包含绝缘层的多层结构体的制作方法

本发明涉及具备由与铜箔平滑面具有高粘接性的组合物形成的绝缘层的多层结构体。

背景技术：

1、随着通信频率向千兆赫频带及千兆赫频带以上的高频带发展，对于由包含具有低介电特性的绝缘材料的ccl、fccl形成的多层基板的需求增高。全氟乙烯等氟系树脂具有优异的低介电常数、低介电损耗性和耐热性优异的特征，但在成型加工性、膜成型性方面是困难的，另外，在与布线的铜箔的粘接性方面也存在课题，因此难以应用于多层基板。另一方面，使用了环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂等后固化树脂的基板、绝缘材料因其耐热性、易操作性而被广泛使用，但介电常数、介电损耗较高，作为高频用的绝缘材料，期望得到改善(专利文献1)。

2、因此，本质上具有低介电特性的烃系树脂备受瞩目。原来，为了将作为热塑性树脂的烃系树脂制成固化性树脂，需要导入官能团，但一般而言，与自由基进行反应或进行热反应的官能团具有极性，因此低介电特性会恶化。想要导入仅由烃构成的官能团、例如芳香族乙烯基时，利用昂贵的烃系单体间的分子间反应的情况较多(专利文献2)，在很多情况下并不经济。专利文献3中示出一种固化体，其是由特定的配位聚合催化剂得到的，并且包含具有特定的组成和配合的乙烯-烯烃(芳香族乙烯基化合物)-芳香族多烯共聚物、非极性乙烯基化合物共聚物。在该技术的情况下，芳香族多烯(二乙烯基苯)的2个乙烯基之中仅一个被选择性地共聚而剩余的乙烯基被保存，因此能够容易地得到具有芳香族乙烯基的官能团的烃系共聚物大分子单体。由同样的烯烃-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物及其与副原料等的组合物得到的固化体具有低介电常数、低介质损耗角正切这样的特征，通过对组成、适当的副原料的选择，能赋予软质～硬质的广泛的物性(专利文献4、5)。另外，这些材料如实施例中所示的那样，能够与铜箔粗糙化面显示出高粘接性(粘接强度)。因此，认为适合于高频信号用的各种基板材料、绝缘材料。

3、但是，尤其是在作为微带线等高频传输线、天线、多层基板用的层间绝缘材料、覆盖层(coverlay)的用途的情况等时，绝缘材料与铜箔的平滑面相接，要求与铜箔平滑面的高粘接强度(剥离强度)。尤其是对于片材形状、膜形状的层间绝缘材料而言，至少其一部分、或至少一面与铜箔的平滑面相接，要求与铜箔的平滑面的高粘接强度。但是，在所公开的专利文献中，并没有公开向绝缘材料赋予针对铜箔平滑面的高粘接性(粘接强度)的技术。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开平6-192392号公报

7、专利文献2：日本特开2004-087639号公报

8、专利文献3：日本特开2007-217706号公报

9、专利文献4：国际公开第2021/112087号

10、专利文献5：国际公开第2021/112088号

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、针对上述的现有技术，期望提供作为具有与铜箔平滑面显示出高粘接强度的绝缘层i(本说明书中也记载为“层间绝缘材料”)的多层基板有用的多层结构体。

3、用于解决课题的手段

4、即，本申请中，能够提供解决上述课题的下述方式。

5、方式1.

6、多层结构体，其特征在于，包含：

7、一层以上的绝缘层、

8、一层以上的树脂层、和

9、具有平滑面及粗糙化面的一张以上的铜箔，

10、所述多层结构体中，

11、前述绝缘层包含烯烃-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物和表面改性剂，

12、前述树脂层包含选自聚酰亚胺(pi)、液晶聚合物(lcp)、聚苯醚(ppe)、多官能芳香族乙烯基树脂(odv)、环氧树脂、及与前述绝缘层相同的组成中的一种以上，

13、前述绝缘层各自所具有的至少一个面与前述铜箔的平滑面粘接，

14、关于各个前述树脂层，前述树脂层所具有的至少一个面与前述铜箔的粗糙化面粘接并且前述树脂层不与前述铜箔的平滑面粘接，或者前述树脂层所具有的两个面均不与前述铜箔粘接。

15、方式2.

