具有两个晶体管条带区段之间的绝缘连接面的半桥模块的制作方法

背景技术：

1、具有电驱动装置的车辆具有电机，以可切换方式对所述电机的绕组通电。为了能够实现通常超过100kw的所需要的功率，使用通常超过100安培的高电流和通常超过100v、尤其是800v的工作电压。由此使用在短时间内产生具有高电流摆幅的切换沿的功率晶体管对绕组进行切换式通电。尤其是为了实现晶体管的更加短的切换沿或更高的电流上升速率，使用极端快速切换的晶体管，如sic晶体管。为了能够有效地尤其是使用这种快速切换的晶体管，需要非常低感应的接线，其中也可以考虑信号渡越时间以可靠地切换。本发明的任务是表明可以将高性能晶体管以低感应方式接线成半桥的可能性。

技术实现思路

1、该任务由根据权利要求1所述的半桥模块来实现。进一步的特性、特征、实施方式和优点利用从属权利要求、说明书和附图得出。

2、提出将载体的印制导线层细分成两个条带区段和处于条带区段之间的中间区段。这些区段是条带形的并且在相同的方向上延伸。因此，这些条带(垂直于条带的纵向来看)叠置，其中中间区段处于先提到的条带区段之间。中间区段两侧的两个条带区段是为晶体管设置的，所述晶体管例如可以作为裸片(无外壳的半导体器件)施加在那里。实现低的总电感，其方式是在中间区段中存在绝缘连接面，所述绝缘连接面由于其接近而能够实现进入上部第一条带区段的直接且短的连接，并且其中另一方面可以设置功率接触场，所述功率接触场直接靠近下部(第二)条带区段，使得绝缘连接面上的接触点可以直接位于第二条带区段的接触点旁边。由此，给出了绝缘连接面和下部第二条带区段的接触可能性，所述接触可能性保证连接面和第二条带区段的连接之间的非常小的面积，因为连接面和第二条带区段直接相邻。另一方面，保证从连接面到上部第一条带区段的电流连接同样可以非常短，因为绝缘连接面同样毗连第一(上部)条带区段或邻接所述第一(上部)条带区段。由此，通过连接面邻接两个条带区段，得出低电感接线。第一和第二条带区段设置在连接面的两侧。

3、第一面在(上部)第一条带区段中延伸，并且此外包括延伸到中间区段中、优选地一直延伸至(下部)第二条带区段的连接面区段。这使得能够将第一面的电位直接、低电感地连接到(下部)第二条带区段中的接触点。由于连接面区段，第一面邻接(下部)第二条带区段，使得非常短的连接成为可能。术语“下部”和“上部”涉及例如在图1中所示的模块的俯视图，在图1中载体或印制导线层的纵向从左通向右。术语“条带区段”也缩写地用作“条带”。条带彼此对准，尤其是在垂直于第一方向的方向上(即垂直于纵向)。

4、由此在中间区段中，连接面区段(尤其是作为在第一条带中延伸的第一面的一部分)和绝缘连接面沿着条带的伸展(也即沿着第一方向或纵向)交替。绝缘连接面和在第一条带区段和中间区段上延伸的第一面邻接(下部)第二条带区段，但优选地经由印制导线层中的沟槽与所述(下部)第二条带区段电分离。对于连接面区段(即第一面的部分)，这意味着与第二(下部)条带区段的非常短的连接可能性，并且对于绝缘连接面，这意味着非常靠近第二(下部)条带区段的接触可能性的接触可能性。由此，至这些接触部位的馈送装置可以彼此非常靠近。从馈送装置的紧密敷设中得出低电感。

5、最后，也在(上部)第一条带区段中延伸的第一面的连接面区段能够实现用于基本上位于第一和第二条带区段之间的中心的馈送装置的接触部位。由此用于馈送装置的接触点距诸如晶体管之类的位于条带区段中或条带区段上的器件大致同宽地布置。得出到不同条带区段的晶体管大致相同的信号渡越时间。由此，由第一条带区段上或中的器件产生的切换沿与在第二条带区段中或上出现的切换沿大致同时到达连接面区段上的接触区段。由此避免在操控时的非对称性，使得不必在控制中适配信号渡越时间。相反，两个条带的器件的时间对称性仅通过印制导线层的布局得出。在这里使用的术语尤其是涉及图1的图示，其将在附图描述中得到更详细的讨论。在这里所描述的条带区段尤其是可以装备有晶体管并且因此也称为晶体管条带区段。

