材料生长阶段的确定方法及装置

本申请涉及材料制备，尤其涉及一种材料生长阶段的确定方法及装置。

背景技术：

1、反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction，rheed)是一种用于观测材料表面原子排布的表征手段。采用rheed采集材料生长过程中的衍射图。在材料生长过程中，衬底持续旋转，rheed电子束作用在材料衬底表面，经过材料表面反射后作用在荧光屏上，并通过摄像头持续记录荧光屏的成像，获取材料生长过程中的衍射图。其中，衍射图中包含周期性的材料衍射信息。周期性不同，说明材料表面原子排布不同，即材料结构不同。

2、在材料生长的过程中，通常通过人工分辨衍射图中所呈现的周期性来确定材料所处的生长阶段。但是在材料的结构发生转变的初始时刻，衍射图所呈现的周期性变化可能不明显，无法通过人眼准确识别。从而导致基于在材料的结构发生转变的时刻获取的衍射图，无法准确确定材料的生长阶段。

技术实现思路

1、本申请提出一种材料生长阶段的确定方法及装置。具体方案如下：

2、本申请一方面实施例提供一种材料生长阶段的确定方法，包括：

3、在材料生产过程中，获取材料当前时刻的分析图，并确定分析图的特征向量；

4、将特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合，并将分析图集合对应的标注生长阶段，确定为材料当前时刻所处的生长阶段；

5、其中，聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，分析图集合为基于历史分析图训练聚类算法时将历史分析图分类获取的，分析图集合对应的标注生长阶段为基于分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的。

6、本申请另一方面实施例提供一种材料生长阶段的确定装置，包括：

7、获取模块，用于在材料生产过程中，获取材料当前时刻的分析图，并确定分析图的特征向量；

8、确定模块，用于将特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合，并将分析图集合对应的标注生长阶段，确定为材料当前时刻所处的生长阶段；

9、其中，聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，分析图集合为基于历史分析图训练聚类算法时将历史分析图分类获取的，分析图集合对应的标注生长阶段为基于分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的。

10、本申请另一方面实施例提供一种计算机设备，包括处理器和存储器；

11、其中，处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序，以用于实现如上述实施例的方法。

12、本申请另一方面实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如上述实施例的方法。

13、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

技术特征：

1.一种材料生长阶段的确定方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚类算法的训练过程如下：

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述生长阶段的数量设置初始聚类算法对应的簇的数目，包括：

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取所述聚类算法输出的所述特征向量所属的分析图集合之前，还包括：

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述确定所述分析图是否为异常分析图，包括：

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述分析图的特征向量，包括：

7.一种材料生长阶段的确定装置，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括训练模块，用于：

9.一种计算机设备，其特征在于，包括处理器和存储器；

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一所述的方法。

技术总结本申请提出一种材料生长阶段的确定方法及装置，其中，方法包括：在材料生产过程中，获取材料当前时刻的分析图，并确定分析图的特征向量，之后，将特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合，并将分析图集合对应的标注生长阶段，确定为材料当前时刻所处的生长阶段，其中，聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，分析图集合为基于历史分析图训练聚类算法时将历史分析图分类获取的，分析图集合对应的标注生长阶段为基于分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的。从而提高了确定材料生长阶段的准确性。技术研发人员：赵超,沈超,占文康,徐波,王占国受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所技术研发日：技术公布日：2024/6/11