开关管驱动电路、空调的制作方法

本技术涉及半导体，尤其涉及一种开关管驱动电路、空调。

背景技术：

1、随着制备宽禁带半导体器件的技术日趋成熟，以碳化硅mos为代表的电子器件逐渐取代传统的硅基mos，碳化硅mos具有更高的开关频率和效率，在电控驱动领域具有广阔的应用前景，尤其是分立的碳化硅mos，相对于集成的碳化硅ipm模块，分立的碳化硅mos不仅具有宽禁带半导体的特性，更具有明显的价格优势。

2、然而，在碳化硅实际使用过程中，会出现驱动电路阈值电压漂移，导致碳化硅mos误触发，从而严重影响碳化硅mos的使用寿命。

技术实现思路

1、为了解决上述在碳化硅实际使用过程中，会出现驱动电路阈值电压漂移，导致碳化硅mos误触发，从而严重影响碳化硅mos的使用寿命的技术问题，本技术提供了一种开关管驱动电路、空调。具体技术方案如下：

2、第一方面，本技术提供了一种开关管驱动电路，所述开关管驱动电路包括：驱动模块、驱动通路模块、第一驱动回路模块、开关管；

3、所述驱动模块，用于在所述开关管需要关断的情况下，关闭所述驱动模块的第一端输出的第一驱动电压；

4、所述开关管，用于在关闭所述第一驱动电压的情况下，通过所述驱动通路模块、所述驱动模块的第二端进行放电；

5、所述驱动通路模块，用于在第一负向电压小于预设电压阈值的情况下，对所述第一负向电压进行钳位，所述开关管放电形成所述第一负向电压；

6、所述第一驱动回路模块，用于在钳位所述第一负向电压的情况下，对所述开关管施加第二负向电压，完成所述开关管的关断。

7、在一个可选的实施方式中，所述开关管驱动电路还包括：第二驱动回路模块；

8、所述驱动模块，用于在所述开关管需要导通的情况下，通过所述驱动模块的第一端输出大于预设电压阈值的第一驱动电压；

9、所述驱动通路模块，用于在所述驱动模块的第一端输出所述第一驱动电压的情况下导通；

10、所述开关管，用于在所述驱动通路模块导通的情况下打开；

11、所述驱动模块，用于当所述开关管的沟道完全形成之后，降低所述第一驱动电压，以使所述第一驱动电压小于预设电压阈值；

12、所述驱动通路模块，用于在所述第一驱动电压小于预设电压阈值的情况下，对所述第一驱动电压进行钳位；

13、所述第二驱动回路模块，用于在钳位所述第一驱动电压的情况下，对所述开关管施加第二驱动电压，完成所述开关管的导通，所述第二驱动电压小于所述第一驱动电压。

14、在一个可选的实施方式中，所述驱动模块的第一端连接所述驱动通路模块的第一端，所述驱动通路模块的第二端分别连接所述第一驱动回路模块的第一端、所述第二驱动回路模块的第一端、所述开关管的第一端，所述第一驱动回路模块的第二端、所述第二驱动回路模块的第二端均连接所述开关管的第二端。

15、在一个可选的实施方式中，所述开关管驱动电路还包括第一电阻、第四电阻、第一电容、第一二极管；

16、所述驱动模块的第一端分别连接所述第一电阻的第一端、所述第四电阻的第一端、所述驱动通路模块的第一端，所述第一电阻的第二端分别连接所述第一电容的第一端、所述驱动通路模块的第三端、所述第一驱动回路模块的第三端，所述第四电阻的第二端连接所述第二驱动回路模块的第三端，所述第一二极管的第一端连接所述开关管的第三端，所述第一二极管的第二端连接所述开关管的第二端，所述第一电容的第二端、所述驱动模块的第三端均接地。

17、在一个可选的实施方式中，所述驱动通路模块包括第一稳压二极管、第二稳压二极管、第二电阻、第一开关管、第二二极管；

18、所述第一稳压二极管的第一端分别连接所述驱动模块的第一端、所述第一电阻的第一端、所述第四电阻的第一端，所述第一稳压二极管的第二端连接所述第二稳压二极管的第一端，所述第二稳压二极管的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述第一开关管的第一端，所述第一开关管的第二端分别连接所述第一电阻的第二端、所述第一电容的第一端、所述第一驱动回路模块的第三端，所述第一开关管的第三端分别连接所述第一驱动回路模块的第一端、所述第二驱动回路模块的第一端、所述开关管的第一端，所述第二二极管的第一端连接所述第一开关管的第一端，所述第二二极管的第二端连接所述第一开关管的第三端。

19、在一个可选的实施方式中，所述第一驱动回路模块包括第三二极管、第四三极管、第三电阻、第二开关管、第二电源；

20、所述第三二极管的第一端分别连接所述第一开关管的第三端、所述第二驱动回路模块的第一端、所述开关管的第一端，所述第三二极管的第二端连接所述第三电阻的一端，所述第三电阻的第二端连接所述第二开关管的第一端，所述第二开关管的第二端分别连接所述第一电阻的第二端、所述第一电容的第一端、所述第一开关管的第二端，所述第二开关管的第三端连接所述第二电源的第一端，所述第二电源的第二端连接所述开关管的第二端，所述第二开关管的第一端连接所述第四三极管的第一端，所述第四三极管的第二端连接所述第二开关管的第三端。

21、在一个可选的实施方式中，所述第二驱动回路模块包括第五二极管、第六二极管、第五电阻、第三开关管、第一电源；

22、所述第五二极管的第一端分别连接所述第一开关管的第三端、所述第三二极管的第一端、所述开关管的第一端，所述第五二极管的第二端连接所述第五电阻的第一端，所述第五电阻的第二端连接所述第三开关管的第一端，所述第三开关管的第二端连接所述第四电阻的第二端，所述第三开关管的第三端连接所述第一电源的第一端，所述第一电源的第二端连接所述开关管的第二端，所述第三开关管的第三端连接所述第六二极管的第一端，所述第六二极管的第二端连接所述第三开关管的第一端。

23、在一个可选的实施方式中，所述开关管为碳化硅mos。

24、在一个可选的实施方式中，所述第一开关管为nmos。

25、在一个可选的实施方式中，所述第二开关管为pmos。

26、在一个可选的实施方式中，所述第三开关管为pmos。

27、第二方面，本技术提供了一种空调，包括第一方面中任一项所述的开关管驱动电路。

28、本技术实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本技术实施例提供的该开关管驱动电路，包括驱动模块、驱动通路模块、第一驱动回路模块、开关管，驱动模块，用于在开关管需要关断的情况下，关闭驱动模块的第一端输出的第一驱动电压，开关管，用于在关闭第一驱动电压的情况下，通过驱动通路模块、驱动模块的第二端进行放电，驱动通路模块，用于在第一负向电压小于预设电压阈值的情况下，对第一负向电压进行钳位，开关管放电形成第一负向电压，第一驱动回路模块，用于在钳位第一负向电压的情况下，对开关管施加第二负向电压，完成开关管的关断。

29、当开关管需要关断时，关闭驱动模块的第一端输出的第一驱动电压，开关管通过驱动通路模块、驱动模块的第二端进行放电，在开关管放电形成的第一负向电压小于预设电压阈值的情况下，驱动通路模块对第一负向电压进行钳位，此时通过第一驱动回路模块，对开关管施加第二负向电压，完成开关管的关断。如此在开关管关断的过程中，改变开关管的负向电压，可以减少开关管驱动电路的阈值电压漂移现象，从而避免开关管的误触发，避免影响开关管的使用寿命。