一种由双向TVS管构成的开关电源电压尖峰抑制电路的制作方法

本发明涉及变频器，尤其涉及一种由双向tvs管构成的开关电源电压尖峰抑制电路。

背景技术：

1、针对变频器开关电源电压尖峰吸收的常规方法为通过rcd电路吸收或在此基础上增加单向tvs管进行电压钳位的方式实现，但是该方案电路器件多、成本较高，并且在单板加工过程中可能出现单向tvs管被反向加工的错用情况，从而造成mos管电压尖峰泵升进而造成mos管损坏等问题。

2、因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

技术实现思路

1、本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种由双向tvs管构成的开关电源电压尖峰抑制电路。

2、本发明的技术方案如下：本发明提供一种由双向tvs管构成的开关电源电压尖峰抑制电路，包括：二极管d1、双向tvs管(双向瞬态抑制二极管)d2、电阻r1、电阻r2、电容r1和mos管q1，所述mos管q1为nmos管，所述双向tvs管d2的一端与电源正输入端、变压器t1的初级线圈的一端电性连接，所述双向tvs管d2的另一端与所述二极管d1的负极电性连接，所述二极管d1的正极与所述mos管q1的漏极、变压器t2的初级线圈的另一端电性连接，所述mos管q1的栅极与所述电阻r1的一端、电阻r2的一端、电容c1的一端电性连接，所述mos管q1的源极、电阻r2的另一端、电容c2的另一端与电源负输入端电性连接，所述电阻r1的另一端与pwm信号端电性连接。

3、进一步地，所述pwm信号端输出高低电平给所述电阻r1，从而控制所述mos管q1通断，进而控制所述变压器t1的初级线圈进行充放电。

4、采用上述方案，本发明的有益效果在于：在保证变频器开关电源电压尖峰被有效抑制的同时简化了电路，双向tvs管的应用提高了电路设计、pcb布局和物料使用的容错率，并且还具有反应速度快、瞬态功率大、钳位电压易控制的特点，从一定程度上增强了电压尖峰抑制效果，有助于降低电路成本。

技术特征：

1.一种由双向tvs管构成的开关电源电压尖峰抑制电路，其特征在于，包括：二极管d1、双向tvs管d2、电阻r1、电阻r2、电容r1和mos管q1，所述mos管q1为nmos管，所述双向tvs管d2的一端与电源正输入端、变压器t1的初级线圈的一端电性连接，所述双向tvs管d2的另一端与所述二极管d1的负极电性连接，所述二极管d1的正极与所述mos管q1的漏极、变压器t2的初级线圈的另一端电性连接，所述mos管q1的栅极与所述电阻r1的一端、电阻r2的一端、电容c1的一端电性连接，所述mos管q1的源极、电阻r2的另一端、电容c2的另一端与电源负输入端电性连接，所述电阻r1的另一端与pwm信号端电性连接。

2.根据权利要求1所述的由双向tvs管构成的开关电源电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述pwm信号端输出高低电平给所述电阻r1，从而控制所述mos管q1通断，进而控制所述变压器t1的初级线圈进行充放电。

技术总结本发明公开一种由双向TVS管构成的开关电源电压尖峰抑制电路，包括：二极管D1、双向TVS管D2、电阻R1、电阻R2、电容R1和MOS管Q1，MOS管Q1为NMOS管，双向TVS管D2的一端与电源正输入端、变压器T1的初级线圈的一端电性连接，双向TVS管D2的另一端与二极管D1的负极电性连接，二极管D1的正极与MOS管Q1的漏极、变压器T2初级线圈的另一端电性连接，MOS管Q1的栅极与电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C1的一端电性连接，MOS管Q1的源极、电阻R2的另一端、电容C2的另一端与电源负输入端电性连接，电阻R1的另一端与PWM信号端电性连接。本发明可以提升容错率和电压尖峰抑制效果。技术研发人员：庹兴友,谢秋慧受保护的技术使用者：华远电气股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/21