制造玻璃基板结构及金属化基板的方法与流程

本案根据专利法请求于2021年9月14日申请的韩国专利申请案第10-2021-0122763号的优先权权益，该韩国专利申请案的内容为本案的基础且以全文引用方式并入本文中。本案涉及一种制造玻璃基板结构的方法以及一种制造金属化基板的方法，且更具体来说，本案涉及一种制造玻璃基板结构的方法以及一种制造金属化基板的方法，该等方法可平价制造与提供良好的层间粘着性。

背景技术：

1、传统印刷电路板受限于热稳定性与机械稳定性，且因此存在翘曲以及图案精确度劣化的问题。相较于传统印刷电路板，玻璃基板明显减轻翘曲的问题，但玻璃基板较昂贵，这是因为需要使用昂贵催化剂的无电电镀所致。此外，根据现有技术的制造玻璃基板的方法需要改良，因为存在归因于金属线路层中的孔隙所导致的层间粘着性问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种制造诸如玻璃电路板的玻璃基板结构的方法，此方法能够平价制造且提供良好的层间粘着性。

2、本发明提供一种制造金属化基板的方法，此方法能够平价制造且提供良好的层间粘着性。

3、将在以下描述中部分地阐明额外方面且将由以下描述部分地理解额外方面、或可通过实施本发明所呈现的实施方式而理解额外方面。

4、根据本发明的方面，一种制造玻璃基板结构的方法，包含：形成粘着促进剂层于玻璃基板的表面上；形成第一金属的晶种层于粘着促进剂层的表面上；以及通过自催化反应来形成第二金属的块体层于晶种层上。

5、在一些实施方式中，方法可进一步包含：在形成晶种层之后与形成块体层之前，在晶种层的表面上执行酸处理。在一些实施方式中，方法可进一步包含：在执行酸处理之后与形成块体层之前，在晶种层的表面上执行碱洗(alkali cleaning)。

6、在一些实施方式中，可通过物理气相沉积(pvd)形成粘着促进剂层与晶种层的每一者。在一些实施方式中，形成块体层可包含施加块体混合物至晶种层，块体混合物包含约0.5g/l至约8g/l的第二金属的金属离子、约0.01m至约1.0m的还原剂以及约0.05m至约1.0m的错合剂。在一些实施方式中，块体混合物可进一步包含约10重量ppm至约1000重量ppm的稳定剂。在一些实施方式中，可在约30℃至约60℃的温度下执行块体层的形成。在一些实施方式中，块体混合物可进一步包含ph调整剂以调整ph为约9至约11。

7、在一些实施方式中，晶种层可包含一或多个选自由下列所组成的群组：铜(cu)、锡(sn)、镍(ni)、铁(fe)、铝(al)、锌(zn)、钠(na)、钙(ca)与镁(mg)。

8、在一些实施方式中，块体层的厚度为约2.0μm至约10μm。

9、根据本发明的其他方面，一种制造金属化基板的方法，包含：形成粘着促进剂层于玻璃基板的整个上表面上；形成第一金属的晶种层于粘着促进剂层的表面上；形成具有掩模图案的掩模层于晶种层上；蚀刻晶种层以形成晶种图案；施加块体混合物至晶种层，以形成第二金属的块体层于晶种层上，块体混合物包含：约0.5g/l至约8g/l的第二金属的金属离子、约0.01m至约1.0m的还原剂以及约0.05m至约1.0m的错合剂；以及移除掩模层。

10、在一些实施方式中，可在蚀刻晶种层之后与施加块体混合物之前，执行移除掩模层。在一些实施方式中，块体层的表面可包含沿着晶种图案延伸的弯曲表面。

11、在一些实施方式中，可在形成晶种层之后与蚀刻晶种层之前，执行施加块体混合物，且在晶种层上形成掩模层包含在其间具有块体层的晶种层上方形成掩模层。在一些实施方式中，可在蚀刻晶种层之后，执行移除掩模层。

12、在一些实施方式中，蚀刻晶种层可包含使用掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻块体层，且使用经蚀刻的块体层作为蚀刻掩模来形成晶种图案。

