，其中，模制层的上表面、第二通孔的上表面、以及虚设半导体芯片的上表面彼此共面。

4、在一些实施方式中，半导体器件包括：结构；半导体芯片，设置在结构的上表面上，半导体芯片直接电连接到结构；虚设半导体芯片，设置在结构的上表面上，虚设半导体芯片与结构的上表面接触，虚设半导体芯片在水平方向上与半导体芯片间隔开，虚设半导体芯片包括设置在结构的上表面上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并且包括硅的基底材料层、以及设置在基底材料层上的第二绝缘层；模制层，在结构的上表面上围绕半导体芯片的侧壁和虚设半导体芯片的侧壁中的每个侧壁；重分布层，设置在半导体芯片的上表面、虚设半导体芯片的上表面、以及模制层的上表面上；第一通孔，沿竖直方向延伸穿过模制层，第一通孔将结构和重分布层彼此电连接；第二通孔，沿竖直方向延伸穿过第一绝缘层、基底材料层和第二绝缘层中的每一个，第二通孔将结构和重分布层彼此电连接；以及电容器，设置在基底材料层内部，电容器电连接到重分布层，其中，第二通孔的下表面与虚设半导体芯片的下表面共面，其中，模制层的上表面、第二通孔的上表面、以及虚设半导体芯片的上表面彼此共面，并且其中，半导体芯片的上表面与重分布层接触，半导体芯片直接电连接到重分布层。

5、根据本公开的目的不限于上述目的。根据本公开的其他未提及的目的和优点可以基于下面的描述来理解，并且可以基于根据本公开的实施方式得到更清楚的理解。此外，将容易地理解，根据本公开的目的和优点可以使用权利要求中所示的手段或其组合来实现。

技术特征：

1.一种半导体封装，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述虚设半导体芯片包括：

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述电容器设置在所述基底材料层内部。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，还包括电容器绝缘层，所述电容器绝缘层设置在所述电容器和所述基底材料层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述虚设半导体芯片的上表面与所述重分布层的下表面接触。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二通孔的下表面与所述虚设半导体芯片的下表面共面，并且

7.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第二半导体芯片，所述第二半导体芯片设置在所述重分布层的上表面上，并且直接电连接到所述重分布层。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片的上表面与所述重分布层接触，并且

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片的上表面、所述虚设半导体芯片的上表面、以及所述模制层的上表面是共面的。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述虚设半导体芯片的上表面的竖直水平和所述模制层的上表面的竖直水平高于所述第一半导体芯片的上表面的竖直水平。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述模制层设置在所述第一堆叠绝缘层和所述第二堆叠绝缘层与所述第一半导体芯片之间、以及所述第一堆叠绝缘层和所述第二堆叠绝缘层与所述虚设半导体芯片之间。

14.一种半导体封装，包括：

15.根据权利要求14所述的半导体封装，还包括重分布层，所述重分布层设置在所述半导体芯片的上表面、所述虚设半导体芯片的上表面、以及所述模制层的上表面上，所述重分布层电连接到所述第一通孔、所述第二通孔和所述电容器。

16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述半导体芯片的上表面与所述重分布层接触，并且所述半导体芯片直接电连接到所述重分布层。

17.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述模制层的至少一部分设置在所述半导体芯片的上表面和所述重分布层的下表面之间。

18.根据权利要求14所述的半导体封装，还包括电容器绝缘层，所述电容器绝缘层设置在所述电容器和所述基底材料层之间。

19.根据权利要求14所述的半导体封装，还包括：

20.一种半导体封装，包括：

技术总结示例半导体封装包括：结构；第一半导体芯片，设置在结构的上表面上，并且电连接到结构；虚设半导体芯片，设置在结构的上表面上，并且与结构的上表面接触；模制层，在结构的上表面上围绕第一半导体芯片的侧壁和虚设半导体芯片的侧壁；重分布层，设置在第一半导体芯片的上表面、虚设半导体芯片的上表面、以及模制层的上表面上；第一通孔，沿竖直方向延伸穿过模制层，并且将结构和重分布层电连接；第二通孔，沿竖直方向延伸穿过虚设半导体芯片，并且将结构和重分布层电连接；以及电容器，设置在虚设半导体芯片内部。技术研发人员：朴明珠,全炯俊,姜泌圭受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/14