掩膜版的制作方法

本公开属于显示，具体涉及一种掩膜版。

背景技术：

1、近年来，随着国内amoled显示面板技术的发展成熟，逐渐被广泛应用于手机端显示屏幕。像国内手机厂商华为、小米、oppo/vivo等，其旗舰手机基本上采用的都是oled屏幕。针对小尺寸的客户需求，国内面板厂商在小尺寸领域竞争日益激烈。为扩大产品应用范围，各大面板厂商都在平板、车载、电视、电竞等领域加大相关产品研发。

2、在中、大尺寸显示面板研发中，因为显示器的尺寸变大导致对应的光罩掩膜版(photo mask)亦同步变大，同时对应的光罩掩膜版内部的有效图形(例如，铬膜，cr)面积也在加大。这就导致光罩掩膜版本身更易积聚静电，增加了静电炸伤风险(esd，electro-static discharge)。

技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够改善光罩掩膜版本身静电炸伤问题的掩膜版。

2、第一方面，本公开提供一种掩膜版，其包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的第一防静电结构和多个掩膜图案；

3、所述第一防静电结构在所述衬底基板上的正投影覆盖各所述掩膜图案在所述衬底基板上的正投影；

4、所述第一防静电结构包括多条导线；

5、所述导线的宽度小于或者等于0.6um。

6、在一些示例中，所述多条导线包括交叉设置的第一导线和第二导线。

7、在一些示例中，所述掩膜版划分为掩膜区域和环绕所述掩膜区域的周边区域；各所述掩膜图案位于所述掩膜区域；

8、所述掩膜版还包括第二防静电结构；所述第二防静电结构包括第一防静电组件，所述第一防静电组件位于所述周边区域，且环绕所述掩膜区域。

9、在一些示例中，还包括位于两相邻行所述掩膜图案之间的第二防静电组件，所述第二防静电组件由所述掩膜区域延伸至所述周边区域，并与所述第一防静电组件连接；和/或，

10、还包括位于两相邻列所述掩膜图案之间的第二防静电组件，所述第二防静电组件由所述掩膜区域延伸至所述周边区域，并与所述第一防静电组件连接。

11、在一些示例中，所述掩膜版还包括多个冗余图案；一个所述冗余图案环绕一个所述掩膜图案，且所述冗余图案与所述第二防静电组件连接。

12、在一些示例中，所述掩膜版划分为掩膜区域和环绕所述掩膜区域的周边区域；各所述掩膜图案位于所述掩膜区域；

13、所述掩膜版还包括设置在所述衬底基板上，且位于所述周边区域的掩膜框架，所述掩膜框架用于固定所述掩膜图案。

14、在一些示例中，所述掩膜版还包括与所述掩膜图案同层设置的第三防静电结构；所述第三防静电结构设置在所述掩膜图案与所述掩膜框架之间，且所述第三防静电结构分别与所述掩膜图案、所述掩膜框架连接。

15、在一些示例中，所述第三防静电结构包括弯折走线结构，所述弯折走线结构的第一端与所述掩膜图形连接，第二端与所述掩膜框架连接。

16、在一些示例中，所述第三防静电结构包括第三防静电组件和第四防静电组件；

17、所述第三防静电组件包括第一连接部和与所述第一连接部连接的至少一个第一尖端部；所述第四防静电组件包括第二连接部和与所述第二连接部连接的至少一个第二尖端部；

18、所述第一尖端部和所述第二尖端部对置，且所述第一连接部与所述掩膜图形连接，所述第二连接部与所述掩膜框架连接。

19、在一些示例中，所述第三防静电结构中的所述第一尖端部和所述第二尖端部均为多个，且所述第一尖端部和所述第二尖端部一一对置，或者所述第一尖端部和所述第二尖端部交替设置。

20、在一些示例中，所述第三防静电结构中的所述第一尖端部和所述第二尖端部均为多个，且多个所述第一尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第一尖端部长度相等；多个所述第二尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第二尖端部长度相等。

21、在一些示例中，所述第三防静电结构中的所述第一尖端部和所述第二尖端部均为多个，且所述第一尖端部之间的间距沿所述第一尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等；所述第二尖端部之间的间距沿所述第二尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等。

22、在一些示例中，所述第三防静电结构还包括与所述第一尖端部和所述第二尖端部交叉设置的第三尖端部，所述第一尖端部、所述第二尖端部均和所述第三尖端部均为多个，且长度均不相等。

23、在一些示例中，所述第三防静电结构包括第三连接部、多个第五防静电组件和多个第六防静电组件；所述第五防静电组件均与所述第三连接部连接，且所述第五防静电组件包括至少一个第五尖端部；所述第六防静电组件包括主体部，和在所述主体部与所述第五防静电组件对置的侧边连接的至少一个第四尖端部。

24、在一些示例中，对于每个所述主体部和与之相邻的所述主体部，二者对置的侧边上均设置有至少一个所述第四尖端部。

25、在一些示例中，所述第五防静电组件中的第五尖端部和所述第六防静电组件中的所述第四尖端部均为多个，且所述第五尖端部和所述第四尖端部一一对置，或者所述第五尖端部和所述第四尖端部交替设置。

26、在一些示例中，所述第五防静电组件中的第五尖端部和所述第六防静电组件中的所述第四尖端部均为多个，且多个所述第五尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第五尖端部长度相等；多个所述第四尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第四尖端部长度相等。