6、在这里描述的印制导线层具有以下布局，所述布局具有第一面、第二面和绝缘连接面。这三个元件在印制导线层中彼此分离并且尤其是通过印制导线层的结构电分离。因此，印制导线层的面是隔开的；印制导线层的结构设置了面的电分离。面的分离可以通过蚀刻或铣削或其他结构化的成形措施来设置。

7、印制导线层此外在几何上被划分成两个条带区段和位于其间的中间区段。这种划分成区段仅仅是想象上的或功能上的，而这些面在印制导线层中在实体上并且尤其是在电气上彼此分离。划分成条带并不一定必须意味着电气细分，但并不排除所述电气细分。条带区段和中间区段直接排列成行(在垂直于第一方向的方向上)。这些区段优选地完全覆盖载体或其功率区域。尤其是，这些区段在垂直于第一方向的方向上对准。与面一样，区段涉及载体的最大侧面(即在俯视图中，而不是横截面)。印制导线层尤其是是载体的导电外层。条带区段尤其是分别从印制导线层的外边缘一直延伸至中间区段。这些外边缘沿着第一方向延伸，并且尤其是沿着载体的最长边缘延伸。条带区段和中间区段优选地从印制导线层的一侧延伸到相对的侧，其中这些侧垂直于外边缘。在矩形载体的情况下，这些侧是矩形的较短边，并且外边缘是矩形的较长边。

8、第一面在第一条带区段上以及在从第一条带区段伸入到中间区段并且尤其是邻接第二条带区段的连接面区段上延伸。连接面区段和第一面的位于第一条带区段中的部分优选地通过一体式构造或者也通过电连接元件彼此电连接。第一面与第二面(通过印制导线层的结构)电绝缘，因为印制导线层在所述第一面和第二面之间具有空隙，所述空隙延伸穿过印制导线层的整个厚度。该空隙或所得出的沟槽在第二面和连接面区段之间延伸。

9、一方面，绝缘连接面由第一面的连接面区段(在中间区段内)和由在第一条带区段中延伸的第一面(的一部分)包围，并且此外由第二面(的区段)包围。第二面可以具有基本上沿着第一方向延伸的边缘(条带区段或中间区段也沿着所述第一方向延伸)。第一面和连接面达到该边缘(除了电分离的沟槽之外)。与此平行的边缘可以对应于外边缘。

10、连接面区段和绝缘连接面一直达到第二面。然而，连接面区段和绝缘连接面通过印制导线层中的结构与第二面电绝缘。在第一面、第二面和连接面之间，印制导线层具有延伸穿过印制导线层的整个厚度的绝缘结构。这些结构优选地是凹部，例如空隙或沟槽。这些面之间所得出的距离可以对应于最小爬电距离，以便由此保证面彼此充分绝缘。

11、第一面、第二面和连接面在同一印制导线层中延伸。因此，印制导线层仅由将第二面与第一面和连接面分离的沟槽以及将绝缘连接面与第一面分离的沟槽结构化。尤其是，连接面和连接面区段可以沿着第一方向多次相继地重复，以便由此能够实现关于渡越时间对称的连接。这尤其保证了第一面上的器件和第二面上的器件在电气方面相同类型地接触(即关于连接的单位长度电感、关于渡越时间以及关于连接的电阻)。

12、印制导线层的一侧优选地构成载体的外侧。换句话说，印制导线层优选地不是多层载体的中间层，而是构成载体的上侧或下侧。载体此外具有绝缘体层，印制导线层施加在所述绝缘体层上。印制导线层尤其是金属层，例如由铜或铜材料或者由铝或铝材料制成的层。绝缘体可以是塑料、塑料复合材料或优选地陶瓷绝缘体。载体例如可以被构造为电路板，例如印刷电路板、dcb电路板或ims电路板。载体可以被构造为单层的，其中该分层由印制导线层构成，或者可以构成为多层的，其中两个分层之一由印制导线层构成。还可以在载体内设置另外的导电分层，其中印制导线层是载体的外层。外层可以配备有绝缘覆层。在用于引线的接触部位或器件要紧固在的区域处移除覆层。

