一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法及应用

本发明铜箔制备，涉及一种低轮廓铜箔的制备方法，具体涉及一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法及应用。

背景技术：

1、超低轮廓铜箔由于超低表面粗糙度特性，在6g无线通讯用pcb板上有着良好的潜在应用。传统降低铜箔表面粗糙度的方法分为两种模式，分别是机械抛光或者化学抛光。采用机械抛光可能会使铜箔产生裂纹，影响铜箔的使用性能和寿命。而采用化学抛光化学耗材消耗大，有些化学抛光配方会污染环境，抛光温度高时会形成酸雾，工作环境差。相比而言，采用电化学抛光制备超低轮廓铜箔的方式加工效率高、不会导致表面缺陷且加工后表面粗糙度更低。然而使用传统电化学抛光电解液无法有效保护铜箔表面不被进一步蚀刻，抛光后的铜箔表面会出现点蚀后的小孔，反而增加了铜箔表面粗糙度，因此也在一定程度上限制了铜箔产品的应用领域。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法及应用，以克服现有技术中的不足。

2、为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

3、本发明实施例提供了一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法，其包括：

4、提供硼酸体系，其包括苯并三氮唑、有机铵盐和硼酸；

5、使作为工作电极的待处理铜箔、对电极、电解液共同构建形成电化学反应体系，其中，所述电解液包括磷酸-乙醇水溶液和硼酸体系；

6、使所述电化学反应体系通电，对待处理铜箔表面进行电化学抛光，制得超低轮廓铜箔。

7、在一些实施例中，所述制备方法包括：采用恒电位法，对待处理铜箔表面进行电化学抛光，其中，采用的电位为1v～10v，电解液的温度为10℃～40℃，电化学抛光的处理时间为10min～240min。

8、本发明实施例还提供了一种超低轮廓铜箔，它是由前述制备方法制备得到的。

9、本发明实施例还提供了前述超低轮廓铜箔于6g通讯用pcb板中的应用。

10、与传统方法相比，本发明的有益效果在于：

11、本发明提供的超低轮廓铜箔的制备方法利用硼酸体系制备适用于6g通讯用pcb板的超低轮廓铜箔，同时硼酸及聚硼酸盐的存在使电化学抛光过程中点蚀大幅度减少，进一步提高铜箔表面平坦度，制备得到的铜箔产品同时具有超薄且超低表面粗糙度的特性，使得该材料在更多领域具有应用的可能性。

技术特征：

1.一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述电解液中苯并三氮唑的浓度为1g/l～200g/l，有机铵盐的浓度为1g/l～200g/l，硼酸的浓度为1g/l～400g/l。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述有机铵盐包括乙酸铵。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磷酸-乙醇水溶液包括磷酸水溶液和无水乙醇的混合液。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述磷酸水溶液中磷酸的浓度为70％～90％；和/或，所述电解液中无水乙醇的浓度为5％～25％。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括：采用恒电位法，对待处理铜箔表面进行电化学抛光，其中，采用的电位为1v～10v，电解液的温度为10℃～40℃，电化学抛光的处理时间为10min～240min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述对电极包括表面覆盖有防腐涂层的金属钛、惰性金属中的任一种，优选的，所述惰性金属包括金、铂中的至少任一种。

8.由权利要求1-7中任一项所述制备方法制得的超低轮廓铜箔。

9.根据权利要求8所述的超低轮廓铜箔，其特征在于：所述超低轮廓铜箔的厚度为2～6μm，表面粗糙度为0.8～1.5μm。

10.权利要求8或9所述的超低轮廓铜箔于6g通讯用pcb板中的应用。

技术总结本发明公开了一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法及应用。所述制备方法包括：提供硼酸体系，其包括苯并三氮唑、有机铵盐和硼酸；使作为工作电极的待处理铜箔、对电极、电解液共同构建形成电化学反应体系，所述电解液包括磷酸‑乙醇水溶液和硼酸体系；使所述电化学反应体系通电，对待处理铜箔表面进行电化学抛光，制得超低轮廓铜箔。本发明提供的超低轮廓铜箔的制备方法利用硼酸体系制备适用于6G通讯用PCB板的超低轮廓铜箔，同时硼酸及聚硼酸盐的存在使电化学抛光过程中点蚀大幅度减少，进一步提高铜箔表面平坦度，制备得到的铜箔产品同时具有超薄且超低表面粗糙度的特性，使得该材料在更多领域具有应用的可能性。技术研发人员：李武,钱玉龙,张波,赵玉祥,张万珍,季霞芳,黄金望,王欣玉,舒永琪,李雪婷,马悦,索玲,梁建受保护的技术使用者：中国科学院青海盐湖研究所技术研发日：技术公布日：2024/5/12