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树脂组合物层的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 17:36:26

本发明涉及树脂组合物层。本发明还涉及具备该树脂组合物层的树脂片材、使用该树脂组合物层的电路基板及其制造方法、半导体芯片封装及其制造方法、以及半导体装置。

背景技术:

1、电路基板及半导体芯片封装中一般设有绝缘层。例如,在作为电路基板的一种的印刷布线板中,有时作为绝缘层设有层间绝缘层。此外,例如,在半导体芯片封装中,有时作为绝缘层设有再布线形成层。这些绝缘层通常由使树脂组合物固化而得的固化物形成(专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本专利特开2013-173841号公报。

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、绝缘层一般被要求具有较低的介质损耗角正切。作为用于实现较低的介质损耗角正切的方法之一,可举出使用组合包含环氧树脂和活性酯类固化剂的树脂组合物的方法。本发明人尝试了在像这样使用了组合包含环氧树脂和活性酯类固化剂的树脂组合物的绝缘层中,不仅介质损耗角正切降低,而且还可进一步降低相对介电常数的技术的开发。

3、具体来说,本发明人尝试了使用与环氧树脂和活性酯类固化剂加以组合而包含中空无机填充材料的树脂组合物,来制造相对介电常数低的绝缘层。只要没有另外说明,术语“中空无机填充材料”表示在内部具有空孔的无机填充材料。通常,中空无机填充材料的空孔中有空气进入。一般空气具有较低的相对介电常数,因此可期待使用包含中空无机填充材料的树脂组合物制造的绝缘层具有较低的相对介电常数。

4、但是,在使用与环氧树脂和活性酯类固化剂加以组合而包含中空无机填充材料的树脂组合物来制造绝缘层,并进行了该绝缘层的粗糙化处理的情况下,存在绝缘层的表面粗糙度增大的倾向。为了应对近年来的布线的高密度化,不仅要求降低相对介电常数,还要求减小绝缘层的表面粗糙度。

5、本发明是鉴于上述的课题而提出的发明,其目的是提供可获得相对介电常数低且粗糙化处理后的表面粗糙度小的绝缘层的树脂组合物层、具备所述树脂组合物层的树脂片材、使用了所述树脂组合物层的电路基板及其制造方法、使用了所述树脂组合物层的半导体芯片封装、以及具备所述的电路基板或半导体芯片封装的半导体装置。

6、解决技术问题所采用的技术方案

7、本发明人为了解决上述的课题而进行了认真研究。结果本发明人发现组合具备特定的第一组合物层和特定的第二组合物层的树脂组合物层可解决上述的课题,从而完成了本发明。即,本发明包括下述的内容。

8、[1]树脂组合物层,其是具备包含第一树脂组合物的第一组合物层、以及包含第二树脂组合物的第二组合物层的树脂组合物层,其中,

9、第一树脂组合物包含(a)环氧树脂、(b)活性酯类固化剂、及包含中空无机填充材料的(c)第一无机填充材料;

10、第二树脂组合物包含(a)环氧树脂、(b)固化剂、及不包含中空无机填充材料的(c)第二无机填充材料;

11、(c)第一无机填充材料中所含的中空无机填充材料的平均粒径大于(c)第二无机填充材料的平均粒径。

12、[2]根据[1]所述的树脂组合物层,其中,(c)第一无机填充材料中的中空无机填充材料的平均粒径为0.1μm以上且10μm以下。

13、[3]根据[1]或[2]所述的树脂组合物层,其中,(c)第一无机填充材料中的中空无机填充材料的平均粒径与(c)第二无机填充材料的平均粒径之差为0.01μm以上。

14、[4]根据[1]~[3]中任一项所述的树脂组合物层,其中,相对于第一树脂组合物的不挥发成分100质量%,(c)无机填充材料的量为30质量%以上且90质量%以下。

15、[5]根据[1]~[4]中任一项所述的树脂组合物层,其中,相对于(c)第一无机填充材料100质量%,(c)第一无机填充材料中的中空无机填充材料的量为10质量%以上。

16、[6]根据[1]~[5]中任一项所述的树脂组合物层,其中,第二树脂组合物的(b)固化剂包含活性酯类固化剂。

17、[7]根据[1]~[6]中任一项所述的树脂组合物层,其中,相对于第二树脂组合物的不挥发成分100质量%,(c)第二无机填充材料的量为20质量%以上且80质量%以下。

