一种屏蔽罩及气相沉积设备的制作方法

本发明属于半导体制造设备领域，更具体地说，是涉及一种屏蔽罩及气相沉积设备。

背景技术：

1、在hdp-cvd(high density plasma cvd，高密度等离子体化学气相淀积)设备中，需要通过电感耦合等离子体，使等离子体在晶圆表面相互作用，完成淀积、溅射和刻蚀等工艺过程。sd ratio是衡量hdp-cvd工艺间隙填充能力的重要指标，其中s为sputter rate(溅射速率)。目前，hdp-cvd设备工艺表现中的sputter thk range(溅射膜厚度范围)偏大、sputter thk map(溅射膜厚度分布图)偏心，严重影响等离子体溅射的均匀性。为解决上述问题，尝试调整工艺参数和优化腔体内部结构来降低溅射膜厚度范围，但未有显著效果。

技术实现思路

1、基于现有技术存在的技术问题，本发明提供一种屏蔽罩及气相沉积设备，旨在解决气相沉积设备工艺表现中的溅射膜厚度范围较高的技术问题。

2、为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种屏蔽罩，应用于气相沉积设备，气相沉积设备包括反应腔室，反应腔室包括反应腔体和陶瓷穹顶，陶瓷穹顶位于反应腔体的上方，反应腔体和陶瓷穹顶之间设置有腔体盖板，反应腔体和陶瓷穹顶通过腔体盖板密封连接，陶瓷穹顶的外侧壁环绕有射频线圈；屏蔽罩位于腔体盖板上方，且屏蔽罩罩设部分射频线圈。

3、可选地，屏蔽罩与腔体盖板可拆卸地连接。

4、可选地，屏蔽罩与射频线圈间隔设置。

5、可选地，屏蔽罩包括一个或多个屏蔽件；当屏蔽件为多个时，多个屏蔽件沿射频线圈的周向布置；其中，屏蔽件包括第一挡板和第二挡板，第一挡板和第二挡板呈l型设置，第一挡板设置于射频线圈的顶部，第二挡板设置于射频线圈的外侧部，第二挡板与腔体盖板可拆卸地连接。

6、可选地，第二挡板粘接于腔体盖板上方。

7、可选地，第二挡板上设置有铜箔纸，第二挡板通过铜箔纸粘接于腔体盖板上方。

8、可选地，第一挡板和第二挡板为铝合金材质。

9、可选地，第一挡板和第二挡板成形为使屏蔽件具有中心角的曲率圆弧。

10、可选地，中心角为60度。

11、根据本发明的另一个方面，提供了一种气相沉积设备，气相沉积设备包括反应腔室，反应腔室包括反应腔体和陶瓷穹顶，陶瓷穹顶位于反应腔体的上方，反应腔体和陶瓷穹顶之间设置有腔体盖板，反应腔体和陶瓷穹顶通过腔体盖板密封连接，陶瓷穹顶的外侧壁环绕有射频线圈，部分射频线圈罩设有屏蔽罩，屏蔽罩设置于腔体盖板上方，屏蔽罩为如上述的屏蔽罩。

12、本发明提供的屏蔽罩的有益效果在于：

13、通过在气相沉积设备中设置屏蔽罩，使屏蔽罩位于腔体盖板上方，且屏蔽罩罩设部分环绕在陶瓷穹顶的外侧壁的射频线圈，通过局部屏蔽来弱化局部区域的电磁强度，优化溅射等离子体分布均匀性，从而实现降低溅射膜厚度范围。

技术特征：

1.一种屏蔽罩，其特征在于，应用于气相沉积设备，所述气相沉积设备包括反应腔室，所述反应腔室包括反应腔体和陶瓷穹顶，所述陶瓷穹顶位于所述反应腔体的上方，所述反应腔体和陶瓷穹顶之间设置有腔体盖板，所述反应腔体和陶瓷穹顶通过所述腔体盖板密封连接，所述陶瓷穹顶的外侧壁环绕有射频线圈；

2.根据权利要求1所述的屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽罩与所述腔体盖板可拆卸地连接。

3.根据权利要求1所述的屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽罩与所述射频线圈间隔设置。

4.根据权利要求1所述的屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽罩包括一个或多个屏蔽件；

5.根据权利要求4所述的屏蔽罩，其特征在于，所述第二挡板粘接于所述腔体盖板上方。

6.根据权利要求5所述的屏蔽罩，其特征在于，所述第二挡板上设置有铜箔纸，所述第二挡板通过所述铜箔纸粘接于所述腔体盖板上方。

7.根据权利要求4所述的屏蔽罩，其特征在于，所述第一挡板和所述第二挡板为铝合金材质。

8.根据权利要求4所述的屏蔽罩，其特征在于，所述第一挡板和所述第二挡板成形为使所述屏蔽件具有中心角的曲率圆弧。

9.根据权利要求8所述的屏蔽罩，其特征在于，所述中心角为60度。

10.一种气相沉积设备，其特征在于，所述气相沉积设备包括反应腔室，所述反应腔室包括反应腔体和陶瓷穹顶，所述陶瓷穹顶位于所述反应腔体的上方，所述反应腔体和陶瓷穹顶之间设置有腔体盖板，所述反应腔体和陶瓷穹顶通过所述腔体盖板密封连接，所述陶瓷穹顶的外侧壁环绕有射频线圈，部分所述射频线圈罩设有屏蔽罩，所述屏蔽罩设置于所述腔体盖板上方，所述屏蔽罩为如权利要求1至9任一项所述的屏蔽罩。

技术总结本发明提供了一种屏蔽罩及气相沉积设备，其中屏蔽罩应用于气相沉积设备，气相沉积设备包括反应腔室，反应腔室包括反应腔体和陶瓷穹顶，陶瓷穹顶位于反应腔体的上方，反应腔体和陶瓷穹顶之间设置有腔体盖板，反应腔体和陶瓷穹顶通过腔体盖板密封连接，陶瓷穹顶的外侧壁环绕有射频线圈；屏蔽罩位于腔体盖板上方，且屏蔽罩罩设部分射频线圈。本发明通过在气相沉积设备中设置屏蔽罩，使屏蔽罩位于腔体盖板上方，且屏蔽罩罩设部分环绕在陶瓷穹顶的外侧壁的射频线圈，通过局部屏蔽来弱化局部区域的电磁强度，优化溅射等离子体分布均匀性，从而实现降低溅射膜厚度范围。技术研发人员：杨俊雅,王林,苏宇,戴瑞鑫,田才忠,李士昌,林保璋受保护的技术使用者：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13