27、在一些示例中，所述第五防静电组件中的所述第五尖端部和所述第六防静电组件中的所述第四尖端部均为多个，且所述第五尖端部之间的间距沿所述第五尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等；所述第四尖端部之间的间距沿所述第四尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等。

28、在一些示例中，所述掩膜版划分为掩膜区域和环绕所述掩膜区域的周边区域；各所述掩膜图案位于所述掩膜区域；

29、所述掩膜版还包括位于所述周边区域的支撑结构，以及位于所述支撑结构背离所述掩膜图案一侧的保护膜。

技术特征：

1.一种掩膜版，其包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的第一防静电结构和多个掩膜图案；

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述多条导线包括交叉设置的第一导线和第二导线。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述掩膜版划掩膜区域和环绕所述掩膜区域的周边区域；所述多个掩膜图案位于所述掩膜区域；

4.根据权利要求3所述的掩膜版，其中，还包括位于两相邻行所述掩膜图案之间的第二防静电组件，所述第二防静电组件由所述掩膜区域延伸至所述周边区域，并与所述第一防静电组件连接；和/或，

5.根据权利要求4所述的掩膜版，其中，所述掩膜版还包括多个冗余图案；一个所述冗余图案环绕一个所述掩膜图案，且所述冗余图案与所述第二防静电组件连接。

6.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述掩膜版划分为掩膜区域和环绕所述掩膜区域的周边区域；各所述掩膜图案位于所述掩膜区域；

7.根据权利要求6所述的掩膜版，其中，所述掩膜版还包括与所述掩膜图案同层设置的第三防静电结构；所述第三防静电结构设置在所述掩膜图案与所述掩膜框架之间，且所述第三防静电结构分别与所述掩膜图案、所述掩膜框架连接。

8.根据权利要求7所述的掩膜版，其中，所述第三防静电结构包括弯折走线结构，所述弯折走线结构的第一端与所述掩膜图形连接，第二端与所述掩膜框架连接。

9.根据权利要求7所述的掩膜版，其中，所述第三防静电结构包括第三防静电组件和第四防静电组件；

10.根据权利要求9所述的掩膜版，其中，所述第三防静电结构中的所述第一尖端部和所述第二尖端部均为多个，且所述第一尖端部和所述第二尖端部一一对置，或者所述第一尖端部和所述第二尖端部交替设置。

11.根据权利要求9所述的掩膜版，其中，所述第三防静电结构中的所述第一尖端部和所述第二尖端部均为多个，且多个所述第一尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第一尖端部长度相等；多个所述第二尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第二尖端部长度相等。

12.根据权利要求9所述的掩膜版，其中，所述第三防静电结构中的所述第一尖端部和所述第二尖端部均为多个，且所述第一尖端部之间的间距沿所述第一尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等；所述第二尖端部之间的间距沿所述第二尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等。

13.根据权利要求9所述的掩膜版，其中，所述第三防静电结构还包括与所述第一尖端部和所述第二尖端部交叉设置的第三尖端部，所述第一尖端部、所述第二尖端部均和所述第三尖端部均为多个，且长度均不相等。

14.根据权利要求7所述的掩膜版，其中，所述第三防静电结构包括第三连接部、多个第五防静电组件和多个第六防静电组件；所述第五防静电组件均与所述第三连接部连接，且所述第五防静电组件包括至少一个第五尖端部；所述第六防静电组件包括主体部，和在所述主体部与所述第五防静电组件对置的侧边连接的至少一个第四尖端部。

15.根据权利要求14所述的掩膜版，其中，对于每个所述主体部和与之相邻的所述主体部，二者对置的侧边上均设置有至少一个所述第四尖端部。

16.根据权利要求14所述的掩膜版，其中，所述第五防静电组件中的第五尖端部和所述第六防静电组件中的所述第四尖端部均为多个，且所述第五尖端部和所述第四尖端部一一对置，或者所述第五尖端部和所述第四尖端部交替设置。

17.根据权利要求14所述的掩膜版，其中，所述第五防静电组件中的第五尖端部和所述第六防静电组件中的所述第四尖端部均为多个，且多个所述第五尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第五尖端部长度相等；多个所述第四尖端部中越靠近中间的长度越长或者各所述第四尖端部长度相等。

18.根据权利要求14所述的掩膜版，其中，所述第五防静电组件中的所述第五尖端部和所述第六防静电组件中的所述第四尖端部均为多个，且所述第五尖端部之间的间距沿所述第五尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等；所述第四尖端部之间的间距沿所述第四尖端部的排布方向单调增、单调减或者相等。

19.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述掩膜版划分为掩膜区域和环绕所述掩膜区域的周边区域；各所述掩膜图案位于所述掩膜区域；

技术总结本公开提供一种掩膜版，属于显示技术领域。本公开的掩膜版包括衬底基板、设置在衬底基板上的第一防静电结构和多个掩膜图案；第一防静电结构在衬底基板上的正投影覆盖各掩膜图案在衬底基板上的正投影；第一防静电结构包括多条导线；导线的宽度小于或者等于0.6um。技术研发人员：张凡,张锴,孙华平,胡文博,李旭东,龙再勇,刘运阳,李志威受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2