粗糙化处理铜箔及覆铜层叠板、以及印刷电路板的制造方法与流程

本发明涉及粗糙化处理铜箔及覆铜层叠板、以及印刷电路板的制造方法。

背景技术：

1、在印刷电路板的制造工序中，铜箔以与绝缘树脂基材贴合的覆铜层叠板的形态被广泛使用。对于这点，为了防止在印刷电路板制造时发生布线的剥离，希望铜箔与绝缘树脂基材具有高的密合力。因此，对于通常的印刷电路板制造用铜箔，对铜箔的贴合面实施粗糙化处理而形成包含微细的铜颗粒的凹凸，通过压制加工使该凹凸嵌入绝缘树脂基材的内部从而发挥锚固效果，由此提高密合性。

2、作为进行了这样的粗糙化处理的铜箔，例如专利文献1(日本特开2018-172785号公报)中公开了一种表面处理铜箔，其具有铜箔和位于铜箔的至少一个表面的粗糙化处理层，粗糙化处理层侧表面的算术平均偏差ra为0.08μm以上且0.20μm以下，粗糙化处理层侧表面的td(宽度方向)的光泽度为70％以下。根据这样的表面处理铜箔，可良好地抑制设置于铜箔表面的粗糙化颗粒的脱落，并且可良好地抑制与绝缘基板贴合时的褶皱及条纹的产生。

3、另一方面，随着近年的便携式电子设备等的高功能化，为了进行大容量数据的高速处理，无论是数字信号还是模拟信号，都在推进高频化，要求适于高频用途的印刷电路板。对于这样的高频用印刷电路板，为了能够不使高频信号劣化地进行传输，期望传输损耗的减少。印刷电路板具备被加工成布线图案的铜箔和绝缘基材，作为传输损耗中的主要损耗，可列举出由铜箔引起的导体损耗和由绝缘基材引起的介电损耗。

4、对于这点，提出了实现传输损耗的减少的粗糙化处理铜箔。例如，专利文献2(日本特开2015-148011号公报)中公开了：出于提供信号的传输损耗小的表面处理铜箔及使用其的层叠板等的目的，通过表面处理将铜箔表面的基于jis b0601-2001的偏度rsk控制为-0.35以上且0.53以下这样的规定范围等。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2018-172785号公报

8、专利文献2：日本特开2015-148011号公报

技术实现思路

1、如上所述，近年来，要求印刷电路板进一步减少传输损耗。但是，仅通过专利文献1和2中公开的铜箔中的粗糙化处理面的改善来应对这样的要求是有限的。

2、本发明人等此次得到了如下见解，在粗糙化处理铜箔中，通过将粗糙化处理面中的界面扩展面积比sdr控制在规定的范围，并且控制存在于与粗糙化处理面相反侧的面上的规定方位的晶粒的晶界，从而在使用其制造的覆铜层叠板或印刷电路板中，能够实现优异的传输特性。

3、因此，本发明的目的在于，提供用于覆铜层叠板或印刷电路板时，能够实现优异的传输特性的粗糙化处理铜箔。

4、根据本发明，提供下述的实施方式。

5、[实施方式1]

6、一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，

7、所述粗糙化处理面的依据iso25178以倍率200倍、无s滤波器、以及l滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比sdr为70.0％以下，

8、与所述粗糙化处理面相反侧的面在以180℃加热1小时后通过电子背散射衍射法(ebsd)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度l与占有面积s之比l/s的平均值为13.0μm/μm2以下。

9、[实施方式2]

10、根据实施方式1所述的粗糙化处理铜箔，其中，与所述粗糙化处理面相反侧的面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a4的和(a2+a3+a4)之比a1/(a2+a3+a4)为0.10以上且0.60以下。

11、[实施方式3]

12、根据实施方式1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述l/s的平均值为2.0μm/μm2以上且11.0μm/μm2以下。

13、[实施方式4]

14、根据实施方式1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的依据iso25178以倍率200倍、无s滤波器、以及无l滤波器的条件测定的中心部的水平差sk为1.70μm以下。

15、[实施方式5]

16、根据实施方式1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔为电解铜箔，所述粗糙化处理面存在于电解铜箔的电极面侧。

17、[实施方式6]

18、根据实施方式1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒，所述粗糙化颗粒由金属构成。

19、[实施方式7]

20、一种覆铜层叠板，其具备树脂层和设置于该树脂层的至少一个表面的粗糙化处理铜箔，

21、所述粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面与所述树脂层接触，

22、所述粗糙化处理面的依据iso25178以倍率200倍、无s滤波器、以及l滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比sdr为70.0％以下，

23、所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面在通过电子背散射衍射法(ebsd)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度l与占有面积s之比l/s的平均值为13.0μm/μm2以下。

24、[实施方式8]

25、根据实施方式7所述的覆铜层叠板，其中，所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a4的和(a2+a3+a4)之比a1/(a2+a3+a4)为0.10以上且0.60以下。

26、[实施方式9]

27、一种印刷电路板的制造方法，其包括如下工序：

28、准备粗糙化处理铜箔的工序，所述粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面的依据iso25178以倍率200倍、无s滤波器、及l滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比sdr为70.0％以下；

29、在树脂层的至少一个表面上以所述粗糙化处理面与所述树脂层接触的方式层叠所述粗糙化处理铜箔，从而制作覆铜层叠板的工序；

30、对所述覆铜层叠板的所述粗糙化处理铜箔进行加工，从而形成电路的工序；以及，

31、对所述电路进行基于蚀刻的粗糙化处理的工序，

32、进行所述基于蚀刻的粗糙化处理之前的所述电路的表面在通过电子背散射衍射法(ebsd)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度l与占有面积s之比l/s的平均值为13.0μm/μm2以下。

33、[实施方式10]

34、根据实施方式9所述的印刷电路板的制造方法，其中，进行所述基于蚀刻的粗糙化处理之前的所述电路的表面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积a4的和(a2+a3+a4)之比a1/(a2+a3+a4)为0.10以上且0.60以下。