光刻胶及其图案化的方法和显示基板的制备方法与流程

本申请涉及显示，特别是涉及一种光刻胶及其图案化的方法和显示基板的制备方法。

背景技术：

1、近年来，液晶显示装置(liquid crystal display，lcd)中采用的光刻胶技术，是光刻胶经曝光、显影和蚀刻等工序，将掩膜板(mask)上的图案转移到薄膜或晶圆上，形成与掩膜板对应的几何图形。

2、lcd显示装置中，其光刻胶图案化的工艺往往存在精度低、图形控制性受限等问题。为解决这些问题，目前的研究方向主要针对光刻胶的制备工艺，为了得到设计理想的光刻胶图案，调试相应制备工艺和材料配方来达到预期效果。

3、然而，现有技术中在曝光的工序中采用掩膜板，uv光源到掩膜板、掩膜板到基板的距离受到机台限制，导致光刻胶的图案精度受到较大限制而无法提高。

技术实现思路

1、本申请提供一种光刻胶及其图案化的方法和显示基板的制备方法，旨在解决现有技术中掩膜板分别与基板和光源的距离受限导致光刻胶图案的精度受到较大限制而无法提高的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种光刻胶。所述光刻胶包括：靶向磁纳米颗粒和有机光刻胶；其中，所述靶向磁纳米颗粒具有磁性，且所述靶向磁纳米颗粒靶向吸附并包裹所述有机光刻胶，以在外部磁场作用下，使得所述光刻胶随靶向磁纳米颗粒的移动而形成预设图案。

3、其中，所述靶向磁纳米颗粒包括磁性纳米颗粒和包覆于所述磁性纳米颗粒的表面修饰剂和分散剂，以使所述靶向磁性纳米颗粒具有靶向吸附性，使得所述靶向磁纳米颗粒靶向吸附并包裹所述有机光刻胶。

4、其中，所述磁性纳米颗粒为四氧化三铁纳米颗粒、铁镍纳米颗粒，或四氧化三铁纳米颗粒和铁镍纳米颗粒的混合颗粒；所述靶向磁性纳米颗粒与有机光刻胶的质量比为1:100～1:1000；所述靶向磁性纳米颗粒的粒径范围为10～75nm。

5、为解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种光刻胶图案化的方法。所述方法包括：

6、提供基板；

7、在所述基板上涂布光刻胶；其中，所述光刻胶为如上述技术方案中所涉及的光刻胶；

8、提供图案化磁场，使得所述光刻胶在所述图案化磁场的作用下形成预设图案；

9、对形成所述预设图案的所述光刻胶进行固化处理。

10、其中，所述在基板上涂布光刻胶的步骤包括：

11、将所述基板放置于电磁控制平台；其中，所述电磁控制平台包括电磁控制模块、电磁单元模块、基板平台和传送系统；所述电磁单元模块包括多个电磁基本单元；所述电磁控制模块用于控制所述电磁单元模块，以形成不同的所述图案化磁场；所述基板平台用于承载所述基板；所述传送系统用于将所述基板传送至所述基板平台；

12、将所述光刻胶涂覆于所述基板上；

13、开启所述电磁控制模块，控制多个所述电磁基本单元形成均匀磁场，使得所述光刻胶在所述基板上形成平坦的光刻胶层。

14、其中，所述提供图案化磁场，使得所述光刻胶在所述图案化磁场的作用下形成预设图案的步骤包括：

15、通过所述电磁控制模块控制多个所述电磁基本单元形成所述图案化磁场，使得所述光刻胶层在所述图案化磁场的作用下形成所述预设图案；

16、其中，多个所述电磁基本单元分别设置于所述基板平台远离所述基板的一侧；或，多个所述电磁基本单元分别设置于所述基板平台远离所述基板的一侧以及所述基板远离所述基板平台的一侧，以使所述电磁单元模块形成三维立体磁场。

17、其中，所述电磁控制平台还包括回收系统，所述回收系统包括回收槽，所述回收槽设置于所述基板平台的一侧的下方；

18、在所述提供图案化磁场，使得所述光刻胶在所述图案化磁场的作用下形成预设图案的步骤之后还包括：

19、调控所述基板平台向所述回收槽倾斜至预设角度，以使所述基板倾斜至所述预设角度，使得所述预设图案外的所述光刻胶流动至所述回收槽。

20、其中，在所述对形成所述预设图案的所述光刻胶进行固化处理的步骤之前还包括：

21、对所述基板上形成所述预设图案的所述光刻胶进行预烘烤处理；

22、对预烘烤处理后的所述光刻胶的整体进行曝光处理；

23、对所述基板进行显影处理，去除残留在所述预设图案外的所述光刻胶；

24、所述对形成所述预设图案的所述光刻胶进行固化处理的步骤包括：

25、对形成所述预设图案的所述光刻胶进行加热，以使所述光刻胶固化成型。

26、为了解决上述技术问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种显示基板的制备方法。所述制备方法包括：

