一种MEMS传感器芯片封装结构的制作方法

本技术涉及芯片封装，具体为一种mems传感器芯片封装结构。

背景技术：

1、mems传感器是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。与传统的传感器相比，它具有体积小、重量轻、成本低、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化的特点。同时，在微米量级的特征尺寸使得它可以完成某些传统机械传感器所不能实现的功能。

2、目前使用的芯片封装技术，在将芯片封装后，厚度都较薄，导致芯片很难有手段散热，然后芯片容易损坏。

技术实现思路

1、本实用新型旨在解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

2、为此，本实用新型所采用的技术方案为：

3、一种mems传感器芯片封装结构，包括封装模块，所述封装模块包括与所述封装模块连接的底板、与所述底板顶部贴合的顶壳、设于所述顶壳内部并且与所述底板顶部连接的栅格板、与所述顶壳内腔顶部连接的垫板、设于所述栅格板和垫板之间的芯片、与所述芯片顶部连接的多个金属引脚，所述金属引脚外端延伸至顶壳外侧，所述顶壳两侧均开设有多个散热口。

4、通过采用上述技术方案，在本产品应用时，芯片产生的热量，一方面会由不锈钢材料制成的散热板导走，另一方面会通过多个散热口排出，有效降低了本产品的损坏概率。

5、本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述底板顶部安装有卡板，所述卡板由塑料材料制成。

6、通过采用上述技术方案，设置卡板，为底板与顶壳卡接创造条件。

7、本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述顶壳底部开设有卡槽，所述卡板与卡槽相适配。

8、通过采用上述技术方案，设置卡槽，保证底板与顶壳能够卡接。

9、本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述栅格板的面积与芯片相等，所述栅格板由不锈钢材料制成。

10、通过采用上述技术方案，不锈钢材料制成的栅格板，更容易导走芯片上的热量，有助于芯片散热。

11、本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述栅格板的厚度与垫板的厚度相等，所述垫板的面积小于芯片的面积。

12、通过采用上述技术方案，采用该尺寸设计，使顶壳内的结构更加合理、精美。

13、本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：多个金属引脚等间距、呈两排排列，两排金属引脚分别位于垫板两侧。

14、通过采用上述技术方案，使用金属引脚，方便芯片与外部装置连接。

15、本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：多个散热口分别位于多个金属引脚底部，所述散热口的高度位于金属引脚的三倍。

16、通过采用上述技术方案，设置散热口，方便顶壳内的热量排出。

17、通过采用上述技术方案，本实用新型所取得的有益效果为：

18、1.本实用新型中，在本产品应用时，芯片产生的热量，一方面会由不锈钢材料制成的散热板导走，另一方面会通过多个散热口排出，有效降低了本产品的损坏概率。

19、2.本实用新型中，将芯片放在栅格板顶部，然后垫板对芯片顶部限位，然后合拢底板和顶壳，实现本装置的整体安装，结构简单，方便封装。

技术特征：

1.一种mems传感器芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种mems传感器芯片封装结构，其特征在于，所述底板(110)顶部安装有卡板(310)，所述卡板(310)由塑料材料制成。

3.根据权利要求2所述的一种mems传感器芯片封装结构，其特征在于，所述顶壳(120)底部开设有卡槽(320)，所述卡板(310)与卡槽(320)相适配。

4.根据权利要求1所述的一种mems传感器芯片封装结构，其特征在于，所述栅格板(130)的面积与芯片(150)相等，所述栅格板(130)由不锈钢材料制成。

5.根据权利要求1所述的一种mems传感器芯片封装结构，其特征在于，所述栅格板(130)的厚度与垫板(140)的厚度相等，所述垫板(140)的面积小于芯片(150)的面积。

6.根据权利要求1所述的一种mems传感器芯片封装结构，其特征在于，多个金属引脚(160)等间距、呈两排排列，两排金属引脚(160)分别位于垫板(140)两侧。

7.根据权利要求1所述的一种mems传感器芯片封装结构，其特征在于，多个散热口(200)分别位于多个金属引脚(160)底部，所述散热口(200)的高度位于金属引脚(160)的三倍。

技术总结本技术公开了一种MEMS传感器芯片封装结构，包括封装模块，所述封装模块包括与所述封装模块连接的底板、与所述底板顶部贴合的顶壳、设于所述顶壳内部并且与所述底板顶部连接的栅格板、与所述顶壳内腔顶部连接的垫板、设于所述栅格板和垫板之间的芯片、与所述芯片顶部连接的多个金属引脚，所述金属引脚外端延伸至顶壳外侧，所述顶壳两侧均开设有多个散热口。本技术中，在本产品应用时，芯片产生的热量，一方面会由不锈钢材料制成的散热板导走，另一方面会通过多个散热口排出，有效降低了本产品的损坏概率。技术研发人员：韦宇旻,范俊玲,陈思华受保护的技术使用者：广东天目智芯传感科技有限公司技术研发日：20230306技术公布日：2024/1/13