18、[8]树脂片材,其是具备支承体、以及形成于该支承体上的[1]~[7]中任一项所述的树脂组合物层的树脂片材,其中,

19、所述树脂片材依序具备支承体、第二组合物层及第一组合物层。

20、[9]电路基板,其中,具备包含[1]~[7]中任一项所述的树脂组合物层的固化物的绝缘层。

21、[10]半导体芯片封装,其中,具备包含[1]~[7]中任一项所述的树脂组合物层的固化物的绝缘层。

22、[11]半导体装置,其中,具备[9]所述的电路基板。

23、[12]半导体装置,其中,具备[10]所述的半导体芯片封装。

24、[13]电路基板的制造方法,其中,包括:

25、将[1]~[7]中任一项所述的树脂组合物层与基材以第一组合物层与基材接合的方式进行层叠的工序;

26、使树脂组合物层固化而形成绝缘层的工序;和

27、在绝缘层的与所述基材相反的一侧的面形成导体层的工序。

28、发明的效果

29、如果采用本发明,则能够提供可获得相对介电常数低且粗糙化处理后的表面粗糙度小的绝缘层的树脂组合物层、具备所述树脂组合物层的树脂片材、使用所述树脂组合物层的电路基板及其制造方法、使用所述树脂组合物层的半导体芯片封装、以及具备所述的电路基板或半导体芯片封装的半导体装置。

30、附图的简单说明

31、图1是示意性表示本发明的一个实施方式所涉及的树脂组合物层的剖视图;

32、图2是示意性表示本发明的一个实施方式所涉及的树脂片材的剖视图。

技术特征:

1.树脂组合物层,其是具备包含第一树脂组合物的第一组合物层、以及包含第二树脂组合物的第二组合物层的树脂组合物层,其中,

2.根据权利要求1所述的树脂组合物层,其中,(c)第一无机填充材料中的中空无机填充材料的平均粒径为0.1μm以上且10μm以下。

3.根据权利要求1所述的树脂组合物层,其中,(c)第一无机填充材料中的中空无机填充材料的平均粒径与(c)第二无机填充材料的平均粒径之差为0.01μm以上。

4.根据权利要求1所述的树脂组合物层,其中,相对于第一树脂组合物的不挥发成分100质量%,(c)第一无机填充材料的量为30质量%以上且90质量%以下。

5.根据权利要求1所述的树脂组合物层,其中,相对于(c)第一无机填充材料100质量%,(c)第一无机填充材料中的中空无机填充材料的量为10质量%以上。

6.根据权利要求1所述的树脂组合物层,其中,第二树脂组合物的(b)固化剂包含活性酯类固化剂。

7.根据权利要求1所述的树脂组合物层,其中,相对于第二树脂组合物的不挥发成分100质量%,(c)第二无机填充材料的量为20质量%以上且80质量%以下。

8.树脂片材,其是具备支承体、以及形成于该支承体上的权利要求1~7中任一项所述的树脂组合物层的树脂片材,其中,

9.电路基板,其具备包含权利要求1~7中任一项所述的树脂组合物层的固化物的绝缘层。

10.半导体芯片封装,其具备包含权利要求1~7中任一项所述的树脂组合物层的固化物的绝缘层。

11.半导体装置,其具备权利要求9所述的电路基板。

12.半导体装置,其具备权利要求10所述的半导体芯片封装。

13.电路基板的制造方法,该方法包括:

技术总结本发明的课题是提供可获得相对介电常数低且粗糙化处理后的表面粗糙度小的绝缘层的树脂组合物层。本发明的解决手段是树脂组合物层,其是具备包含第一树脂组合物的第一组合物层、以及包含第二树脂组合物的第二组合物层的树脂组合物层,其中,第一树脂组合物包含(A)环氧树脂、(B)活性酯类固化剂、及包含中空无机填充材料的(C)第一无机填充材料;第二树脂组合物包含(a)环氧树脂、(b)固化剂、及不包含中空无机填充材料的(c)第二无机填充材料;(C)第一无机填充材料中所含的中空无机填充材料的平均粒径大于(c)第二无机填充材料的平均粒径。技术研发人员:藤岛祥平受保护的技术使用者:味之素株式会社技术研发日:技术公布日:2024/6/18

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