13、印制导线层被构造为结构化的，即形成印制导线结构。这些印制导线结构包括如在本文描述的第一面、第二面和/或绝缘连接面。尤其是，印制导线层在一个平面中延伸。在载体以单层构造的情况下，可以在载体的背离印制导线层的侧上与散热器连接。载体的绝缘层可以与散热器连接，或者载体的导电层可以与设置在印制导线层的相对侧上的散热器连接。半桥模块可以以已装备的方式或未装备的方式来设置。

14、该载体尤其是用在半桥模块内。(已装备的)半桥模块具有多个彼此并联连接的高侧晶体管和多个并联连接的低侧晶体管。高侧晶体管经由连接点与低侧晶体管串联连接。连接点可以用作相端子或负载端子，而该串联电路的两个端部可以与供电电压、即与两个供电电位连接。在使用本设计方案的情况下，可以将高侧晶体管放置在第二条带区段(或第二面上)，而可以将低侧晶体管布置在第一条带区段上(或第一面上，优选地布置在第一条带区段中)。由于提到的两个条带区段适用于放置晶体管，所以这些条带也称为晶体管条带。

15、载体可以具有矩形形状，其中长边对应于条带区段也沿其延伸的第一方向。第一条带区段、中间区段和第二条带区段与此横向地排列成行。载体此外可以具有功率区段，条带区段和中间区段位于所述功率区段上，并且载体此外可以具有至少一个其他区段，例如用于连接技术、滤波器、控制等。然而，载体优选地以两个条带区段的边缘端接。条带区段彼此相对地布置，其中与此垂直的边缘在纵向上端接条带区段和中间区段。第一方向优选地沿着载体的矩形形状的较长边缘延伸，但是也可以沿着载体的矩形形状的较短边缘延伸。

16、因此提出一种具有载体的半桥模块，所述载体拥有印制导线层。载体尤其是被施加到绝缘体层上并且拥有未覆盖表面(上侧)，所述表面与印制导线层的邻接所述绝缘体层的侧(下侧)相对。印制导线层拥有条带形式的三个区段。这些条带分别沿着第一方向延伸。条带在该方向上彼此平行地延伸。印制导线层拥有第一晶体管条带区段、第二晶体管条带区段和中间区段(也可以称为条带中间区段，因为它与其他两个条带区段一样具有条带形状)。条带区段的形状尤其是矩形的形状，其中每个矩形的长度对应于印制导线层的长度，条带区段和中间区段一起的宽度的总和得出印制导线层的宽度。

17、印制导线层被结构化并且根据如上所提及的布局来构造。中间区段位于第一晶体管条带区段和第二晶体管条带区段之间。因此横向于第一方向、即沿着印制导线层的宽度存在排列：第一晶体管条带区段、中间区段和第二晶体管条带区段。这些区段尤其是涉及印制导线层在其中延伸的平面。因此，条带在相同的面或在相同的平面中延伸。条带区段和中间区段优选地大部分或完全地填充印制导线层。条带区段和中间区段是印制导线层的功能细分，并且不一定也是电气细分。尤其是，存在不仅在第一条带区段中而且在中间区段中延伸的第一面，其中在中间区段中延伸的面子区段和在第一条带区段中延伸的面子区段之间不存在电气细分。

18、第一面的连接面区段在中间区段中延伸。该第一面还在第一晶体管条带区段中延伸。连接面区段与在第一条带区段中延伸的面电连接。优选地，第一条带区段基本上完全或至少大部分地由第一面填充，其中在中间区段中仅中间区段的子区域由第一面覆盖(并且构成连接面区段)。

