自适应的处理剂添加控制方法及装置与流程
- 国知局
- 2024-11-19 09:36:59
本发明涉及出液设备,尤其涉及一种自适应的处理剂添加控制方法及装置。
背景技术:
1、随着家电技术的快速发展,智能洗衣机所具备的功能越来越多,其不仅能够完成基本的洗衣及甩干操作,其还能够对衣物进行烘干及除菌,使得人们的生活更加健康轻松,大大解放了人们的双手。
2、当前,智能洗衣机在清洗衣物的过程中,大多数会自动投放洗衣液以及柔顺剂等等,而无需用户在每次清洗时自行添加。然而,通过实践发现,为了实现智能洗衣机的处理剂自动投放,用户需要一次性地添加大量的处理剂至智能洗衣机的存储盒中,但长时间下来,所存储的处理剂容易出现功效变差的情况,这极大地影响了智能洗衣机对衣物的清洗效果。可见,提供一种能够自适应地对处理剂进行添加控制的方法尤为重要。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题在于,提供一种自适应的处理剂添加控制的方法及装置,可以提高对处理剂存储装置的添加控制可靠性及准确性,进而可以提高对处理剂的添加及时性及有效性,从而可以减少在存储处理剂时功效变差的情况,以提高后续出液设备的工序执行效果。
2、为了解决上述技术问题,本发明第一方面公开了一种自适应的处理剂添加控制方法,所述方法包括:
3、采集用于出液设备消耗分析的用户使用参数,并根据所述用户使用参数,分析所述出液设备所需的处理剂的消耗参数;
4、根据所述处理剂的消耗参数,判断是否需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作;所述处理剂存储装置用于对所述处理剂进行存储;
5、当判断结果为是时,根据所述处理剂的消耗参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数;所述添加控制参数用于指示对所述处理剂存储装置执行处理剂添加操作。
6、作为一种可选的实施方式,在本发明第一方面中,所述用户使用参数包括使用频率参数、使用时间参数、使用模式参数以及消耗对象参数中的至少一种,所述处理剂的消耗参数包括所述处理剂的消耗时间参数、消耗频率参数、消耗量参数、消耗速率参数以及消耗比例参数中的至少一种,所述消耗对象表示消耗所述处理剂的对象,所述添加控制参数包括添加时间控制参数和/或添加量控制参数;
7、其中,所述根据所述处理剂的消耗参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数,包括:
8、根据所述处理剂的消耗参数,预测所述处理剂的存储需求量参数;
9、获取所述处理剂的成分构造参数;所述处理剂的成分构造参数包括所述处理剂所包含的目标材料的含量参数,所述目标材料包括氧化类型材料和/或吸潮类型材料;
10、根据所述处理剂的成分构造参数,确定所述处理剂的存储影响情况,并判断所述存储影响情况所对应的影响度是否大于等于预设的存储影响度阈值;
11、当判断出所述影响度小于所述存储影响度阈值时,根据所述存储需求量参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数;
12、当判断出所述影响度大于等于所述存储影响度阈值时,根据所述处理剂的成分构造参数以及所述存储需求量参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数。
13、作为一种可选的实施方式,在本发明第一方面中,所述根据所述处理剂的成分构造参数,确定所述处理剂的存储影响情况,包括:
14、获取所述处理剂存储装置的存储环境参数;所述存储环境参数包括存储温度环境参数和/或存储湿度环境参数;
15、当所述处理剂的成分构造参数包括所述处理剂所包含的吸潮类型材料的含量参数时,根据所述处理剂存储装置的存储环境参数以及所述吸潮类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储受潮情况;所述处理剂的存储受潮情况包括所述处理剂的受潮团块大小情况和/或受潮团块密度情况;
16、根据所述存储受潮情况,确定所述处理剂对所述出液设备的第一使用影响情况,作为所述处理剂的存储影响情况;所述第一使用影响情况包括第一使用去污影响情况和/或第一使用杀菌影响情况。
17、作为一种可选的实施方式,在本发明第一方面中,所述存储环境参数还包括存储氧含量环境参数;
18、以及,所述根据所述处理剂的成分构造参数,确定所述处理剂的存储影响情况,还包括:
19、当所述处理剂的成分构造参数包括所述处理剂所包含的氧化类型材料的含量参数时,根据所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况;
20、根据所述存储被氧化情况,确定所述处理剂对所述出液设备的第二使用影响情况,作为所述处理剂的存储影响情况;所述第二使用影响情况包括第二使用去污影响情况和/或第二使用杀菌影响情况。
21、作为一种可选的实施方式,在本发明第一方面中,所述根据所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况,包括:
22、判断所述处理剂存储装置是否处于预设的阳光照射环境,若是,则确定所述阳光照射环境针对所述处理剂存储装置的阳光照射参数;所述阳光照射参数包括阳光照射位置参数、阳光照射强度参数以及阳光照射时间参数中的至少一种;
