掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法与流程

本发明涉及掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法。

背景技术：

1、近年来，对于以oled(有机发光二极管，organic light emitting diode)为代表的fpd(平板显示器，flat panel display)等显示装置而言，在大画面化、宽视角化、折叠等柔性化的同时，高精细化、高速显示化也得到了迅速的发展。为了实现该高精细化、高速显示化，必要的要素之一是制作微细且尺寸精度高的元件及布线等电子电路图案。该显示装置用电子电路的图案化大多采用光刻法。因此，需要形成有微细且高精度图案的显示装置制造用的相移掩模及二元掩模这样的转印用掩模(光掩模)。

2、例如，专利文献1中记载了一种用于曝光微细图案的光掩模。专利文献1中记载了使在光掩模的透明基板上形成的掩模图案由透光部和半透光部构成，所述透光部使实质上有助于曝光的强度的光透过，所述半透光部使实质上对曝光没有贡献的强度的光透过。另外，在专利文献1中记载了利用相移效果使从上述半透光部与透光部的边界部附近通过后的光相互抵消而提高边界部的对比度。另外，在专利文献1中记载了下述内容：在光掩模中，由薄膜构成上述半透光部，该薄膜由以氮、金属及硅作为主要构成要素的物质形成，并且，作为构成该薄膜的物质的构成要素的硅的含量为34～60原子％。

3、在专利文献2中记载了一种用于光刻法的半色调型相移掩模/坯料。在专利文献2中记载了掩模/坯料具备基板、沉积于上述基板的蚀刻停止层、以及沉积于上述蚀刻停止层的相移层。进一步，在专利文献2中记载了下述内容：使用该掩模坯料，能够制造在小于500nm的所选择的波长下具有大致180度的相移、以及至少0.001％的透光率的光掩模。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本专利第2966369号公报

7、专利文献2：日本特表2005-522740号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、作为近年来被用于高精细(1000ppi以上)的面板制作的转印用掩模，为了实现高分辨率的图案转印，要求形成有转印图案的转印用掩模，且所述转印图案包含孔径为6μm以下、线宽为4μm以下的微细图案形成用的薄膜图案。具体而言，要求形成有包含直径或宽度尺寸为1.5μm的微细图案的转印图案的转印用掩模。

3、另一方面，通过对掩模坯料的图案形成用的薄膜进行图案化而得到的转印用掩模，由于要被重复用于向被转印体的图案转印，因此，期望对于设想了实际的图案转印时的紫外线的耐光性(紫外耐光性)也高。

4、然而，以往难以制造出满足对包含紫外光区的波长的曝光光的紫外耐光性(以下，有时简称为耐光性)要求的具备图案形成用的薄膜的掩模坯料。

5、本发明是为了解决上述问题而完成的。即，本发明的目的在于提供满足对包含紫外光区的波长的曝光光的高耐光性要求的掩模坯料。

6、另外，本发明的目的在于提供满足对包含紫外光区的波长的曝光光的高耐光性要求、具备良好的转印图案的转印用掩模、转印用掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法。

7、解决问题的方法

8、本发明包括以下方案作为解决上述问题的方法。

9、(方案1)

10、一种掩模坯料，其在透光性基板上具备图案形成用的薄膜，

11、通过x射线吸收光谱法获取的上述薄膜的x射线吸收谱在入射x射线能量为4965ev以上且5000ev以下的范围具有边前区和吸收边，将上述边前区内的x射线吸收系数的波峰的值设为ih、将位于上述边前区与上述吸收边之间的x射线吸收谱的波谷处的x射线吸收系数的最小值设为il时，满足ih/il为1.7以上的关系。

12、(方案2)

13、根据方案1所述的掩模坯料，其中，

14、上述薄膜的x射线吸收谱在入射x射线能量为4968.1ev以上的位置存在上述边前区的波峰。

15、(方案3)

16、根据方案1所述的掩模坯料，其中，

17、上述薄膜含有钛及硅。

18、(方案4)

19、根据方案3所述的掩模坯料，其中，

20、上述薄膜进一步含有氮。

21、(方案5)

22、根据方案3所述的掩模坯料，其中，

23、上述薄膜中的钛的含量相对于钛及硅的合计含量的比率为0.05以上。

24、(方案6)

25、根据方案1所述的掩模坯料，其中，

26、在上述薄膜上具备蚀刻掩模膜，该蚀刻掩模膜与上述薄膜的蚀刻选择性不同。

27、(方案7)

28、根据方案6所述的掩模坯料，其中，

29、上述蚀刻掩模膜含有铬。

30、(方案8)

31、一种转印用掩模，其在透光性基板上具备形成有转印图案的薄膜，

32、通过x射线吸收光谱法获取的上述薄膜的x射线吸收谱在入射x射线能量为4965ev以上且5000ev以下的范围具有边前区和吸收边，将上述边前区内的x射线吸收系数的波峰的值设为ih、将位于上述边前区与上述吸收边之间的x射线吸收谱的波谷处的x射线吸收系数的最小值设为il时，满足ih/il为1.7以上的关系。

33、(方案9)

34、根据方案8所述的转印用掩模，其中，

35、上述薄膜的x射线吸收谱在入射x射线能量为4968.1ev以上的位置存在上述边前区的波峰。

36、(方案10)

37、根据方案8所述的转印用掩模，其中，

38、上述薄膜含有钛及硅。

39、(方案11)

40、根据方案10所述的转印用掩模，其中，

41、上述薄膜进一步含有氮。

42、(方案12)

43、根据方案10所述的转印用掩模，其中，

44、上述薄膜中的钛的含量相对于钛及硅的合计含量的比率为0.05以上。

45、(方案13)

46、一种转印用掩模的制造方法，该方法具有：

47、准备方案6或7所述的掩模坯料的工序；

48、在上述蚀刻掩模膜上形成具有转印图案的抗蚀膜的工序；

49、以上述抗蚀膜作为掩模进行湿法蚀刻，在上述蚀刻掩模膜形成转印图案的工序；以及

50、以上述形成有转印图案的蚀刻掩模膜作为掩模进行湿法蚀刻，在上述薄膜形成转印图案的工序。

51、(方案14)

52、一种显示装置的制造方法，该方法具有：

53、将方案8～12中任一项所述的转印用掩模载置于曝光装置的掩模台的工序；和

54、对上述转印用掩模照射曝光光，将转印图案转印至设置于显示装置用的基板上的抗蚀膜的工序。

55、发明的效果

56、根据本发明，可以提供满足对包含紫外光区的波长的曝光光的高耐光性要求的掩模坯料。

57、另外，根据本发明，可以提供满足对包含紫外光区的波长的曝光光的高耐光性要求、具备良好的转印图案的转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法。