19、在中间区段中还存在绝缘连接面。这些绝缘连接面与中间区段的子区域完全一样地填充。然而，这些子区域不与连接面区段重叠。尤其是，连接面区段与连接面电分离。连接面和连接面区段之间的电分离或绝缘涉及为了电分离可以在印制导线层中具有分离结构的印制导线层。换句话说，连接面与连接面区段通过以下方式绝缘，即印制导线层的表示连接面的面在印制导线层中与连接面区段分离。然而，这并不一定意味着这两个面可以在印制导线层之外彼此电连接，例如经由器件等间接电连接。因此，连接面与连接面区段绝缘，使得印制导线层本身不在这两个面或面区段之间建立连接。连接面相对于连接面区段的绝缘通过印制导线层中的实体分离来产生，例如其方式是在连接面与连接面区段之间设置沟槽。以相同的方式，第二条带区段中的第二面(同一个印制导线层)可以不仅与连接面区段而且与连接面分离。

20、在中间区段中，绝缘连接面和连接面区段沿着第一方向交替。第一方向沿着条带区段的纵向或者印制导线层或载体或中间区段的纵向延伸。该第一方向垂直于第二方向。第一方向和第二方向是印制导线层在其中以平面方式延伸的方向。两个方向都垂直于印制导线层的厚度的延伸。

21、第一条带区段、中间区段以及第二条带区段沿着第二方向彼此排列成行。换句话说，在第二方向上，位于第一条带区段中的第一面的区域、在第一方向上交替的连接面区段和连接面以及再次第二面或第二条带区段排列成行。由于连接面区段和连接面在第一方向上(并且在中间区段内)交替，因此尤其是得出第一条带区段、连接面区段和第二条带区段在第一纵向位置排列成行，而第一条带区段、连接面以及第二条带区段在第二纵向位置排列成行。在垂直于第一方向的第一截面中，第一面(包括连接面区段在内)可以邻接第二面，而在垂直于第一方向的第二截面中，第一面、连接面和第二面排列成行。第一截面和第二截面在第一方向(即纵向)上处于不同的位置处。

22、优选地，连接面区段邻接第二晶体管条带区段。印制导线层的大部分或基本上完全延伸到第二条带区段中的第二面与连接面区段(其属于第一面)电绝缘。连接面优选地同样邻接第一晶体管条带区段，但是优选地与(尤其)在第一条带区段中延伸的第一面电分离。连接面在印制导线层内与连接面区段电分离。在这里提及的面尤其是由印制导线层构成的导电分层的导电表面。这些区段涉及印制导线层的几何划分并且不一定应该被理解为印制导线层的电分离的子区域。第一面在第一条带区段中延伸并且(作为连接面区段)在中间区段中延伸(并且因此在不同条带的面区域之间存在连接)，而第二面在第二条带区段中延伸，使得第二条带区段中的面在印制导线层内与中间区段分离并且与第一条带区段分离。第一条带区段内的面和中间区段中的面与第二条带区段中的面分离地设置。该分离通过印制导线层中的分离结构设置。

23、连接面区段或第一面和/或连接面邻接第二晶体管条带区段，但是不(借助于印制导线层)与位于第二条带区段中的第二面电连接。连接面尤其是邻接第二条带区段，但是不(借助于印制导线层)与位于第二条带区段中的第二面连接。优选地，连接面被设置为通过印制导线层与第一面电分离，尤其是与第一面的位于第一条带区段中的部分以及与连接面区段电分离。印制导线层可以由此起分离作用，其方式是印制导线层在印制导线或焊盘中被结构化或者具有分离结构，如待分离的面之间的凹部。印制导线层尤其是通过以下方式起绝缘作用，其方式是所述印制导线层具有延伸穿过印制导线层的整个厚度的沟槽或凹部。这些沟槽或空隙或凹部设置了印制导线层的面、面区段或面子区域之间的实体分离。然而，载体包括至少一个绝缘层，印制导线层紧固在所述绝缘层上，使得尽管印制导线层中的实体分离也仍存在机械连接(然而，所述机械连接电绝缘)。

