一种高效硅异质结太阳能电池的制作方法

本技术涉及太阳能电池，具体为一种高效硅异质结太阳能电池。

背景技术：

1、硅异质结太阳能电池是一种基于硅材料的太阳能电池，通过在硅基底上构建不同材料的异质结，以提高光电转换效率，这种太阳能电池利用了硅的优良光电特性，并通过在硅基底上引入其他半导体材料的异质结来改善光电转换效率，硅异质结太阳能电池的工作原理是基于不同半导体材料之间的能带差异，通过在硅基底上形成异质结，可以形成内建电场，有助于分离光生载流子并提高光电转换效率。

2、但现有的硅异质结太阳能电池在使用过程中对光能的转换效率较低，无法充分利用光能，使得硅异质结太阳能电池的工作效率较低。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种高效硅异质结太阳能电池，具备光电转换效率高得优点，解决了现有的硅异质结太阳能电池在使用过程中对光能的转换效率较低，无法充分利用光能，使得硅异质结太阳能电池的工作效率较低的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高效硅异质结太阳能电池，包括p型硅基底，所述p型硅基底上表面涂覆有n型硅基底,其特征在于：所述p型硅基底和n型硅基底上设有光能转换机构；

3、所述光能转换机构包括涂覆于n型硅基底远离p型硅基底一侧表面的电子传输层，所述电子传输层远离n型硅基底一侧表面涂覆有光学薄膜涂层，所述光学薄膜涂层远离电子传输层一侧表面涂覆有纳米结构层。

4、进一步，所述p型硅基底下表面涂覆有下电极。

5、进一步，所述纳米结构层上表面涂覆有上电极。

6、进一步，所述电子传输层的厚度为零点零五毫米，所述电子传输层的材料为氧化锌涂层。

7、进一步，所述光学薄膜涂层的厚度为零点零八毫米，所述光学薄膜涂层的材料为二氧化钛涂层。

8、进一步，所述纳米结构层的厚度为零点零五毫米，所述纳米结构层的材料为纳米片。

9、与现有技术相比，本申请的技术方案具备以下有益效果：

10、该高效硅异质结太阳能电池，通过在n型硅基底上设有电子传输层可以提高硅异质结太阳能电池内电子的传输速度和效率，减少电子复合损失，光学薄膜涂层可以提高光的反射和透射效果，增加硅异质结太阳能电池对光的吸收和利用率，纳米结构层可以提高硅异质结太阳能电池的表面积，可以增加硅异质结太阳能电池对光的吸收率，提高光电转换效率，解决了现有的硅异质结太阳能电池在使用过程中对光能的转换效率较低，无法充分利用光能，使得硅异质结太阳能电池的工作效率较低的问题。

技术特征：

1.一种高效硅异质结太阳能电池，包括p型硅基底(1)，所述p型硅基底(1)上表面涂覆有n型硅基底(2),其特征在于：所述p型硅基底(1)和n型硅基底(2)上设有光能转换机构；

2.根据权利要求1所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述p型硅基底(1)下表面涂覆有下电极(6)。

3.根据权利要求1所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述纳米结构层(5)上表面涂覆有上电极(7)。

4.根据权利要求1所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述电子传输层(3)的厚度为零点零五毫米，所述电子传输层(3)的材料为氧化锌涂层。

5.根据权利要求1所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述光学薄膜涂层(4)的厚度为零点零八毫米，所述光学薄膜涂层(4)的材料为二氧化钛涂层。

6.根据权利要求1所述的一种高效硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述纳米结构层(5)的厚度为零点零五毫米，所述纳米结构层(5)的材料为纳米片。

技术总结本技术涉及一种高效硅异质结太阳能电池，包括P型硅基底，所述P型硅基底上表面涂覆有N型硅基底,其特征在于：所述P型硅基底和N型硅基底上设有光能转换机构，所述光能转换机构包括涂覆于N型硅基底远离P型硅基底一侧表面的电子传输层，所述电子传输层远离N型硅基底一侧表面涂覆有光学薄膜涂层。该高效硅异质结太阳能电池，通过在N型硅基底上设有电子传输层可以提高硅异质结太阳能电池内电子的传输速度和效率，减少电子复合损失，光学薄膜涂层可以提高光的反射和透射效果，增加硅异质结太阳能电池对光的吸收和利用率，纳米结构层可以提高硅异质结太阳能电池的表面积，可以增加硅异质结太阳能电池对光的吸收率，提高光电转换效率。技术研发人员：张永欣,黄新明,张丽莉,李亚领受保护的技术使用者：无锡广传绿能科技有限公司技术研发日：20231130技术公布日：2024/7/25