23、根据所述阳光照射参数,预测所述阳光照射环境对所述处理剂的氧化影响情况,并判断所述氧化影响情况所对应的氧化影响度是否大于等于预设的氧化影响度阈值;
24、当判断出所述氧化影响度大于等于所述氧化影响度阈值时,根据所述氧化影响情况、所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况;
25、当判断出所述氧化影响度小于所述氧化影响度阈值时,根据所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况。
26、作为一种可选的实施方式,在本发明第一方面中,所述根据所述阳光照射参数,预测所述阳光照射环境对所述处理剂的氧化影响情况,包括:
27、确定所述处理剂存储装置的装置外壳参数;所述装置外壳参数包括装置外壳材料类型参数和/或装置外壳透明度参数;
28、根据所述阳光照射参数以及所述装置外壳参数,确定在所述阳光照射环境下,所述处理剂存储装置的装置外壳对所述处理剂的氧化保护情况;所述氧化保护情况包括阳光遮挡情况和/或目标射线吸收情况;
29、根据所述氧化保护情况,预测所述阳光照射环境对所述处理剂的氧化影响情况。
30、作为一种可选的实施方式,在本发明第一方面中,所述根据所述处理剂的消耗参数,判断是否需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作,包括:
31、获取所述处理剂存储装置中所述处理剂的当前存储量参数,并根据基于所述消耗参数所预测出的所述处理剂的存储需求量参数以及所述当前存储量参数,判断所述当前存储量参数是否大于等于所述存储需求量参数;
32、当判断出所述当前存储量参数小于所述存储需求量参数时,确定需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作;
33、当判断出所述当前存储量参数大于等于所述存储需求量参数时,分析所述处理剂存储装置中所述处理剂的存储失效情况,得到所述处理剂的存储失效分析结果;
34、根据所述存储失效分析结果,确定所述处理剂存储装置中所述处理剂的存储失效量参数,并根据所述存储失效量参数以及所述当前存储量参数,确定所述处理剂存储装置中所述处理剂的存储有效量参数;
35、判断所述存储有效量参数是否大于等于所述存储需求量参数,若否,则确定需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作。
36、本发明第二方面公开了一种自适应的处理剂添加控制装置,所述装置包括:
37、分析模块,用于采集用于出液设备消耗分析的用户使用参数,并根据所述用户使用参数,分析所述出液设备所需的处理剂的消耗参数;
38、判断模块,用于根据所述处理剂的消耗参数,判断是否需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作;所述处理剂存储装置用于对所述处理剂进行存储;
39、确定模块,用于当所述判断模块判断结果为是时,根据所述处理剂的消耗参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数;所述添加控制参数用于指示对所述处理剂存储装置执行处理剂添加操作。
40、作为一种可选的实施方式,在本发明第二方面中,所述用户使用参数包括使用频率参数、使用时间参数、使用模式参数以及消耗对象参数中的至少一种,所述处理剂的消耗参数包括所述处理剂的消耗时间参数、消耗频率参数、消耗量参数、消耗速率参数以及消耗比例参数中的至少一种,所述消耗对象表示消耗所述处理剂的对象,所述添加控制参数包括添加时间控制参数和/或添加量控制参数;
41、其中,所述确定模块根据所述处理剂的消耗参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数的方式具体为:
42、根据所述处理剂的消耗参数,预测所述处理剂的存储需求量参数;
43、获取所述处理剂的成分构造参数;所述处理剂的成分构造参数包括所述处理剂所包含的目标材料的含量参数,所述目标材料包括氧化类型材料和/或吸潮类型材料;
44、根据所述处理剂的成分构造参数,确定所述处理剂的存储影响情况,并判断所述存储影响情况所对应的影响度是否大于等于预设的存储影响度阈值;
45、当判断出所述影响度小于所述存储影响度阈值时,根据所述存储需求量参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数;
46、当判断出所述影响度大于等于所述存储影响度阈值时,根据所述处理剂的成分构造参数以及所述存储需求量参数,确定所述处理剂存储装置的添加控制参数。
47、作为一种可选的实施方式,在本发明第二方面中,所述确定模块根据所述处理剂的成分构造参数,确定所述处理剂的存储影响情况的方式具体包括:
48、获取所述处理剂存储装置的存储环境参数;所述存储环境参数包括存储温度环境参数和/或存储湿度环境参数;
49、当所述处理剂的成分构造参数包括所述处理剂所包含的吸潮类型材料的含量参数时,根据所述处理剂存储装置的存储环境参数以及所述吸潮类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储受潮情况;所述处理剂的存储受潮情况包括所述处理剂的受潮团块大小情况和/或受潮团块密度情况;