24、连接面区段优选地朝向第二晶体管条带区段加宽。换句话说，第一面的表示连接面区段的部分朝向第二晶体管条带区段加宽。因此，加宽沿着第二方向或垂直于第一方向发生，尤其是在印制导线层的平面中。可替代地或与此组合，连接面朝向第二晶体管条带区段逐渐变细。在此情况下，减小的宽度称为逐渐变细。该逐渐变细或减小的宽度也涉及沿着第二方向的伸展。加宽或逐渐变细涉及有关面或区段在纵向上、即沿着第一方向的尺寸。可替代地，连接面区段的宽度可以从第一条带区段到第二条带区段保持相同或也减小。以相同的方式，连接面可以从第一条带区段至第二条带区段加宽，或者宽度保持相同。在这里，纵向(＝第一方向)上的尺寸也被认为是宽度。作为替代的可能性，可以规定，连接面在其邻接第一条带区段的部位处具有比在其邻接第二面或第二条带区段的部位或边缘处更大的宽度。在这些部位之间，伸展也可以是不持续的或者设置逐渐变细和加宽。此外，连接面区段的宽度在其邻接第一条带区段的部位处优选地比在以下边缘处更小，连接面区段以该边缘邻接第二条带区段或第二面。印制导线层的厚度优选是恒定的(除了该印制导线层具有凹部的部位之外)。

25、连接面可以在邻接第一条带区段的区域中具有多个连接部位。至少一个连接器可以从每个连接部位延伸到第一条带区段中，优选地延伸到用于器件的安装面或延伸到器件本身。此外，连接面可以具有尤其是带有被设置用于接触供电电位的连接元件的链接部位。此外，连接面区段可以在连接面区段的邻接第二条带区段的区域中具有多个连接部位。至少一个连接器可以从每个连接部位延伸到第二条带区段中，尤其是延伸到用于器件的安装面或延伸到器件本身。如果多个连接器从连接部位延伸，则这些连接器可以与条带区段之一中的多个器件连接或通向有关条带区段中的多个安装面。此外，从同一连接部位延伸出来的多个连接器可以与条带区段之一中的同一器件连接或通向同一安装面，以便由此增加载流能力。多个连接器组可以从至少一个连接面和/或从至少一个连接面区段延伸出来，其中每一组具有多个连接器，这些连接器被设置用于连接同一器件或者朝向同一安装面延伸。

26、优选地，第一面和/或第二面分别是连贯的面。尤其是，第一面的在第一条带区段中延伸的子区域与连接面区段一起是连贯的面(或至少直接电连接)。第一面的在第一条带区段中延伸的该子区域尤其是被构造为连贯的条带，尤其是被构造为沿着第一方向(并且还沿着第二方向)连贯的条带。

27、也属于第一面的连接面区段在第一方向上不是连贯的，而是与连接面交替。连接面区段从第一面的在第一条带区段中延伸的子区域、即从连贯的条带朝向第二晶体管条带区段延伸。连接面区段尤其是一直延伸至第二面。连接面区段因此具有与第二面或第二条带区段相对的边缘(该边缘可以沿着第一方向延伸)。尤其是，在印制导线层中在指向第二面或第二条带区段的连接面区段的边缘与第二条带区段或第二面本身之间存在沟槽(或其他分离结构)。第二面可以具有与连接面区段的边缘相对的边缘。连接面的设置在第二面或第二条带区段那一侧上的边缘也优选地基本上沿着第一方向伸展。连接面区段和第一面的延伸到第一条带区段中的子区域的连贯构造能够实现例如第一条带区段中的器件与连接面区段中的接触或连接元件的特别简单的电连接。

28、第二面设置在第二条带区段中。所述第二面被构造为导电的，例如由铜材料、铝材料或其他导电材料制成。第二面被构造为在第一方向上连续的面。第二面与第一面、也即尤其是与连接面区段以及与连接面(借助于印制导线层中的分离结构)绝缘。优选地，在一方面的第二面与另一方面的第一面的连接面区段和连接面之间存在沟槽，该沟槽优选地延伸穿过印制导线层的整个厚度。第二面可以具有用于晶体管的安装面。晶体管或相关联的安装面优选地沿着第一方向排列。晶体管可以沿着第一方向沿着一行或沿着多行延伸。这些行沿着第一方向延伸。得出可以垂直于第一方向彼此偏移，尤其是周期性地或交替地偏移的安装面。这尤其是当安装面沿第一方向布置在多个行(平行的行)时得出。安装面因此在第二面中沿着第一方向、尤其是沿着一行或多行排列成行。这些行沿着第一方向延伸。具有安装面的半桥模块的实施方式尤其是未装备的半桥模块，然而其中安装面在第二面上的布置已经保证距连接面和连接面区段的小距离，由此得出低电感布局。安装面尤其是被设立用于用诸如晶体管的smd器件装备。

