抗刮玻璃及制造方法与流程

背景技术：

0、技术背景

1、可离子交换的玻璃广泛地用作覆盖玻璃及用在电子设备的主体中。虽然离子交换向玻璃提供了增强的表面强度(包括硬度的改善)，但玻璃仍然容易受到由暴露于比玻璃硬的材料所造成的刮擦的影响。

2、改善刮擦或磨蚀抗性的努力一般包括操控玻璃本身的组成以增加硬度、使用替代材料或将硬质涂层涂敷于玻璃表面。例如，开发了锂基玻璃，其改善了机械性能。已经证明li基玻璃具有优越的掉落性能，其允许这种玻璃在故障(玻璃破裂/断裂)之前从越来越高的高度掉落。为了改善刮擦性能以及其他的机械性能，可以添加硼以打开玻璃的紧密堆积的网络。

3、玻璃制造商及手持式设备制造商一直在不断努力改善手持式设备的刮擦性能。

4、因此，需要多种玻璃，其可以例如藉由离子交换来强化且具有允许将这种玻璃形成为抗刮玻璃制品的机械性质。

技术实现思路

0、概述

1、本公开内容的各个方面涉及玻璃基制品及其制造方法。

2、在一个方面中，玻璃基制品包含：铝硅酸锂组合物；具有从玻璃基制品的表面延伸到玻璃基制品的一个深度的非零变化浓度的钠；尖峰层深(dol尖峰)，其大于或等于4微米且小于或等于8微米；以及在从表面到0.4微米的深度的距离上求平均的二氧化钾(k2o)与二氧化钠(na2o)的摩尔比，该摩尔比大于或等于0且小于或等于1.8。

3、在一个方面中，玻璃基制品包含：铝硅酸锂组合物；具有从玻璃基制品的表面延伸到玻璃基制品的一个深度的非零变化浓度的钠；尖峰层深(dol尖峰)，其大于或等于4微米且小于或等于8微米；以及平均压缩应力(cs平均)，其在从15微米到40微米的深度上大于或等于115mpa。

4、在一个方面中，玻璃基制品包含：具有从该玻璃基制品的表面延伸到该玻璃基制品的一个深度的非零变化浓度的钠；平均压缩应力(cs平均)，其在从15微米到40微米的深度上大于或等于150mpa；以及在从表面到0.4微米的深度的距离上求平均的二氧化钾(k2o)与二氧化钠(na2o)的摩尔比，该摩尔比大于或等于0且小于或等于1.8。

5、在一个方面中，一种制造玻璃基制品的方法包括以下步骤：使玻璃基基板经历离子交换处理，该玻璃基基板具有限定基板厚度(t)的相对的第一表面和第二表面且具有铝硅酸锂组合物，该离子交换处理包括熔融盐浴，该熔融盐浴具有浓度在大于或等于8摩尔％到小于或等于100摩尔％的范围内的钠盐；以及形成玻璃基制品，该玻璃基制品具有：具有从该玻璃基制品的表面延伸到该玻璃基制品的一个深度的非零变化浓度的钠；从表面延伸到尖峰层深(dol尖峰)的压缩层，该尖峰层深大于或等于4微米且小于或等于8微米；以及在从表面到0.4微米的深度的距离上求平均的二氧化钾(k2o)与二氧化钠(na2o)的摩尔比，该摩尔比大于或等于0且小于或等于1.8。

6、将在随后的详细说明中阐述额外的特征及优点，且本领域中的技术人员将藉由该说明容易理解这种特征及优点的一部分，或藉由实行如本文中所述的实施方式来认识这种特征及优点，这种实施方式包括了随后的详细说明、权利要求以及附图。

7、要了解，前面的一般说明及以下的详细说明都描述了各种实施方式，且旨在提供概观或架构以供了解所请求保护的主题的本质及特性。包括了附图以提供对各种实施方式的进一步了解，且将这些附图并入此说明书且构成此说明书的一部分。附图绘示本文中所述的各种实施例，且与说明书一起用来解释所请求保护的主题的原理及操作。

技术特征：

1.一种玻璃基制品，包含：

2.如权利要求1所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品在从15微米到40微米的深度上包含大于或等于115mpa的平均压缩应力(cs平均)。

3.如权利要求1所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品包含大于或等于0.19t的压缩深度(doc)。

4.如权利要求1所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品包含大于或等于150微米的压缩深度(doc)。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品包含大于或等于5n的努普刮痕起始阈值。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品包含拐点处的压缩应力(cs拐点)，所述拐点处的压缩应力(cs拐点)大于或等于115mpa，并且dol尖峰大于或等于4.4微米。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品包含拐点处的压缩应力(cs拐点)，所述拐点处的压缩应力(cs拐点)大于或等于135mpa，并且dol尖峰大于或等于5微米。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品具有大于或等于500mpa的最大压缩应力(cs最大)。

