材料生长的控制方法及装置

本申请涉及材料制备，尤其涉及一种材料生长的控制方法及装置。

背景技术：

1、在材料生长的过程中，受材料生长设备的偏差及环境改变的影响，使得每次生长的材料质量无法始终保持在最佳状态，从而导致材料的质量下降。

技术实现思路

1、本申请提出一种材料生长的控制方法及装置。具体方案如下：

2、本申请一方面实施例提供一种材料生长的控制方法，包括：

3、在材料生长过程中，获取当前时刻的原位数据；

4、根据材料的生长模式或当前时刻的生长阶段，确定处理模型，其中，处理模型包括判别模型，或者包括预测模型和/或判别模型；

5、利用处理模型对原位数据进行处理，获取处理结果；

6、基于处理结果，确定待执行的控制操作。

7、本申请另一方面实施例提供一种材料生长的控制装置，包括：

8、获取模块，用于在材料生长过程中，获取当前时刻的原位数据；

9、第一确定模块，用于根据材料的生长模式或当前时刻的生长阶段，确定处理模型，其中，处理模型包括判别模型，或者包括预测模型和/或判别模型；

10、处理模块，用于利用处理模型对原位数据进行处理，获取处理结果；

11、第二确定模块，用于基于处理结果，确定待执行的控制操作。

12、本申请另一方面实施例提供一种计算机设备，包括处理器和存储器；

13、其中，处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序，以用于实现如上述实施例的方法。

14、本申请另一方面实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如上述实施例的方法。

15、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

技术特征：

1.一种材料生长的控制方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长模式包括层状生长模式、sk生长模式、岛状生长模式；所述生长模式为层状生长模式或岛状生长模式时，所述处理模型包括一个或多个判别模型；所述生长模式为sk生长模式时，所述处理模型包括至少一个预测模型和至少一个判别模型。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述生长模式为sk生长模式的情况下，所述处理结果包括利用预测模型确定的第一物理特性值及所述判别模型输出的第一生长状态，所述基于所述处理结果，确定待执行的控制操作，包括：

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用所述处理模型对所述原位数据进行处理，获取处理结果，包括：

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据材料当前时刻的生长阶段，确定处理模型，包括：

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长阶段为过渡层生长阶段，所述处理结果包括预测模型输出的快门关闭时间及所述判别模型输出的第三生长状态，所述基于所述处理结果，确定待执行的控制操作，包括：

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长模式为层状生长模式或岛状生长模式，所述处理结果包括所述判别模型输出的第五生长状态，所述基于所述处理结果，确定待执行的控制操作，所述方法还包括：

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预测模型的训练过程，包括：

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判别模型的训练过程，包括：

10.一种材料生长的控制装置，其特征在于，包括：

技术总结本申请提出一种材料生长的控制方法及装置，其中，方法包括：在材料生长过程中，获取当前时刻的原位数据，之后，根据材料的生长模式，确定处理模型，以利用处理模型对原位数据进行处理，获取处理结果，然后基于处理结果，确定待执行的控制操作。由此，基于不同的生长模式对应的不同处理模型对原位数据进行处理获取处理结果，以基于处理结果，执行不同的控制操作。从而提高了材料生长控制的准确性，进而提高了材料的质量。技术研发人员：赵超,沈超,占文康,徐波,王占国受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所技术研发日：技术公布日：2024/6/5