16、如方式1所述的多层结构体，其中，前述绝缘层的至少一个面具有向层叠方向凹陷的部位，通过以使前述铜箔收纳于该凹陷的部位的方式粘接，从而具有该面的一部分与前述铜箔的平滑面粘接、并且该面的另一部分与前述树脂层粘接的构成。

17、方式3.

18、如方式1或2所述的多层结构体，其中，前述表面改性剂为硅烷偶联剂。

19、方式4.

20、如方式1～3中任一项所述的多层结构体，其中，前述烯烃-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物满足下述(1)～(4)的条件中的全部。

21、(1)共聚物的数均分子量为500以上且小于10万。

22、(2)芳香族乙烯基化合物单体为碳原子数8以上20以下的芳香族乙烯基化合物，芳香族乙烯基化合物单体单元的含量为0～70质量％以下或0～98质量％以下。

23、(3)芳香族多烯为选自在分子内具有多个乙烯基及/或亚乙烯基的碳原子数5以上20以下的多烯中的一种以上，并且来自芳香族多烯单元的乙烯基及/或亚乙烯基的含量按单位数均分子量计为1.5个以上且小于20个。

24、(4)烯烃为选自碳原子数2以上20以下的烯烃中的一种或多种，烯烃单体单元的含量为10质量％以上，前述烯烃单体单元、芳香族乙烯基化合物单体单元与芳香族多烯单体单元的合计为100质量％。

25、方式5.

26、如方式1～4中任一项所述的多层结构体，其中，前述绝缘层还包含选自以下的(a)～(c)中的一种或多种。

27、(a)固化剂

28、(b)选自烃系弹性体、聚苯醚系树脂、芳香族多烯系树脂中的一种或多种树脂

29、(c)极性单体

30、方式6.

31、如方式1～5中任一项所述的多层结构体，其中，前述绝缘层中的前述表面改性剂的含量相对于前述烯烃-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物100质量份而言为0.001～10质量份。

32、方式7.

33、固化多层结构体，其是将方式1～6中任一项所述的多层结构体固化而形成的。

34、方式8.

35、高频传输线、多层ccl基板、多层fccl基板、天线或覆盖层，其包含方式7所述的固化多层结构体。

36、发明效果

37、本发明中，通过将显示出低介电常数、低介质损耗角正切和低吸水率、高绝缘性的绝缘层以高粘接强度(剥离强度)与铜箔平滑面粘接，从而能够提供作为高频多层基板有用的多层结构体。

技术特征：

1.多层结构体的制造方法，所述多层结构体包含：

2.多层结构体的制造方法，所述多层结构体包含：

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其还包括形成与所有铜箔均不粘接的第二树脂层的步骤。

4.如权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其还包括通过利用蚀刻将所述第一铜箔的一部分除去从而使所述第一铜箔的平滑面及所述第一树脂层的所述面的一部分为开放的状态的步骤。

5.如权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，所述表面改性剂为硅烷偶联剂。

6.如权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其中，所述烯烃-芳香族乙烯基化合物-芳香族多烯共聚物满足下述(1)～(4)的条件中的全部，

7.固化多层结构体的制造方法，其包括将通过权利要求1～6中任一项所述的制造方法得到的多层结构体固化的步骤。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中，所述固化包括进行加热及/或加压的工序。

技术总结本申请涉及包含绝缘层的多层结构体。多层结构体，其特征在于，包含一层以上的绝缘层、一层以上的树脂层、和具有平滑面及粗糙化面的一张以上的铜箔，所述多层结构体中，前述绝缘层包含烯烃‑芳香族乙烯基化合物‑芳香族多烯共聚物和表面改性剂，前述树脂层包含选自聚酰亚胺(PI)、液晶聚合物(LCP)、聚苯醚(PPE)、多官能芳香族乙烯基树脂(ODV)、环氧树脂、及与前述绝缘层相同的组成中的一种以上，前述绝缘层各自所具有的至少一个面与前述铜箔的平滑面粘接，关于各个前述树脂层，前述树脂层所具有的至少一个面与前述铜箔的粗糙化面粘接并且前述树脂层不与前述铜箔的平滑面粘接，或者前述树脂层所具有的两个面均不与前述铜箔粘接。技术研发人员：荒井亨,菅藤谅介受保护的技术使用者：电化株式会社技术研发日：技术公布日：2025/1/6