包括图案化EM辐射吸收层的光电子器件的制作方法

本公开涉及分层半导体器件，并且具体地涉及一种光电子器件，它具有由半导体层分开的第一电极和第二电极并且具有沉积在其上的导电沉积材料，该导电沉积材料使用图案化涂层图案化，该图案化涂层可充当和/或作为成核抑制涂层(nic)和/或这种nic。

背景技术：

1、在诸如有机发光二极管(oled)的光电子器件中，至少一个半导电层设置在一对电极诸如阳极和阴极之间。阳极和阴极与电源电耦接，并且分别产生空穴和电子，这些空穴和电子通过该至少一个半导电层朝向彼此迁移。当一对空穴和电子结合时，可以发射光子。

2、oled显示器面板可包括多个(子)像素，每个(子)像素具有相关联的一对电极。此类面板的各种层和涂层通常由基于真空的沉积工艺形成。

3、在一些应用中，可能存在这样的目标：在面板的某些区域中提供光子吸收层或涂层。在一些应用中，这种光子吸收层可被称为黑色矩阵(bm)层，尤其是如果这些区域位于面板的每个(子)像素周围但不在其上方。该光子吸收层吸收入射在其上的外部光并且减少面板对这种光的反射。这样，光子吸收层的存在可减少入射在其上的外部光进入面板的干扰，并且因此减少从其内部反射的光，这种内部反射的光原本可通过在面板上方实施偏振器来补偿。这种光子吸收层可被成形为避免覆盖面板的发射区域，使得发射光不会被其吸收并且被阻止离开面板。

4、在一些应用中，可能存在这样的目标：在oled制造工艺期间，通过选择性沉积来形成器件特征，诸如但不限于电极和/或与其电耦接的导电元件，和/或em辐射吸收层，在面板的侧向朝向和剖面朝向中的任一者或两者上为面板的每个(子)像素提供一定图案的导电沉积材料。

5、在一些非限制性应用中，这样做的一种方法涉及在沉积材料的沉积期间插入精细金属掩模(fmm)(包括作为电极和/或与其电耦接的导电元件)，和/或em辐射吸收层。然而，这种沉积材料典型地具有相对高的蒸发温度，这会影响重复使用fmm的能力和/或可实现的图案的准确性，还伴随成本、努力和复杂性的增加。

6、在一些非限制性示例中，这样做的一种方法涉及将沉积材料沉积然后移除(包括通过激光钻孔工艺)其中不需要的区域以形成图案。然而，移除过程通常涉及碎屑的产生和/或存在，这可能影响该制造过程的产量。

7、此外，此类方法可能不适用于一些应用和/或具有某些形貌特征的一些设备。

8、在一些非限制性应用中，可能存在这样的目标：提供一种改进的机制来用于提供导电涂层的选择性沉积。

技术实现思路

1、本发明的目的是消除或减轻现有技术的至少一个缺点。

2、本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件促进其上em辐射的吸收。该器件在至少一个侧向朝向延伸。em辐射吸收层被沉积在第一层表面上，该em辐射吸收层包括至少一种颗粒结构的不连续层，该颗粒结构包括沉积材料。该颗粒结构促进入射在其上的em辐射的吸收，并且可包括晶种，该沉积材料可倾向于围绕该晶种聚结，并且/或者包括与共沉积介电材料共沉积的该沉积材料。该em辐射吸收层可设置在支撑介电层上和/或由覆盖介电层覆盖。公开了一种图案化涂层，其对于沉积材料和/或晶种材料在该图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率小于对于沉积材料和/或晶种材料在第二层表面上的沉积的初始黏着概率。

3、根据一个广义方面，公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：至少一个em辐射吸收层，该至少一个em辐射吸收层沉积在第一层表面上并且包括至少一种颗粒结构的不连续层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料；其中该至少一个em辐射吸收层的至少一种颗粒结构促进入射在其上的em辐射的吸收。

4、在一些非限制性示例中，沉积源材料可为金属。

5、在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可包括等离激元岛和纳米颗粒中的至少一者。

6、在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可具有选自以下至少一者的特性特征：尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构造、沉积密度和组合物。

7、在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可包括晶种，沉积材料倾向于围绕该晶种聚结。在一些非限制性示例中，该晶种可由晶种材料构成。在一些非限制性示例中，该晶种材料可为选自镱(yb)和银(ag)中的至少一者的金属。在一些非限制性示例中，该晶种材料可具有相对于沉积材料的高润湿性质。在一些非限制性示例中，该至少一个em辐射吸收层的至少一种颗粒结构的晶种沉积在第一层表面上的模板层中。

8、在一些非限制性示例中，沉积材料可与共沉积介电材料共沉积。在一些非限制性示例中，该共沉积介电材料可包括有机材料、半导体材料和有机半导体材料中的至少一者。在一些非限制性示例中，该共沉积介电材料可具有小于1的对于沉积材料的沉积的初始黏着概率。在一些非限制性示例中，沉积材料与共沉积介电材料的比率可为50:1、45:1、40:1、35:1、30:1、25:1、20:1、19:1、15:1、12.5:1、10:1、7.5:1和5:1中的至少一者。