27、提供衬底基板；

28、通过上述技术方案中所涉及的光刻胶图案化的方法在所述衬底基板上制作具有不同预设图案的黑矩阵、色阻层和隔垫物；

29、其中，所述黑矩阵形成于所述衬底基板的一侧，所述色阻层形成于所述黑矩阵远离所述衬底基板的一侧，所述隔垫物形成于所述色阻层远离所述黑矩阵的一侧。

30、其中，所述制备方法还包括：

31、通过电磁控制平台在所述衬底基板上制作透明平坦层，所述透明平坦层形成于所述色阻层与所述隔垫物之间，且覆盖所述色阻层。

32、本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种光刻胶及其图案化的方法和显示基板的制备方法。该光刻胶包括靶向纳米颗粒和有机光刻胶，通过使靶向磁纳米颗粒靶向吸附并包裹有机光刻胶，以形成高分子微球体系，体系中靶向磁纳米颗粒与有机光刻胶相互吸附和包裹，使得光刻胶中靶向磁纳米颗粒和有机光刻胶相互融合，磁纳米颗粒可连带吸附的有机光刻胶一同运动；进一步地，通过使磁纳米颗粒具有磁性，以在外部磁场作用下，磁纳米颗粒可对应磁场移动至相应位置，光刻胶能够随靶向磁纳米颗粒的移动而对应形成预设图案，使得光刻胶的图案化工艺无需使用掩膜板即可形成预设图案，不仅能够节省掩膜板的成本、简化工艺，而且通过外部磁场控制，不再受到掩膜板工艺的精度限制，能够有效提高光刻胶图案的精度。

技术特征：

1.一种光刻胶，其特征在于，包括：靶向磁纳米颗粒和有机光刻胶；其中，所述靶向磁纳米颗粒具有磁性，且所述靶向磁纳米颗粒靶向吸附并包裹所述有机光刻胶，以在外部磁场作用下，使得所述光刻胶随靶向磁纳米颗粒的移动而形成预设图案。

2.根据权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述靶向磁纳米颗粒包括磁性纳米颗粒和包覆所述磁性纳米颗粒的表面修饰剂和分散剂，以使所述靶向磁纳米颗粒具有靶向吸附性，使得所述靶向磁纳米颗粒靶向吸附并包裹所述有机光刻胶。

3.根据权利要求2所述的光刻胶，其特征在于，所述磁性纳米颗粒为四氧化三铁纳米颗粒、铁镍纳米颗粒，或四氧化三铁纳米颗粒和铁镍纳米颗粒的混合颗粒；所述靶向磁纳米颗粒与有机光刻胶的质量比为1:100～1:1000；所述靶向磁纳米颗粒的粒径范围为10～75nm。

4.一种光刻胶图案化的方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的光刻胶图案化的方法，其特征在于，所述在所述基板上涂布光刻胶的步骤包括：

6.根据权利要求5所述的光刻胶图案化的方法，其特征在于，所述提供图案化磁场，使得所述光刻胶在所述图案化磁场的作用下形成预设图案的步骤包括：

7.根据权利要求5所述的光刻胶图案化的方法，其特征在于，所述电磁控制平台还包括回收系统，所述回收系统包括回收槽，所述回收槽设置于所述基板平台的一侧的下方；

8.根据权利要求7所述的光刻胶图案化的方法，其特征在于，在所述对形成所述预设图案的所述光刻胶进行固化处理的步骤之前还包括：

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

技术总结本申请提供一种光刻胶及其图案化的方法和显示基板的制备方法。该光刻胶包括靶向磁纳米颗粒和有机光刻胶；其中，靶向磁纳米颗粒具有磁性，且靶向磁纳米颗粒靶向吸附并包裹有机光刻胶，以在外部磁场作用下，使得光刻胶随靶向磁纳米颗粒的移动而形成预设图案。该光刻胶无需使用掩膜板进行曝光，可提高光刻胶图案的精度。技术研发人员：张红印,覃耀辉,谢俊烽受保护的技术使用者：惠科股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29