阵列基板和显示面板的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术：

1、在显示技术领域，薄膜晶体管(thin film transistor，tft)阵列基板是显示面板的重要组成部分，而薄膜晶体管阵列基板的制造牵涉到多道光掩膜(photo mask)的使用。使用光掩膜的数量越多，薄膜晶体管阵列基板的整体工艺流程越长，难度越大，成本越高。为了减少光掩模的使用数量，可将薄膜晶体管的源极设置在氧化物有源层的下方，并使氧化物有源层与下方的源极搭接。然而，此种搭接方式会出现薄膜晶体管器件性能退化，影响器件特征和偏置温度应力(bias temperature stress，bts)特性。

技术实现思路

1、本申请提供一种阵列基板和显示面板，以缓解现有氧化物有源层与源极的搭接方式导致薄膜晶体管器件性能退化的技术问题。

2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

3、本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：

4、衬底；

5、第一导电层，设置于所述衬底的一侧，所述第一导电层包括间隔设置的源极和遮光电极；

6、第二导电层，设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧，所述第二导电层包括阻挡电极，所述阻挡电极与所述源极连接；

7、第一绝缘层，设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧，所述第一绝缘层包括与所述源极对应设置的第一过孔；

8、氧化物有源层，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧，所述氧化物有源层包括沟道部以及位于所述沟道部一侧的源极接触部，在所述阵列基板的厚度方向上，所述沟道部与所述遮光电极对应设置，部分所述源极接触部设置于所述第一过孔内，且与所述阻挡电极连接，所述阻挡电极连接于所述源极接触部和所述源极之间，并对应所述第一过孔设置，所述阻挡电极配置为阻挡所述源极中的金属元素向所述源极接触部扩散；

9、第二绝缘层，设置于所述氧化物有源层远离所述衬底的一侧，所述第二绝缘层与所述沟道部对应设置；

10、第三导电层，设置于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第三导电层包括与所述沟道部对应设置的栅极。

11、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阻挡电极覆盖在所述源极远离所述衬底一侧的表面上，所述第一绝缘层覆盖在部分所述阻挡电极上，且所述第一绝缘层在对应所述阻挡电极的位置设置有所述第一过孔，所述源极接触部与所述第一过孔暴露出的所述阻挡电极连接。

12、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阻挡电极在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影重合。

13、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第二导电层还包括与所述遮光电极对应设置的辅助电极，所述辅助电极覆盖在所述遮光电极远离所述衬底一侧的表面上，所述第一绝缘层还覆盖在所述辅助电极上以及所述遮光电极与所述源极之间的间隙内。

14、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一绝缘层覆盖在部分所述源极上、所述遮光电极上以及所述遮光电极与所述源极之间的间隙内，所述第一过孔暴露出部分所述源极，所述阻挡电极位于所述第一过孔内，并与所述第一过孔暴露出的所述源极连接，所述源极接触部覆盖在所述第一过孔内的所述阻挡电极上。

15、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阻挡电极自所述第一过孔内延伸至所述第一绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，所述源极接触部还覆盖在位于所述第一过孔外的所述阻挡电极上。

16、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一过孔靠近所述源极一侧的开口在所述衬底上的正投影位于所述阻挡电极在所述衬底上的正投影的范围内。

17、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第二导电层的膜层厚度范围为100埃至800埃。

18、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第二导电层的材料包括钼、钛、钼钛合金、氧化铟锡中的一种。

19、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一导电层包括结合层以及位于所述结合层远离所述衬底一侧的主导电层，所述结合层的材料包括钼、钛、钼钛合金中的一种，所述主导电层的材料包括铜。

20、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括：

21、第三绝缘层，设置于所述第三导电层远离所述衬底的一侧；

22、平坦化层，设置于所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧；

23、公共电极，设置于所述平坦化层远离所述衬底的一侧；

24、第四绝缘层，设置于所述公共电极远离所述衬底的一侧，所述氧化物有源层还包括位于所述沟道部远离所述源极接触部一侧的漏极接触部，所述第四绝缘层包括与所述漏极接触部对应设置的第二过孔；

25、像素电极，设置于所述第四绝缘层远离所述衬底的一侧，部分所述像素电极位于所述第二过孔内，并与所述漏极接触部连接。

26、本申请实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板。

27、本申请的有益效果为：本申请提供的阵列基板和显示面板中，阵列基板包括衬底以及设置在衬底上的第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、氧化物有源层，所述第一导电层包括源极，所述第二导电层包括与所述源极连接的阻挡电极，所述第一绝缘层包括与所述源极对应设置的第一过孔，所述氧化物有源层的部分源极接触部设置于所述第一过孔内，且与所述阻挡电极连接，所述阻挡电极连接于所述源极接触部和所述源极之间，并对应所述第一过孔设置，以避免源极接触部与源极直接接触，而所述阻挡电极能够阻挡所述源极中的金属元素向所述源极接触部扩散，以避免源极中的金属元素扩散到氧化物有源层内形成深能级杂质，而导致器件性能退化，影响器件特征和偏置温度应力特性，从而可提高器件的稳定性。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡电极覆盖在所述源极远离所述衬底一侧的表面上，所述第一绝缘层覆盖在部分所述阻挡电极上，且所述第一绝缘层在对应所述阻挡电极的位置设置有所述第一过孔，所述源极接触部与所述第一过孔暴露出的所述阻挡电极连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡电极在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影重合。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层还包括与所述遮光电极对应设置的辅助电极，所述辅助电极覆盖在所述遮光电极远离所述衬底一侧的表面上，所述第一绝缘层还覆盖在所述辅助电极上以及所述遮光电极与所述源极之间的间隙内。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层覆盖在部分所述源极上、所述遮光电极上以及所述遮光电极与所述源极之间的间隙内，所述第一过孔暴露出部分所述源极，所述阻挡电极位于所述第一过孔内，并与所述第一过孔暴露出的所述源极连接，所述源极接触部覆盖在所述第一过孔内的所述阻挡电极上。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡电极自所述第一过孔内延伸至所述第一绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，所述源极接触部还覆盖在位于所述第一过孔外的所述阻挡电极上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔靠近所述源极一侧的开口在所述衬底上的正投影位于所述阻挡电极在所述衬底上的正投影的范围内。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层的膜层厚度范围为100埃至800埃。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层的材料包括钼、钛、钼钛合金、氧化铟锡中的一种。

10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层包括结合层以及位于所述结合层远离所述衬底一侧的主导电层，所述结合层的材料包括钼、钛、钼钛合金中的一种，所述主导电层的材料包括铜。

11.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至11中任一项所述的阵列基板。

技术总结本申请提供一种阵列基板和显示面板中，阵列基板包括衬底以及设置在衬底上的第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、氧化物有源层，第一导电层包括间隔设置的源极和遮光电极，第二导电层包括与源极连接的阻挡电极，第一绝缘层包括与源极对应设置的第一过孔，氧化物有源层包括沟道部以及位于沟道部一侧的源极接触部，部分源极接触部设置于第一过孔内，且与阻挡电极连接，阻挡电极连接于源极接触部和源极之间，并对应第一过孔设置，以避免源极接触部与源极直接接触，而阻挡电极能够阻挡源极中的金属元素向源极接触部扩散，以避免源极中的金属元素扩散到氧化物有源层内形成深能级杂质，而导致器件性能退化，影响器件特征和偏置温度应力特性。技术研发人员：唐甲受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/18