一种MEMS器件的封装结构的制作方法

本技术涉及mems器件，尤其涉及一种mems器件的封装结构。

背景技术：

1、微机电系统(micro-electronic-mechanical-system，mems)封装技术是mems研究领域中的一个重要研究方向，一方面封装可使mems器件避免受到灰尘、潮气等对可动结构的影响，另一方面通过真空或气密封装还可改变mems器件内部阻尼情况，提高产品的性能。目前的mems芯片封装技术未将mems芯片进行电磁屏蔽处理，导致mems芯片的杂散信号影响mems器件的性能。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种mems器件的封装结构，该封装结构可屏蔽mems芯片前腔的杂散信号，从而可以提高mems芯片的性能。

2、为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

3、本实用新型提供一种mems器件的封装结构，所述封装结构包括：

4、mems芯片，具有一前腔和一后腔；

5、封装外壳，设置于所述mems芯片的外部，用于安装所述mems芯片；以及

6、电磁屏蔽结构，设置于所述封装外壳上，且允许所述电磁屏蔽结构屏蔽所述mems芯片的前腔的信号。

7、在本实用新型的一个实施例中，所述封装外壳包括：

8、具有一声孔的第一pcb板，用于安装所述mems芯片；

9、连接架，设置于所述第一pcb板上，且所述连接架位于所述mems芯片的外部；以及

10、第二pcb板，设置于所述连接架上远离所述第一pcb板的一端。

11、在本实用新型的一个实施例中，所述第一pcb板包括：

12、第一板体；

13、第一金属层，设置于所述第一板体上靠近所述mems芯片的一侧；以及

14、第一绝缘层，设置于所述第一金属层上，且所述第一绝缘层上设置有第一沟槽，允许所述第一金属层裸露。

15、在本实用新型的一个实施例中，所述第二pcb板包括：

16、第二板体，设置于所述连接架上远离所述第一板体的一端；

17、第二金属层，设置于所述第二板体上靠近所述mems芯片的一侧；以及

18、第二绝缘层，设置于所述第二金属层上，且所述第二绝缘层上设置有第二沟槽，允许所述第二金属层裸露。

19、在本实用新型的一个实施例中，所述封装结构还包括防水防尘结构，所述防水防尘结构设置于所述第一pcb板上，用于遮挡所述声孔。

20、在本实用新型的一个实施例中，所述电磁屏蔽结构包括：

21、第三金属层，设置于所述连接架上；

22、第四金属层，设置于所述连接架上与所述第一金属层连接的区域，且所述第四金属层与所述第三金属层电性导通；以及

23、第五金属层，设置于所述连接架上与所述第二金属层连接的区域，且所述第五金属层与所述第三金属层电性导通。

24、在本实用新型的一个实施例中，所述第一板体上设置有第一焊盘，所述第一焊盘与所述mems芯片电性连接。

25、在本实用新型的一个实施例中，所述连接架上设置有第二焊盘和第三焊盘，所述第二焊盘位于所述连接架的一端，且所述第二焊盘与所述第一焊盘电性连接，所述第三焊盘位于所述连接架的另一端，且所述第三焊盘与所述第二焊盘电性连接。

26、在本实用新型的一个实施例中，所述第二板体上设置有第四焊盘，所述第四焊盘与所述第三焊盘电性连接。

27、在本实用新型的一个实施例中，所述第二板体上还设置有第五焊盘、接地焊盘和外接设备焊盘，所述第五焊盘、所述接地焊盘和所述外接设备焊盘位于所述第二板体上远离所述第四焊盘的一侧。

28、综上所述，本实用新型提供一种mems器件的封装结构，该封装结构通过在连接架上设置第三金属层，第三金属层通过第四金属层和第五金属层与第一金属层和第二金属层电性连通，从而将mems芯片的前腔杂散信号屏蔽，增大发射声压级和接收灵敏度，提高mems器件的性能，将mems芯片的背腔粘贴于第一pcb板上，形成正装背发射信号，增大发射声压级和接收灵敏度，在第一pcb板上粘贴防水防尘膜，将声孔覆盖，可以防止粉尘和水进入封装结构，达到防腐、防尘、防水的效果。

技术特征：

1.一种mems器件的封装结构，其特征在于,所述封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装外壳包括：

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一pcb板包括：

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第二pcb板包括：

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括防水防尘结构，所述防水防尘结构设置于所述第一pcb板上，用于遮挡所述声孔。

6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述电磁屏蔽结构包括：

7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一板体上设置有第一焊盘，所述第一焊盘与所述mems芯片电性连接。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述连接架上设置有第二焊盘和第三焊盘，所述第二焊盘位于所述连接架的一端，且所述第二焊盘与所述第一焊盘电性连接，所述第三焊盘位于所述连接架的另一端，且所述第三焊盘与所述第二焊盘电性连接。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述第二板体上设置有第四焊盘，所述第四焊盘与所述第三焊盘电性连接。

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述第二板体上还设置有第五焊盘、接地焊盘和外接设备焊盘，所述第五焊盘、所述接地焊盘和所述外接设备焊盘位于所述第二板体上远离所述第四焊盘的一侧。

技术总结本技术提供一种MEMS器件的封装结构，所述封装结构包括：MEMS芯片，具有一前腔和一后腔；封装外壳，设置于所述MEMS芯片的外部，用于安装所述MEMS芯片；以及电磁屏蔽结构，设置于所述封装外壳上，且允许所述电磁屏蔽结构屏蔽所述MEMS芯片的前腔的信号。本技术提供一种MEMS器件的封装结构，该封装结构可将MEMS芯片的前腔杂散信号屏蔽，增大发射声压级和接收灵敏度，提高MEMS器件的性能，且可防腐、防尘、防水。技术研发人员：曹亭坤,徐涛受保护的技术使用者：合肥领航微系统集成有限公司技术研发日：20230309技术公布日：2024/1/13