刻蚀偏差确定方法、修正方法、装置、系统、设备及介质与流程

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种刻蚀偏差确定方法、修正方法、装置、系统、设备及介质。背景技术：：：1、表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(criticaldimension，cd)。随着关键尺寸的缩小，关键尺寸的偏差对器件性能的影响也越来越大。2、为实现将掩膜图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤、显影步骤之后的刻蚀步骤。在一些情况下，刻蚀完成后，还包括去除光刻图案的光阻去除步骤。3、掩膜图形在显影后关键尺寸通过显影后检查(after development inspection，adi)来表征。以所述掩膜图形为掩膜刻蚀待刻蚀层，以形成刻蚀图形后，所述刻蚀图形在刻蚀后关键尺寸通过刻蚀后检测(after etch inspection，aei)cd来表征。刻蚀完成后，从刻蚀图形上去除光刻图案，以形成目标图形，所述目标图形在光刻图案去除后关键尺寸通过去除光阻后(after striping inspection，asi)cd来表征。4、刻蚀偏差由adi cd和aei cd的差值决定，或者由adi cd和asi cd的差值决定，在半导体器件的实际制造过程中，刻蚀偏差是影响器件性能的一个重要参数。5、然而，利用现有方案确定刻蚀偏差值时，所得到的刻蚀偏差值不够精确，从而影响器件性能。技术实现思路1、本发明要解决的问题是：提高刻蚀偏差值的精确性。2、为解决上述问题，本发明实施例提供了一种刻蚀偏差确定方法，所述方包括：3、提供基底，包括待刻蚀层以及形成于所述待刻蚀层上的光刻图案；所述光刻图案中包括多个待测量图形；4、以一个接触多晶间距cpp为单位，在长度方向上，对所述待测量图形进行分段，得到所述待测量图形对应的n段图形，n≥1且n为整数；5、获取所述n段图形中，每段图形的图形特征数据及环境特征数据；6、基于所获取的图形特征数据及环境特征数据，确定每段图形的刻蚀偏差值。7、可选地，所述基于所获取的线宽数据及空格数据，确定每段图形的刻蚀偏差值，包括：8、当所述光刻图案为非矩阵图案时，基于第n段图形的特征数据及环境特征数据，以及与所述第n段图形的相邻段图形的特征数据及环境特征数据，确定所述第n段图形的刻蚀偏差值，其中，1≤n≤n。9、可选地，所述基于第n段图形的特征数据及环境特征数据，以及与所述第n段图形的相邻段图形的特征数据及环境特征数据，确定所述第n段图形的刻蚀偏差值，包括：10、利用第n段图形的特征数据及环境特征数据，查找刻蚀偏差表，得到第n段图形的第一刻蚀偏差查找值；11、利用所述第n段图形的相邻段图形的特征数据及环境特征数据，查找刻蚀偏差表，得到第n段图形的相邻段图形的第二刻蚀偏差查找值；12、基于所述第一刻蚀偏差查找值，与所述第二刻蚀偏差查找值，得到所述第n段图形的刻蚀偏差值。13、可选地，所述第n段图形的相邻段图形为第n-1段图形及第n+1段图形。14、可选地，所述基于所获取的线宽数据及空格数据，确定每段图形的刻蚀偏差值，包括：15、当所述光刻图案为矩阵图案时，基于第n段图形的特征数据及环境特征数据，确定所述第n段图形的刻蚀偏差值。16、可选地，所述基于第n段图形的特征数据及环境特征数据，以及与所述第n段图形的相邻段图形的特征数据及环境特征数据，确定所述第n段图形的刻蚀偏差值，包括：17、采用以下公式，确定所述第n段图形的刻蚀偏差值：18、eb(n)＝ebtable(spn)+f(spnl)*ebtable(spnl)+f(spnr)*ebtable(spnr)19、其中，eb(n)表示第n段图形的刻蚀偏差值；ebtable(spn)，表示基于第n段图形的特征数据及环境特征数据查找刻蚀偏差表，得到的第n段图形刻蚀偏差查表值；f(spnl)，表示第n-1段图形刻蚀偏差调整参数值；ebtable(spnl)，表示基于第n-1段图形的特征数据及环境特征数据查找刻蚀偏差表，得到的第n-1段图形刻蚀偏差查表值；f(spnr)，表示第n+1段图形刻蚀偏差调整参数值；ebtable(spnr)，表示基于第n+1段图形的特征数据及环境特征数据查找刻蚀偏差表，得到的第n+1段图形刻蚀偏差查表值；20、当所述光刻图案为矩形图案时，f(spnr)＝f(spnl)＝0；当所述光刻图案为非矩形图案时，f(spnr)＝αr/spnr，f(spnl)＝αl/spnl，αr及αl根据工艺及第n段图形所在图层确定。21、本发明实施例还提供了一种刻蚀偏差修订方法，所述方法包括：22、采用上述任一种的刻蚀偏差确定方法，确定所述待测量图形对应的n段图形的刻蚀偏差值；23、基于所述n段图形的刻蚀偏差值，对所述待测量图形对应的n段图形进行修正。24、本发明实施例还提供了一种刻蚀偏差确定装置，所述装置包括：25、第一获取单元，适于获取基底，包括待刻蚀层以及形成于所述待刻蚀层上的光刻图案；所述光刻图案中包括多个待测量图形；26、分段单元，适于以一个接触多晶间距cpp为单位，在长度方向上，对所述待测量图形进行分段，得到所述待测量图形对应的n段图形，n≥1且n为正整数；27、第二获取单元，适于获取所述n段图形中，每段图形的图形特征数据及环境特征数据；28、确定单元，适于基于所获取的特征数据及环境特征数据，确定每段图形的刻蚀偏差值。29、本发明实施例还提供了一种刻蚀偏差修订系统，其特征在于，包括：30、上述的刻蚀偏差确定装置，用于确定所述待测量图形对应的n段图形的刻蚀偏差值；31、以及修订装置，用于基于所述n段图形的刻蚀偏差值，对所述待测量图形对应的n段图形进行修正。32、本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行，以实现上述任一种所述方法的步骤。33、本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述任一种所述方法的步骤。34、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：35、应用本发明的方案，在确定待测量图形的刻蚀偏差时，先将待测量图形的长度以一个cpp为单位进行分段，得到待测量图形对应的n段图形，再分别获取每段图形的图形特征数据及环境特征数据，从而基于所获取的特征数据及环境特征数据，确定每段图形的刻蚀偏差值。这样，在确定待测量图形的刻蚀偏差时，充分考虑每段图形的特征数据及环境特征数据，使得待测量图形的环境特征数据更全面，所得到的刻蚀偏差值也就更精确。36、进一步，在确定第n段图形的刻蚀偏差值时，利用以下公式：eb(n)＝ebtable(spn)+f(spnl)*ebtable(spnl)+f(spnr)*ebtable(spnr)。由此可知，确定第n段图形的刻蚀偏差值时，不仅包含第n段图形的图形特征数据及环境特征数据，还包括第n-1段及第n+1段图形的图形特征数据及环境特征数据，由此可以使得第n段图形的环境特征数据更全面，所得到的刻蚀偏差值更加精确。并且，在具体实施中，可以由计算机直接执行上述公式来确定第n段图形的刻蚀偏差值，相对于人工收到收集第n段图形的环境特征数据，在保证刻蚀偏差值精确性的情况下，可以有效提高工作效率。当前第1页12当前第1页12