13、在一些实施方式中，方法可进一步包含：在施加块体混合物之前，执行晶种层的表面上的酸处理。在一些实施方式中，方法可进一步包含：在执行酸处理之后与施加块体混合物之前，执行晶种层的表面上的碱洗。

14、在一些实施方式中，块体层的晶粒平均尺寸可大于晶种层的晶粒平均尺寸。

15、根据本发明的其他方面，一种制造玻璃基板结构的方法包含：通过溅镀来形成厚度为约30nm至约150nm的粘着促进剂层于玻璃基板的表面上；通过溅镀来形成厚度为约300nm至约700nm的第一金属的晶种层于粘着促进剂层的表面上；利用无机酸水溶液执行晶种层的表面上的酸处理；执行晶种层的表面上的碱洗；以及通过自催化反应来形成厚度为约2.0μm至约10μm的第二金属的块体层于晶种层上。形成块体层包含施加块体混合物至晶种层，块体混合物包含约0.5g/l至约8g/l的第二金属的金属离子、约0.01m至约1.0m的还原剂以及约0.05m至约1.0m的错合剂，且第一金属与第二金属各自独立包含一或多个选自由下列所组成的群组：铜(cu)、锡(sn)、镍(ni)、铁(fe)、铝(al)、锌(zn)、钠(na)、钙(ca)与镁(mg)，且选择第一金属与第二金属，使得第一金属的标准还原电位小于或等于第二金属的标准还原电位。

技术特征：

1.一种制造玻璃基板结构的方法，所述方法包含：

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在形成所述晶种层之后与形成所述块体层之前，在所述晶种层的表面上执行酸处理。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包含：在执行所述酸处理之后与形成所述块体层之前，在所述晶种层的所述表面上执行碱洗。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述粘着促进剂层与所述晶种层的每一者是通过物理气相沉积(pvd)所形成。

5.如权利要求4所述的方法，其中形成所述块体层包含施加块体混合物至所述晶种层，所述块体混合物包含：

6.如权利要求5所述的方法，其中所述块体混合物进一步包含约10重量ppm至约1000重量ppm的稳定剂。

7.如权利要求5所述的方法，其中在约30℃至约60℃的温度下执行所述块体层的所述形成。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述块体混合物进一步包含ph调整剂，以调整ph为约9至约11。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述晶种层包含一或多个选自由下列所组成的群组：铜(cu)、锡(sn)、镍(ni)、铁(fe)、铝(al)、锌(zn)、钠(na)、钙(ca)与镁(mg)。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述块体层的厚度为约2.0μm至约10μm。

11.一种制造金属化基板的方法，所述方法包含：

12.如权利要求11所述的方法，其中在蚀刻所述晶种层之后与施加所述块体混合物之前执行移除所述掩模层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述块体层的表面包含沿着所述晶种图案延伸的弯曲表面。

14.如权利要求11所述的方法，其中在形成所述晶种层之后与蚀刻所述晶种层之前执行施加所述块体混合物；以及

15.如权利要求14所述的方法，其中在蚀刻所述晶种层之后，执行移除所述掩模层。

16.如权利要求14所述的方法，其中蚀刻所述晶种层包含：

17.如权利要求11所述的方法，进一步包含：在施加所述块体混合物之前，在所述晶种层的表面上执行酸处理。

18.如权利要求17所述的方法，进一步包含：在执行所述酸处理之后与施加所述块体混合物之前，在所述晶种层的所述表面上执行碱洗。

19.如权利要求11所述的方法，其中所述块体层的晶粒平均尺寸可大于所述晶种层的晶粒平均尺寸。

20.一种制造玻璃基板结构的方法，所述方法包含：

21.如权利要求20所述的方法，其中在所述玻璃基板与所述块体层之间未插入催化剂层。

技术总结一种制造玻璃基板结构的方法，包含：形成粘着促进剂层于玻璃基板的表面上；形成第一金属的晶种层于粘着促进剂层的表面上；以及通过自催化反应来形成第二金属的块体层于晶种层上。技术研发人员：金俊秀,李泳锡,文炳斗,文亨修受保护的技术使用者：康宁公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29