一种MgO介电陶瓷的制备方法与流程

【】本发明涉及一种mgo介电陶瓷的制备方法，属于电子陶瓷材料领域。

背景技术

0、背景技术：

1、随着电子信息技术的不断发展，介电陶瓷广泛应用于集成电路基板的制成材料。mgo介电陶瓷一种很有潜力的基板材料，它具有优异的介电性能，且耐高温，适合复杂工况。

2、mgo介电陶瓷的传统烧结温度较高。专利cn102745977公布制备高致密纳米氧化镁陶瓷的烧结温度为1300℃以上。专利103601473公布高纯氧化镁陶瓷的烧结温度为1500℃。专利109053170公布纳米氧化镁陶瓷的烧结温度为1380℃。可见氧化镁陶瓷的烧结温度均在1300℃以上。为适应今天的市场，在满足性能的同时降低烧结温度是急需解决的问题。

技术实现思路

0、技术实现要素：

1、本发明目的旨在提供一种mgo介电陶瓷的制备方法，通过该方法可以在450℃以下制备出晶粒细小、均匀致密的mgo介电陶瓷。该方法工艺简单，降低了mgo的烧结温度。

2、本发明解决上述技术问题的技术方案是：

3、一种mgo介电陶瓷的制备方法，其步骤包括：

4、步骤1：将mgo粉末加入碳酸溶液，混合搅拌，再抽滤得到mgo浆料；

5、步骤2：浆料放入模具中施加一定的压力和温度；

6、步骤3：保温保压一定时间成功制备出mgo陶瓷；

7、进一步地，步骤1所述的mgo粉体的平均粒径为10nm～1μm，优选10nm～200nm。

8、进一步地，步骤1所述的碳酸溶液为饱和溶液。

9、进一步地，步骤1所述的碳酸溶液质量与mgo粉末质量为1:(50～200)，优选1:(50～100)。

10、进一步地，步骤2所述的浆料放入模具中施加一定的压力为280～450mpa，优选300～350mpa。

11、进一步地，步骤2所述的模具加热一定温度分为两个升温阶段。第一阶段，升温曲线为以5～12℃/min的速率升到150～200℃保温10～30min；第二阶段，再以5～12℃/min升到300～450℃。

12、进一步地，步骤3所述的保温保压一定时间为20-180min，优选20-60min本发明的优点和积极效果：

13、本发明在450℃以下制备了晶粒细小，致密的mgo介电陶瓷，无需采用高温烧结使陶瓷结晶致密，具有烧结温度低、工艺简单的特点，为陶瓷的制备提供了一个思路。本发明可以根据工况要求，改变模具内孔的形状，制备出多种陶瓷，具有很好的应用前景。

技术特征：

1.一种mgo介电陶瓷的制备方法，其特征在于：操作步骤包括：

2.根据权利要求1所述的一种mgo介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤1中mgo粉体的平均粒径为10nm～1μm。

3.根据权利要求1所述的一种mgo介电陶瓷的制备方法，步骤1其特征在于，所述步骤1中碳酸溶液是饱和状态溶液。

4.根据权利要求2所述的一种mgo介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，碳酸溶液质量与mgo粉末质量为1:(50～200)。

5.根据权利要求1所述的一种mgo介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，浆料放入模具中施加一定的压力为单轴压力，压力为280～450mpa。

6.根据权利要求1所述的一种mgo介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，将模具加热至一定的温度分为两个升温阶段。

7.根据权利要求1所述的一种mgo介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，保温保压一定时间为20～180min。

技术总结本发明公开了一种MgO介电陶瓷的制备方法，其步骤包括：1)将MgO粉末加入碳酸溶液，混合搅拌，再抽滤得到MgO浆料；2)浆料放入模具中加压加热；3)保温保压一定时间得到致密MgO介电陶瓷。本发明通过对碳酸添加量、施加压力大小、烧结温度、烧结时间等的控制，在低于450℃的温度下成功烧结出晶粒细小均匀的致密MgO介电陶瓷。本发明采用无需采用高温烧结使陶瓷结晶致密，具有烧结温度低、工艺简单、节约能源的特点，所制备出的陶瓷具有晶粒细小、均匀致密，陶瓷变形小的优点。技术研发人员：韦合春,朱归胜,宋金杰,谌阳,陈福敏,邓璇受保护的技术使用者：宋金杰技术研发日：技术公布日：2024/6/11