9.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中在该玻璃基制品的中心处，氧化钠(na2o)与氧化锂(li2o)的摩尔比大于或等于0.10且小于或等于0.63。

10.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品的中心包含：

11.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中所述碱金属铝硅酸盐组合物是铝硅酸锂组合物。

12.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，其中氧化钾(k2o)与氧化钠(na2o)的摩尔比为0.6至1.6。

13.如权利要求12所述的玻璃基制品，其中氧化钾(k2o)与氧化钠(na2o)的摩尔比为0.8至1.4。

14.如权利要求12所述的玻璃基制品，其中氧化钾(k2o)与氧化钠(na2o)的摩尔比为1至1.3。

15.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，包含4至8微米的钾层深(dolk)。

16.如权利要求15中所述的玻璃基制品，包含5至7微米的钾层深(dolk)。

17.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，展现实质不含晶体或结晶的非晶微结构。

18.如权利要求1-4中任意一项所述的玻璃基制品，包含0.5毫米至0.8毫米的厚度。

19.一种消费电子产品，包含：

20.一种玻璃基制品，包含：

21.如权利要求20所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品在从15微米到40微米的深度上包含大于或等于115mpa的平均压缩应力(cs平均)。

22.如权利要求20所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品包含拐点处的压缩应力(cs拐点)，所述拐点处的压缩应力(cs拐点)大于或等于115mpa，并且dol尖峰为大于或等于4.4微米且小于或等于8微米。

23.如权利要求20所述的玻璃基制品，其中在从该表面到该玻璃基制品的0.4微米的深度的距离上求平均的氧化钾(k2o)与氧化钠(na2o)的摩尔比为0.4至1.8。

24.如权利要求20所述的玻璃基制品，其中该玻璃基制品包含拐点处的压缩应力(cs拐点)，所述拐点处的压缩应力(cs拐点)大于或等于135mpa，并且dol尖峰为大于或等于5微米。

25.如权利要求20-24中任意一项所述的玻璃基制品，包含4至8微米的钾层深(dolk)。

26.如权利要求20-24中任意一项所述的玻璃基制品，包含0.5毫米至0.8毫米的厚度。

27.如权利要求20-24中任意一项所述的玻璃基制品，展现实质不含晶体或结晶的非晶微结构。

28.一种消费电子产品，包含：

29.一种制造玻璃基制品的方法，该方法包括以下步骤：

30.如权利要求29所述的方法，其中该第一熔融盐浴具有大于或等于0摩尔％且小于或等于10摩尔％的锂浓度。

31.如权利要求29所述的方法，其中：

32.如权利要求29所述的方法，其中该玻璃基制品在从15微米到40微米的深度上包含大于或等于115mpa的平均压缩应力(cs平均)。

33.如权利要求29所述的方法，其中该玻璃基制品包含大于或等于0.19t的压缩深度(doc)。

34.如权利要求29所述的方法，其中该玻璃基制品包含大于或等于150微米的压缩深度(doc)。

35.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品包含大于或等于5n的努普刮痕起始阈值。

36.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品包含拐点处的压缩应力(cs拐点)，所述拐点处的压缩应力(cs拐点)大于或等于115mpa，并且dol尖峰大于或等于4.4微米。

37.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品包含拐点处的压缩应力(cs拐点)，所述拐点处的压缩应力(cs拐点)大于或等于135mpa，并且dol尖峰大于或等于5微米。

38.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品具有大于或等于500mpa的最大压缩应力(cs最大)。

39.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中在该玻璃基制品的中心处，氧化钠(na2o)与氧化锂(li2o)的摩尔比大于或等于0.10且小于或等于0.63。

40.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品的中心包含：

41.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中所述碱金属铝硅酸盐组合物是铝硅酸锂组合物。

42.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品包含4至8微米的钾层深(dolk)。

43.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品展现实质不含晶体或结晶的非晶微结构。

44.如权利要求29-34中任意一项所述的方法，其中该玻璃基制品包含0.5毫米至0.8毫米的厚度。

技术总结玻璃基制品包括提供改善的刮擦抗性的应力分布。一种玻璃基制品包括：铝硅酸锂组合物；以及在从表面到0.4微米的深度的距离上求平均的二氧化钾(K<subgt;2</subgt;O)与二氧化钠(Na<subgt;2</subgt;O)的摩尔比，该摩尔比大于或等于0且小于或等于1.8。该制品包括：具有从玻璃基制品的表面延伸到玻璃基制品的一个深度的非零变化浓度的钠；以及尖峰层深，其大于或等于4微米且小于或等于8微米。该制品在从15微米到40微米的深度上可以包括大于或等于150MPa的平均压缩应力。技术研发人员：J·阿明,郭晓菊,P·奥拉姆,R·V·鲁斯夫,L·尤克雷辛克,T·M·威尔金森受保护的技术使用者：康宁股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5