29、优选地，第一面在第一条带区段中同样具有安装面。这些安装面与前面提到的安装面一样适用于晶体管，即被构造用于裸片晶体管的smd安装或用于基于其他连接技术装备晶体管。安装面沿着第一方向排列成行。与前面提到的安装面一样，这些安装面沿着第一方向有距离地排列成行并且彼此不直接附接。安装面可以布置在沿第一方向延伸的一行或多行中。换句话说，安装面可以以关于垂直于第一方向的方向的不同高度设置，即可交替地具有距沿第一方向的中心线的不同距离。具有这种安装面的半桥模块尤其是未装备的。安装面被构造用于高电流应用，即用于至少10a或至少100a的持续电流。这在模块已装备的情况下也适用于晶体管。

30、通过第一面的从第一条带区段朝向第二条带区段延伸(并且因此在中间区段中延伸)的连接面区段得出可以成本低地制造的非常低欧姆的连接。此外，通过在第一条带区段中安装面的上述布置自动地得出到连接面(所述连接面位于中间区段中)的短连接段，由此与第一面或与连接面上的组件或连接元件的连接可以以低电感方式实现。

31、在第一面上、连接面上和第二条带区段中(即第二面上)优选分别设置了连接元件组。第一面上的该连接元件组优选地位于第一条带区段中并且因此沿着第一面的条带，该第一面的条带在第一方向上连贯地延伸。每个连接元件组优选地具有沿第一方向(有距离地)排列成行的多个连接元件。一个组还可以具有多个连接元件子组，每个子组在第一方向上沿着一行排列成行，但是其中这些行垂直于第一方向彼此偏移。连接元件可以被构造为烧结焊盘、接触面、焊料连接焊盘、焊接面、连接引脚、连接板材块或紧固孔。连接元件尤其是具有在印制导线面上延伸的平面式区段，使得得出与印制导线层的平面式连接。可以设置连接引脚，其例如被压入印制导线面中，或者紧固在所述印制导线面上(例如通过焊接，诸如摩擦焊接，或者焊料连接或烧结等等)。连接元件是导电的。优选地，使用引线，尤其是连接板材块，其中引线具有以平面的方式紧固在印制导线面上的端部区段。对于每个第一面、对于每个第二面以及对于连接面，优选地分别为此设置多个端部区段或接触部位，以便从而分布引线的连接。属于相同电位的接触部位优选地沿着第一方向(相间隔地)排列成行。在一个示例中，连接元件被构造为紧固孔，例如以便借助于螺旋连接或压配合引脚连接或凹槽连接被连接。

32、经由印制导线层彼此电连接并且尤其是沿着第一方向排列成行或者在该方向上延伸的元件优选地称为连接元件组。如果第二条带区段或第二面被设置用于正直流电压供电电位，并且连接面被设置用于负直流电压供电电位，则仅通过有关连接元件的接近就得出低电感。尤其是，可以将第一面的连接元件分配给相电位，其中在第一面处的一个侧上得出用于相的连接面以及在另一侧上得出第二条带区段上和分配给直流电压供电电位的连接面上的连接元件。以这种方式，可以禁止或减少相电位处的时钟控制信号与供电电压的电位的耦合。相电位的连接元件优选地位于从第一供电电位的连接元件延伸到第二供电电位的连接元件的区域之外。

33、具有连接面的半导体模块优选地是未装备的。然而，如所提及的，通过连接面的布置得出低电感连接可能性以及一般而言得出低电感布局。

34、一种实施方式规定，位于第一面上的连接元件组设置在中间区段中。换句话说，在这些实施方式的情况下，位于第一面上的连接元件组位于连接面区段上。由此对于这些连接元件得出到第一面上的安装面的电流路径，所述电流路径例如与到第二面上的(用于晶体管的)安装面的电流路径的长度大致完全相同。由于这种对称性，得出改善的信号特性，尤其是在具有高上升速度的边沿的情况下，并且也与安装面/晶体管的连接电阻有关。一种实施方式规定，位于第一面上的连接元件组位于第一条带区段中的一行安装面和第二条带区段中的一行安装面之间的中心。与该中心的偏差优选地不超过20mm、15mm、10mm或5mm。