9、在一些非限制性示例中，该器件还可包括设置在该器件的侧向朝向的第一部分中的第二层表面上的图案化涂层，其中：第二层表面位于基板和第一层表面之间，至少一个em辐射吸收层设置在侧向朝向的第二部分中，并且对于沉积材料在该图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率显著小于对于沉积材料沉积到第二层表面上的初始黏着概率，使得该图案化涂层基本上没有沉积材料的封闭涂层。

10、在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可包括晶种，沉积材料倾向于围绕该晶种聚结，其中该晶种设置在基板和图案化涂层之间。在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可包括晶种，沉积材料倾向于围绕该晶种聚结，其中该晶种由晶种材料构成，使得对于该晶种材料在图案化材料表面上的沉积的初始黏着概率显著小于对于该晶种材料沉积到第二层表面上的初始黏着概率。

11、在一些非限制性示例中，该器件可为光电子器件，并且第一部分可包括其至少一个发射区域。在一些非限制性示例中，第二部分可包括非发射区域的至少一部分。

12、在一些非限制性示例中，该器件还可包括限定第一层表面的支撑介电层，其中该支撑介电层设置在第三层表面上。在一些非限制性示例中，该支撑介电层可使该至少一种颗粒结构与第三层表面解除电耦接。在一些非限制性示例中，该支撑介电层可促进入射在该至少一种颗粒结构上的em辐射的吸收。在一些非限制性示例中，该支撑介电层可包括该器件的封盖层。在一些非限制性示例中，该支撑介电层可包括支撑介电材料，该支撑介电材料与和共沉积材料共沉积的共沉积介电材料相同。

13、在一些非限制性示例中，该至少一个em辐射吸收层和支撑介电层两者在侧向朝向的第二部分中延伸。在一些非限制性示例中，该器件还可包括设置在侧向朝向的第一部分中的第二层表面上的图案化涂层，其中支撑介电层延伸到第一部分中。在一些非限制性示例中，第三层表面和第一层表面可相同。

14、在一些非限制性示例中，该器件还可包括设置在该至少一个em辐射吸收层上的覆盖介电层。在一些非限制性示例中，该覆盖介电层可促进入射在该至少一种颗粒结构上的em辐射的吸收。在一些非限制性示例中，该覆盖介电层可包括该器件的封盖层。在一些非限制性示例中，该覆盖介电层可包括覆盖介电材料，该覆盖介电材料与和共沉积材料共沉积的共沉积介电材料相同。在一些非限制性示例中，该覆盖介电层可包括覆盖介电材料，该覆盖介电材料与形成限定第一层表面的支撑介电层的支撑介电材料相同。

15、在一些非限制性示例中，该覆盖介电层可包括另一层表面，该至少一个em辐射吸收层中的另一层设置在该另一层表面上。在一些非限制性示例中，该另一层表面可限定用于支撑该至少一个em辐射吸收层中的该另一层的支撑介电层。

16、在一些非限制性示例中，该至少一个em辐射吸收层的吸收可集中在em光谱的波长范围中。在一些非限制性示例中，该波长范围可对应于可见光谱及其子范围中的至少一者。在一些非限制性示例中，沉积材料的介电常数可影响该波长范围。在一些非限制性示例中，该至少一个em辐射吸收层中的第一层的吸收可集中在与该至少一个em辐射吸收层中的第二层的吸收不同的波长范围中。

17、根据一个广义方面，公开了一种用于制造具有多个层的半导体器件的方法，该半导体器件促进入射在其上的em辐射的吸收，该方法包括以下动作：在第一层表面上的至少一个em辐射吸收层中沉积包括沉积材料的至少一种颗粒结构。

18、在一些非限制性示例中，该沉积动作可包括以下动作：利用至少一种晶种在第一层表面播种，沉积材料倾向于围绕该晶种聚结。

19、在一些非限制性示例中，该沉积动作可包括以下动作：在侧向朝向的第一部分中的第二层表面上设置图案化涂层，其中对于沉积材料在该图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率显著小于对于沉积材料在第二层表面上的沉积的初始黏着概率；以及将该器件暴露于沉积材料，使得该至少一种颗粒结构沉积在侧向朝向的基本上没有图案化涂层的第二部分中。

20、在一些非限制性示例中，该方法可包括在设置动作之前的以下动作：利用至少一种晶种在第一层表面播种，沉积材料倾向于围绕该晶种聚结，使得该至少一种晶种在第一部分中基本上被图案化涂层覆盖。

21、在一些非限制性示例中，该方法还可包括在设置动作之后的以下动作：利用包括晶种材料的至少一种晶种在第一层表面播种，沉积材料倾向于围绕该晶种聚结，其中对于晶种材料在图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率显著小于对于晶种材料沉积到第二层表面上的初始黏着概率，使得第一部分基本上没有晶种。

22、在一些非限制性示例中，该沉积动作可包括以下动作：将沉积材料与共沉积介电材料共沉积。

23、在一些非限制性示例中，该方法还可包括在沉积动作之前的以下动作：建立支撑介电层作为第一层表面。

24、在一些非限制性示例中，该方法还可包括在沉积动作之后的以下动作：利用覆盖介电层覆盖该至少一个em辐射吸收层。