50、根据所述存储受潮情况,确定所述处理剂对所述出液设备的第一使用影响情况,作为所述处理剂的存储影响情况;所述第一使用影响情况包括第一使用去污影响情况和/或第一使用杀菌影响情况。
51、作为一种可选的实施方式,在本发明第二方面中,所述存储环境参数还包括存储氧含量环境参数;
52、以及,所述确定模块根据所述处理剂的成分构造参数,确定所述处理剂的存储影响情况的方式具体还包括:
53、当所述处理剂的成分构造参数包括所述处理剂所包含的氧化类型材料的含量参数时,根据所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况;
54、根据所述存储被氧化情况,确定所述处理剂对所述出液设备的第二使用影响情况,作为所述处理剂的存储影响情况;所述第二使用影响情况包括第二使用去污影响情况和/或第二使用杀菌影响情况。
55、作为一种可选的实施方式,在本发明第二方面中,所述确定模块根据所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况的方式具体为:
56、判断所述处理剂存储装置是否处于预设的阳光照射环境,若是,则确定所述阳光照射环境针对所述处理剂存储装置的阳光照射参数;所述阳光照射参数包括阳光照射位置参数、阳光照射强度参数以及阳光照射时间参数中的至少一种;
57、根据所述阳光照射参数,预测所述阳光照射环境对所述处理剂的氧化影响情况,并判断所述氧化影响情况所对应的氧化影响度是否大于等于预设的氧化影响度阈值;
58、当判断出所述氧化影响度大于等于所述氧化影响度阈值时,根据所述氧化影响情况、所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况;
59、当判断出所述氧化影响度小于所述氧化影响度阈值时,根据所述处理剂存储装置的存储氧含量环境参数以及所述氧化类型材料的含量参数,预测所述处理剂的存储被氧化情况。
60、作为一种可选的实施方式,在本发明第二方面中,所述确定模块根据所述阳光照射参数,预测所述阳光照射环境对所述处理剂的氧化影响情况的方式具体为:
61、确定所述处理剂存储装置的装置外壳参数;所述装置外壳参数包括装置外壳材料类型参数和/或装置外壳透明度参数;
62、根据所述阳光照射参数以及所述装置外壳参数,确定在所述阳光照射环境下,所述处理剂存储装置的装置外壳对所述处理剂的氧化保护情况;所述氧化保护情况包括阳光遮挡情况和/或目标射线吸收情况;
63、根据所述氧化保护情况,预测所述阳光照射环境对所述处理剂的氧化影响情况。
64、作为一种可选的实施方式,在本发明第二方面中,所述判断模块根据所述处理剂的消耗参数,判断是否需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作的方式具体为:
65、获取所述处理剂存储装置中所述处理剂的当前存储量参数,并根据基于所述消耗参数所预测出的所述处理剂的存储需求量参数以及所述当前存储量参数,判断所述当前存储量参数是否大于等于所述存储需求量参数;
66、当判断出所述当前存储量参数小于所述存储需求量参数时,确定需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作;
67、当判断出所述当前存储量参数大于等于所述存储需求量参数时,分析所述处理剂存储装置中所述处理剂的存储失效情况,得到所述处理剂的存储失效分析结果;
68、根据所述存储失效分析结果,确定所述处理剂存储装置中所述处理剂的存储失效量参数,并根据所述存储失效量参数以及所述当前存储量参数,确定所述处理剂存储装置中所述处理剂的存储有效量参数;
69、判断所述存储有效量参数是否大于等于所述存储需求量参数,若否,则确定需要对所述出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作。
70、本发明第三方面公开了另一种自适应的处理剂添加控制装置,所述装置包括:
71、存储有可执行程序代码的存储器;
72、与所述存储器耦合的处理器;
73、所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码,执行本发明第一方面公开的自适应的处理剂添加控制方法。
74、本发明第四方面公开了一种计算机存储介质,所述计算机存储介质存储有计算机指令,所述计算机指令被调用时,用于执行本发明第一方面公开的自适应的处理剂添加控制方法。
75、与现有技术相比,本发明实施例具有以下有益效果:
76、本发明实施例中,采集用于出液设备消耗分析的用户使用参数,并根据用户使用参数,分析出液设备所需的处理剂的消耗参数;根据消耗参数,判断是否需要对出液设备的处理剂存储装置执行处理剂添加操作,若是,则根据消耗参数,确定处理剂存储装置的添加控制参数,添加控制参数用于指示对处理剂存储装置进行处理剂添加。可见,实施本发明能够基于处理剂的消耗参数智能化地对处理剂存储装置进行处理剂添加,这样,可以提高对处理剂存储装置的添加控制可靠性及准确性,进而可以提高对处理剂的添加及时性及有效性,从而可以减少在存储处理剂时功效变差的情况,以提高后续出液设备的工序执行效果。
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