一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚的制作方法

本技术涉及碳化硅单晶生长设备，尤其涉及一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚。

背景技术：

1、碳化硅(sic)是第三代半导体材料的典型代表，与第一代si和第二代gaas半导体材料相比，具有热导率高、禁带宽度宽、化学稳定性高、抗辐射能力强等优异的综合性能。这使sic半导体材料被用于制备高功率电力电子器件和微波器件，并已在高压电力传输、5g通信、电动汽车等领域获得广泛应用，sic半导体材料和器件目前已成为各国争相发展的产业。

2、现有技术如中国专利公开号为cn212375418u公开的一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，通过将坩埚盖中靠近坩埚体的下表面设置为包括第二下表面、凸出于第二下表面的第一下表面，第一下表面和第二下表面之间形成倾斜的坩埚盖台阶面；同时，将坩埚体端口处的内壁设置为倾斜内壁。这样，坩埚盖与坩埚体装配后，坩埚盖台阶面与倾斜内壁相接触，进而坩埚盖与坩埚体之间以倾斜面密封。另外，在坩埚盖的第二下表面上开设有第一固定孔，坩埚盖与坩埚体通过穿设在第一固定孔中的坩埚紧固部件紧固，第二下表面与坩埚体的端口面之间具有一定的间距，坩埚盖的第二下表面与坩埚体的端口面之间的间隙。

3、上述石墨坩埚通过在上盖和锅体对应的位置上开设螺纹后用螺杆固定，导致坩埚的密闭加工复杂。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题在于提出一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，安装简便且能够快速进行反应。

2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，包括上盖以及坩埚本体，所述上盖覆盖在所述坩埚本体上，所述坩埚本体与所述上盖之间设置有坩埚环，所述坩埚环位于所述坩埚本体内；所述坩埚环中空设置，所述坩埚环的外侧设置有凸缘，所述坩埚本体的顶部内侧设置有台阶，所述凸缘的一面位于所述台阶上，所述上盖位于所述凸缘的另一面上。

4、本实用新型优选地技术方案在于，所述上盖的底部设置有压紧部，所述压紧部突出于所述上盖的底部，且所述压紧部的直径大小小于所述上盖的直径大小，使得所述压紧部整体位于所述凸缘与所述坩埚本体之间。

5、本实用新型优选地技术方案在于，所述压紧部的内侧内陷有凹槽，所述凸缘靠近所述上盖的一侧设置有卡位凸起，所述卡位凸起的外围与所述凹槽的内壁贴合，使得安装时，所述卡位凸起位于所述凹槽内。

6、本实用新型优选地技术方案在于，还包括隔板，所述隔板安装在所述坩埚本体内，所述隔板安装在所述坩埚本体中部以下的位置上。

7、本实用新型优选地技术方案在于，所述隔板与所述坩埚本体的底部之间设置有间隔圆柱。

8、本实用新型优选地技术方案在于，所述间隔圆柱设置为空心。

9、本实用新型优选地技术方案在于，所述坩埚环设置为石墨材质。

10、本实用新型优选地技术方案在于，所述间隔圆柱的直径大小小于所述隔板的直径大小。

11、本实用新型的有益效果为：

12、本实用新型在于提出一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，便于安装，简单组合便可以进行反应，同时减少反应损失。

技术特征：

1.一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

8.根据权利要求5所述的用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，其特征在于：

技术总结本技术公开了一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，属于碳化硅单晶生长设备技术领域，包括上盖以及坩埚本体，所述上盖覆盖在所述坩埚本体上，所述坩埚本体与所述上盖之间设置有坩埚环，所述坩埚环位于所述坩埚本体内；所述坩埚环中空设置，所述坩埚环的外侧设置有凸缘，所述坩埚本体的顶部内侧设置有台阶，所述凸缘的一面位于所述台阶上，所述上盖位于所述凸缘的另一面上，便于安装，简单组合便可以进行反应，同时减少反应损失。技术研发人员：龙博腾,许耀迪受保护的技术使用者：厦门天三半导体有限公司技术研发日：20231016技术公布日：2024/5/29