一种具有M型回水结构的多芯片半导体制冷器的制作方法

本技术属于半导体制冷器，尤其涉及一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器。

背景技术：

1、半导体制冷器是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，又称热电制冷器。用导体连接两块不同的金属,接通直流电,则一个接点处温度降低，另一个接点处温度升高。

2、目前，通常是利用散热风扇对半导体制冷器的温度升高接点进行降温，使得半导体制冷器的散热效率低。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于：为了解决利用散热风扇对半导体制冷器的温度升高接点进行降温，导致半导体制冷器的散热效率低的问题，而提出的一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器，其包括两层金属片、多个粒状半导体、绝缘冷端和绝缘热端，多个所述粒状半导体呈矩形阵列排布并连接两层所述金属片，所述绝缘冷端和所述绝缘热端分别铺贴在两层所述金属片的表面，所述绝缘热端的内部开设有多条m型散热通道，所述绝缘热端的相对两侧开设有两个管道孔，所述m型散热通道的两端分别连通两个所述管道孔。

3、作为上述技术方案的进一步描述：

4、多个所述m型散热通道沿着直线方向等距离均匀排列布置。

5、作为上述技术方案的进一步描述：

6、所述绝缘热端的内部开设有两个汇流槽，其中一个所述汇流槽连通多个所述m型散热通道的一端，且另一个所述汇流槽连通多个所述m型散热通道的另一端，两个所述汇流槽分别连通两个所述管道孔。

7、作为上述技术方案的进一步描述：

8、所述绝缘热端包括基层和盖板，多个所述m型散热通道和两个所述汇流槽皆开设在所述基层的表面，所述盖板卡接所述基层，且所述盖板贴合所述基层的表面。

9、作为上述技术方案的进一步描述：

10、所述基层的表面开设有卡槽，所述盖板的边缘设置有围挡件，所述围挡件卡入所述卡槽内，所述管道孔开设在所述围挡件上。

11、综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

12、本实用新型中，通过在半导体制冷器的绝缘热端内设置有多条m型散热通道，多条m型散热通道的两端分别连通两个管道孔，便于在绝缘热端处外接水冷散热系统，m型散热通道增加了单流道的流经长度，使得冷却水与绝缘热端充分接触，从而带走绝缘热端处的热量，大大地提高了半导体制冷器的散热效率。

技术特征：

1.一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器，其特征在于：包括两层金属片(1)、多个粒状半导体(2)、绝缘冷端(3)和绝缘热端(4)，多个所述粒状半导体(2)呈矩形阵列排布并连接两层所述金属片(1)，所述绝缘冷端(3)和所述绝缘热端(4)分别铺贴在两层所述金属片(1)的表面，所述绝缘热端(4)的内部开设有多条m型散热通道(5)，所述绝缘热端(4)的相对两侧开设有两个管道孔(6)，所述m型散热通道(5)的两端分别连通两个所述管道孔(6)。

2.根据权利要求1所述的一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器，其特征在于，多个所述m型散热通道(5)沿着直线方向等距离均匀排列布置。

3.根据权利要求1所述的一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器，其特征在于，所述绝缘热端(4)的内部开设有两个汇流槽(7)，其中一个所述汇流槽(7)连通多个所述m型散热通道(5)的一端，且另一个所述汇流槽(7)连通多个所述m型散热通道(5)的另一端，两个所述汇流槽(7)分别连通两个所述管道孔(6)。

4.根据权利要求3所述的一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器，其特征在于，所述绝缘热端(4)包括基层(41)和盖板(42)，多个所述m型散热通道(5)和两个所述汇流槽(7)皆开设在所述基层(41)的表面，所述盖板(42)卡接所述基层(41)，且所述盖板(42)贴合所述基层(41)的表面。

5.根据权利要求4所述的一种具有m型回水结构的多芯片半导体制冷器，其特征在于，所述基层(41)的表面开设有卡槽(8)，所述盖板(42)的边缘设置有围挡件(9)，所述围挡件(9)卡入所述卡槽(8)内，所述管道孔(6)开设在所述围挡件(9)上。

技术总结本技术公开了一种具有M型回水结构的多芯片半导体制冷器，属于半导体制冷器技术领域，包括两层金属片、多个粒状半导体、绝缘冷端和绝缘热端，多个所述粒状半导体呈矩形阵列排布并连接两层所述金属片，所述绝缘冷端和所述绝缘热端分别铺贴在两层所述金属片的表面，所述绝缘热端的内部开设有多条M型散热通道，所述绝缘热端的相对两侧开设有两个管道孔；本技术通过在半导体制冷器的绝缘热端内设置有多条M型散热通道，多条M型散热通道的两端分别连通两个管道孔，便于在绝缘热端处外接水冷散热系统，M型散热通道增加了单流道的流经长度，使得冷却水与绝缘热端充分接触，从而带走绝缘热端处的热量，大大地提高了半导体制冷器的散热效率。技术研发人员：刘辉受保护的技术使用者：长春市柏达医疗设备有限责任公司技术研发日：20231023技术公布日：2024/7/9