35、第一连接器优选地从连接面出发。这些第一连接器尤其是延伸到第一条带区段中。连接器优选地位于载体的上侧或印制导线层之上。连接器从连接面的朝向第一条带区段的区域出发。连接器延伸到第一条带区段中并且可以在那里与接触面连接。这些接触面可以是第一面的部分，但是也可以被构造用于应用器件。尤其是连接器的与连接面相对的端部被构造用于实体地连接到器件的接触面上。第一连接器可以从连接面出发并且延伸到第一条带区段中(或越过半空间延伸)，或者多个连接器与同一连接面连接并且延伸到第一条带区段的不同部位。由此条带区段中的多个元件可以与同一连接面连接。

36、其他实施方式规定，半桥模块具有第二连接器，所述第二连接器与连接面区段连接。第二连接器从这些连接面区段在载体上方延伸到第二条带区段中。在此情况下，第二连接器在载体或印制导线层之上的半空间中从连接面区段开始延伸到第二条带区段中。第二连接器具有端部，所述端部与连接面区段相对并且被设立用于与第二条带区段中的元件连接，例如与条带区段的接触部位或者优选地与被构造用于连接第二条带区段中的器件的接触面(诸如器件的金属化表面)连接。多个第二连接器可以从连接面区段延伸到第二条带区段中。

37、连接器尤其是被构造为接合线或接合条带并且可以由诸如铜材料或铝材料之类的导电材料制成。尤其是，第二连接器在邻接第二条带区段的区域中与连接面区段连接。连接器可以被构造为一件式或多件式的，尤其是具有端部接触元件和将这些端部接触元件彼此连接的导体。端部接触元件可以例如被构造为引脚、螺钉元件或连接板材块或也被构造为接合上的导体端部。

38、半桥模块可以被设置为部分装备的、已装备的或未装备的模块。尤其是，半桥模块可以装备有表面安装器件，即smd器件。半桥模块可以作为已装备的半桥模块装备有第一和第二晶体管。印制导线层的位于第一条带区段中的第一面可以装备有第一晶体管。换句话说，第一晶体管设置在第一面的位于第一条带区段、即位于所述第一条带区段沿着第一方向连贯的区段中的面区段上。在第二条带区段中延伸的第二面可以装备有第二晶体管。由于在未装备的半桥模块的情况下这些条带区段被设置用于装备晶体管，并且在已装备的半桥模块的情况下条带区段装备有晶体管，因此这些条带区段也可以称为第一和第二晶体管条带区段。除了借助于smd技术进行装备之外，利用穿插技术或嵌入式技术进行装备也是可能的。

39、每个晶体管具有朝向印制导线的第一功率路径接触面。第一功率路径接触面与第一面连接。这些接触面是晶体管的接触面，并且因此与晶体管的发射极、集电极、源极或漏极连接。晶体管此外具有背离第一接触面的第二功率路径接触面。因此在安装了晶体管的情况下，第二接触面从上方可达并且尤其是构成印制导线层之上的面。然而，在安装了晶体管的情况下，第一接触面从上方不可达，因为所述第一接触面朝向印制导线层并且因此被晶体管本身覆盖。

40、第二功率路径接触面同样是与晶体管的集电极、发射极、漏极或源极连接的接触面。第一接触面和第二接触面与晶体管的不同电极连接。因此，第一接触面可以与集电极连接，而第二接触面与发射极连接，或者反过来。第一接触面可以与晶体管的源极连接，而第二接触面与漏极连接，或者反过来。

41、第二接触面的连接经由连接器、尤其是经由本文描述的连接器来设置。设置在第一面上的第一晶体管的第二接触面与连接面(在印制导线层的中间区段中)连接。第二晶体管的第二接触面与连接面区段连接。该连接是直接的并且尤其是经由第一和第二连接器引导。连接器在载体上延伸。将连接面与第一晶体管的接触面连接的第一连接器从连接面延伸到第一条带区段中，尤其是延伸到第一晶体管的接触面上。与连接面区段连接的连接器一直延伸至在第二条带区段中连接的第二晶体管的接触面。连接器在晶体管的接触面和连接面或连接面区段之间产生导电连接。连接器可以直接邻接接触面，或者可以在接触面和连接器之间存在连接层，例如烧结层、焊料转接层和/或导电缓冲层，用于减少机械应力。上述接触面(＝金属化面)是功率路径接触面。

