器件源区与漏区的形成方法与流程

本发明涉及半导体制造，特别是涉及器件源区与漏区的形成方法。

背景技术：

1、嵌入式闪存器件的制造工艺中需要对pmos管的源/漏区(s/d)注入二氟化硼和氟，氟的注入可以改善负偏压温度不稳定性效应(nbti)。但由于注入的氟会超过硅衬底中的固溶度进而析出，在邻近的光刻胶上冷凝，与光刻胶发生化学反应所产生的局部腐蚀严重影响器件的性能。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种器件源区与漏区的形成方法，用于解决现有的氟离子析出与光刻胶发生化学反应而使得器件性能受到影响的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种器件源区与漏区的形成方法，所述方法包括：

3、提供一半导体结构，其包括衬底、p阱、n阱及栅极结构，其中，所述p阱及所述n阱形成于所述衬底内，所述栅极结构形成于所述p阱及所述n阱所在区域的所述衬底的表面；

4、于所述p阱及所述n阱内进行离子注入以形成轻掺杂漏区，且所述轻掺杂漏区位于各所述栅极结构的两侧；

5、于各所述栅极结构两侧形成第一侧墙及第二侧墙，且所述第二侧墙形成于所述第一侧墙的外侧；

6、于形成有所述第一侧墙及所述第二侧墙的所述半导体结构的表面形成氧化层；

7、于所述n阱内至少注入二氟化硼以形成源区及漏区，此时，所述p阱所在区域的半导体结构利用光刻胶进行保护。

8、可选地，在于所述n阱内形成所述源区及所述漏区时，注入的离子还包括硼及/或氟。

9、可选地，所述第一侧墙的材质包括氮化硅。

10、可选地，所述第一侧墙的厚度包括10埃～200埃。

11、可选地，通过炉管工艺或cvd工艺形成所述第一侧墙。

12、可选地，所述第二侧墙包括氧化硅层及氮化硅层。

13、可选地，所述氧化硅层的厚度包括10埃～200埃，所述氮化硅层的厚度包括50埃～500埃。

14、可选地，通过炉管工艺或cvd工艺形成所述第二侧墙。

15、可选地，通过炉管工艺或cvd工艺形成所述氧化层。

16、可选地，所述氧化层的厚度包括10埃～500埃。

17、可选地，离子注入的工艺条件包括：注入能量包括5kev～60kev，注入剂量包括1e13/cm2～1e16/cm2。

18、可选地，所述方法还包括：通过离子注入于所述p阱内形成所述源区及所述漏区的步骤。

19、如上所述，本发明的器件源区与漏区的形成方法，通过在离子注入形成源区与漏区之前，于半导体结构的表面形成氧化层，使得源区及漏区所在区域有氧化层覆盖，通过上述方法一方面能够减少氟析出从而改善其对光阻的腐蚀作用，另一方面能够减小离子注入深度，有利于形成超浅结，进而提升器件性能。

技术特征：

1.一种器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，在于所述n阱内形成所述源区及所述漏区时，注入的离子还包括硼及/或氟。

3.根据权利要求1所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材质包括氮化硅。

4.根据权利要求1或3所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度包括10埃～200埃。

5.根据权利要求4所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，通过炉管工艺或cvd工艺形成所述第一侧墙。

6.根据权利要求1所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙包括氧化硅层及氮化硅层。

7.根据权利要求6所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度包括10埃～200埃，所述氮化硅层的厚度包括50埃～500埃。

8.根据权利要求7所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，通过炉管工艺或cvd工艺形成所述第二侧墙。

9.根据权利要求1所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，通过炉管工艺或cvd工艺形成所述氧化层。

10.根据权利要求9所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度包括10埃～500埃。

11.根据权利要求1所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，离子注入的工艺条件包括：注入能量包括5kev～60kev，注入剂量包括1e13/cm2～1e16/cm2。

12.根据权利要求1所述的器件源区与漏区的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：通过离子注入于所述p阱内形成所述源区及所述漏区的步骤。

技术总结本发明提供一种器件源区与漏区的形成方法，方法包括：提供一半导体结构，其包括衬底、P阱、N阱及栅极结构，其中，P阱及N阱形成于衬底内，栅极结构形成于P阱及N阱所在区域的衬底的表面；于P阱及N阱内进行离子注入以形成轻掺杂漏区，且轻掺杂漏区位于各栅极结构的两侧；于各栅极结构两侧形成第一侧墙及第二侧墙，且第二侧墙形成于第一侧墙的外侧；于形成有第一侧墙及所述第二侧墙的半导体结构的表面形成氧化层；于N阱内至少注入二氟化硼形成源区及漏区，此时，P阱所在区域的半导体结构利用光刻胶进行保护。通过本发明解决了现有的氟离子析出与光刻胶发生化学反应而使得器件性能受到影响的问题。技术研发人员：张强强受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25