42、晶体管此外可以具有在本文像这样表示的信号接触面。半桥模块优选地在已装备的形式下具有半桥，所述半桥由低侧晶体管元件和高侧晶体管元件以及晶体管元件之间的内部连接构成。半桥的每个晶体管元件优选地由并联连接的多个晶体管构成。通过并联连接晶体管得出用于得出的晶体管元件的载流能力的数倍。内部连接包括第一面或其至少子区域。内部连接尤其是经由连接面区段引导。内部连接此外可以包括连接器，尤其是从连接面区段延伸到第二条带区段中的连接器。

43、实施方式规定，晶体管元件之间的内部连接从第一晶体管的第一接触面通向第一面，尤其是通向第一面的在第一条带区段中延伸的区段，其中从那里起，第一面继续到第一条带区段。内部连接借助于通向第二晶体管的第二接触面的连接器从连接面区段(即从第一面)继续。因此，从第一晶体管或其接触面开始，内部连接的一部分沿着位于第一条带区段中的第一面的面区段延伸，其中内部连接从那里通过连接面区段继续，该连接面区段同样属于第一面并且位于中间区段中。

44、由于连接面区段毗连第二面或第二条带区段，因此对于将内部连接从连接面区段继续到第二晶体管的连接器仅得出短距离。内部连接此外可以具有位于晶体管的接触面上的连接元件，例如焊接层、焊料转接层、烧结层和/或导电缓冲层，用于减少机械应力。虽然第一晶体管和第二晶体管位于条带区段上，其中中间区段位于所述条带区段之间，但是通过从第一条带区段突出到第二条带区段的连接面区段得出由印制导线层设置的短且良好导电的连接(作为内部连接的一部分)。

45、优选地，半桥的两个相对的端部由一方面的连接面并且另一方面的第二面(在第二条带区段中)实现。连接面和第二面分别可以具有功率接触场(或其他连接元件)，例如以便向所述连接面和第二面施加供电直流电压。尤其是，在此情况下连接面构成用于负供电电位的端子，并且第二面构成用于负直流电压供电电位的端子。设置在连接面上的功率接触场可以构成用于半桥的负端子。设置在第二面上的功率接触场可以构成用于半桥的正端子。设置在第一面上的功率接触场可以构成用于半桥的相端子(并且与半桥的内部连接连接)。

46、第一面可以构成用于连接点或用于相电位或交流电位的端子。尤其是，第一面可以用作负载端子。

47、晶体管可以分别具有至少一个信号接触面。第一晶体管的信号接触面优选地设置在晶体管的背离中间区段、即向外(相对于第一方向)面向纵向边缘的侧处。第二晶体管的信号接触面优选地设置在第二晶体管的背离中间区段、即朝向与第一纵向边缘相对的第二纵向边缘的侧处。由此可以在短路径上从外部接触信号接触面。信号接触面尤其是控制信号接触面，例如栅极接触件或基极接触件。此外，信号接触面可以用作监视信号端子，例如用作温度信号端子或电流测量端子。

48、半桥模块此外可以(以未装备、部分装备或完全装备的形式)具有滤波电路。尤其是，半桥模块装备有使高频信号组件短路的滤波电路。滤波电路可以被构造为缓冲器滤波器。滤波电路可以布置在第二晶体管条带区段中，尤其是布置在第二面上。此外，滤波电路可以布置在连接面上。此外，可以设置一种滤波电路，其不仅具有在第二面上或在第二条带区段中的至少一个器件而且具有在连接面(或连接面区段)上的至少一个器件。

49、半桥模块尤其是逆变器模块的半桥模块，其中逆变器模块包括多个半桥模块。逆变器模块可以被构造为车辆牵引逆变器。半桥模块尤其是具有标称电压为大于60v或至少200v、400v或800v的高压模块。此外，可以设置具有功率因数校正滤波器的车辆侧充电电路，该功率因数校正滤波器具有半桥模块中的至少一个半桥模块。最后，可以设置车辆侧时钟控制直流转换器，其工作开关由半桥模块设置。